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【原創(chuàng)】金屬顆粒與氮化硅陶瓷“牽手”,,增韌有多難?


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   空青

[導(dǎo)讀]  金屬第二相控制氮化硅陶瓷性能,金屬顆粒引入方法及解決方法,。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  氮化硅(Si3N4)陶瓷作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料,,其低韌性一直讓人詬病,嚴(yán)重影響其使用壽命和可靠性,,極大限制了其應(yīng)用范圍,。近年來(lái),對(duì)于氮化硅增韌的研究不計(jì)其數(shù),,其中引入金屬顆粒也被認(rèn)為改善陶瓷脆性的重要方法之一。


金屬第二相增韌氮化硅陶瓷難點(diǎn)在哪,?


為了提高氮化硅陶瓷斷裂韌性,、增加其在應(yīng)用中的穩(wěn)定性,除了添加必備的燒結(jié)助劑來(lái)使氮化硅陶瓷致密性增加外,,引入適合的添加相也是提高氮化硅陶瓷力學(xué)性能的重要方法,。一般根據(jù)成分的不同,可將添加相分為:陶瓷材料添加相,、碳材料添加相,、金屬添加相。


兩個(gè)添加相的優(yōu)勢(shì)


相比于以上兩者,,金屬材料普遍具有優(yōu)異的延展性,、良好的導(dǎo)電性等特點(diǎn),然而,,金屬顆粒引入到氮化硅陶瓷基體相關(guān)的報(bào)道卻很少,,其主要影響因素及難點(diǎn)在于:


1)Si3N4具有較高的反應(yīng)活性,容易與一些金屬發(fā)生化學(xué)反應(yīng),。

2)Si3N4陶瓷具有很低的熱膨脹系數(shù),,與多數(shù)金屬差異較大,,引入這些金屬容易產(chǎn)生過(guò)大的熱應(yīng)力,導(dǎo)致物料產(chǎn)生缺陷,。

3)引入低熔點(diǎn)的金屬,,也會(huì)限制Si3N4陶瓷的高溫應(yīng)用。


總結(jié)起來(lái)就是,,金屬與Si3N4陶瓷之前潛在的化學(xué)反應(yīng),、熱膨脹系數(shù)、化學(xué)相容性,、高溫下實(shí)際應(yīng)用環(huán)境等關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)問(wèn)題是影響金屬類添加相在Si3N4陶瓷中應(yīng)用潛力的核心,。那么如何解決或避免這些問(wèn)題是制備高性能金屬增韌Si3N4陶瓷的關(guān)鍵。


引入氮化硅陶瓷中的那些金屬

金屬Ag


銀(Ag)的延展性很優(yōu)異,,作為第二相引入到Si3N4陶瓷中,,不僅可以提高陶瓷材料的斷裂韌性,還能提高陶瓷材料的耐磨性能,。除此之外,,Ag化學(xué)性能十分穩(wěn)定,在常溫或及高溫環(huán)境下都可以與Si3N4共存,,引入后具有很好的化學(xué)相容性,。


另外Ag顆粒作為一種潤(rùn)滑相,可有效降低氮化硅陶瓷的摩擦系數(shù),,如圖,。其在材料硬度降低的前提下,仍然提高了其耐磨損性能,。


引入Ag對(duì)氮化硅陶瓷室溫(a)和高溫(b)磨損率的影響,,SN0-SN3分別是代表Ag的引入量


然而,Ag的熔點(diǎn)明顯低于Si3N4陶瓷的燒結(jié)溫度,,在燒結(jié)過(guò)程很容易發(fā)生熔融團(tuán)聚的現(xiàn)象,,因此,制備方法一般選用在時(shí)間較短的SPS工藝下完成,。


金屬Cu


金屬Cu具有優(yōu)異的延展性與導(dǎo)電性,,已被用作陶瓷增韌相,且其價(jià)格遠(yuǎn)低于Ag,,更具經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì),。


孫奇春等研究了在不同溫度下,Cu顆粒引入賽隆陶瓷的力學(xué)性能及耐摩擦磨損性能,。結(jié)果顯示,,Cu顆粒的引入不僅可以有效提高賽隆陶瓷在常溫和高溫(900℃)下的斷裂韌性,而且在高溫磨損過(guò)程中Cu氧化產(chǎn)生CuO膜層,,可以有效降低賽隆陶瓷的摩擦系數(shù)和磨損率,。

銅對(duì)賽隆陶瓷斷裂過(guò)程的影響


但是,,Cu具有比Ag更高的活性,容易與Si3N4發(fā)生反應(yīng),,化學(xué)相容性極差,,當(dāng)調(diào)控到兩者不再發(fā)生反應(yīng)時(shí),卻難以實(shí)現(xiàn)Si3N4陶瓷的致密化,,這是一種不能兩全其美的金屬添加相,。與此同時(shí)Si3N4陶瓷與Cu之間潤(rùn)濕性較差,這會(huì)使氮化硅陶瓷的致密化程度,、導(dǎo)熱性能下降,。


金屬Sn、Al


Sn和Al的熔點(diǎn)遠(yuǎn)低于Si3N4陶瓷的燒結(jié)溫度,,在陶瓷燒結(jié)過(guò)程中更容易出現(xiàn)團(tuán)聚,、揮發(fā)等現(xiàn)象。


為減少團(tuán)聚,,采用引入前驅(qū)體的方式解決,,Sun等人采用SnO2與AlN反應(yīng)的方式在賽隆陶瓷中形成Sn顆粒,單質(zhì)Sn與Si3N4和賽隆陶瓷均能穩(wěn)定共存,。在高溫下,,Sn可以通過(guò)自身形成金屬液相及氧化形成SnO2保護(hù)層兩種方式起到潤(rùn)滑作用,提高Si3N4陶瓷的耐磨損性能,。


Al因其低熔點(diǎn)的原因,,作為第二相引入Si3N4陶瓷中研究很少,但是將Al作為基體,、氮化硅作為第二相的研究已經(jīng)比較多,。該材料制備溫度在530℃~570℃內(nèi)進(jìn)行,未發(fā)現(xiàn)二者化學(xué)不相容的問(wèn)題,。


金屬Fe


Fe單質(zhì)與Si3N4陶瓷在高溫下不能夠共存,,一般以硅化鐵的形式存在,,其對(duì)氮化硅陶瓷燒結(jié)過(guò)程及燒結(jié)體性能均有較大影響,。


在反應(yīng)燒結(jié)Si3N4中,F(xiàn)e可以加速氮化反應(yīng),,起到催化劑的作用,。在氮化硅粉體直接燒結(jié)過(guò)程中,硅化鐵可以通過(guò)自身氮化,、低溫液相及提供成核點(diǎn)等多種機(jī)制促進(jìn)氮化硅α/β相轉(zhuǎn)變的進(jìn)行以及β-Si3N4晶粒的生長(zhǎng),,有效調(diào)控Si3N4陶瓷的形貌。


金屬M(fèi)o,、W


與上述金屬相比,,金屬M(fèi)o,、W不僅具有非常高的熔點(diǎn),而且熱膨脹系數(shù)較低,,與氮化硅陶瓷更加匹配,。


不同金屬與氮化硅陶瓷的熔點(diǎn)和熱膨脹系數(shù)對(duì)比


金屬M(fèi)o用于提高AlN、Al2O3,、莫來(lái)石等陶瓷的斷裂韌性,,并取得了很好的效果。


金屬W也已被用于調(diào)節(jié)陶瓷材料的力學(xué)性能,,由于W具有良好導(dǎo)電性等特點(diǎn),,也適合用于改善Si3N4陶瓷電學(xué)性能。另外還發(fā)現(xiàn),,W對(duì)氮化硅陶瓷耐磨損性能的提升主要?dú)w功于W元素促進(jìn)磨料黏結(jié)形成氧化保護(hù)層,。


金屬引入方法及解決辦法


大多數(shù)方法是以SPS燒結(jié)工藝為主,結(jié)合金屬前驅(qū)體引入Si3N4陶瓷,。優(yōu)點(diǎn)在于避免低熔點(diǎn)金屬團(tuán)聚,,有效實(shí)現(xiàn)致密化;缺點(diǎn)在于不能解決熱膨脹不匹配以及界面反應(yīng)問(wèn)題,,材料產(chǎn)業(yè)化受到限制,。


不同金屬引入方法對(duì)比


針對(duì)金屬對(duì)Si3N4陶瓷熱膨脹系數(shù)不匹配帶來(lái)的應(yīng)力或界面缺陷問(wèn)題,主要解決辦法有:

1)通過(guò)降低金屬顆粒尺寸實(shí)現(xiàn)界面應(yīng)變能的降低,,進(jìn)而避免界面缺陷的產(chǎn)生,。

2)設(shè)計(jì)合理的結(jié)構(gòu)改變熱不匹配應(yīng)力的大小和分布,特別是緩解高熱膨脹系數(shù)顆粒的徑向收縮,。


針對(duì)金屬與Si3N4陶瓷界面潤(rùn)濕性差的問(wèn)題,,主要方法引入中間層但效果不理想,仍需科研工作者做進(jìn)一步努力,。


小結(jié)


近年來(lái),,將不同的金屬第二相引入到氮化硅陶瓷中制備復(fù)合材料已經(jīng)取得很大進(jìn)步,金屬的熔點(diǎn),、膨脹系數(shù),、二者間化學(xué)相容性、界面潤(rùn)濕性等問(wèn)題,,都使得金屬/氮化硅復(fù)合陶瓷制備成了不小的挑戰(zhàn),,但同時(shí)也是該材料取得成功的機(jī)遇。


參考來(lái)源:


王魯杰等:金屬第二相調(diào)控氮化硅陶瓷性能的研究進(jìn)展2023

王魯杰:氮化硅陶瓷材料的微觀結(jié)構(gòu)調(diào)控與第二相增韌研究

葛偉萍:合金元素對(duì)氮化硅制備的影響與研究


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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