中國粉體網(wǎng)訊  近日,，工信部網(wǎng)站發(fā)布公告稱，為推動建材行業(yè)高端化,、綠色化、智能化發(fā)展,，擬制定《建材工業(yè)鼓勵推廣應用的技術和產(chǎn)品目錄（2022年本）》,。該目錄中，6英寸碳化硅襯底赫然在列,。

據(jù)該目錄介紹,，6英寸碳化硅襯底產(chǎn)品具備耐高溫,、耐高壓、高功率,、高頻,、低能耗等優(yōu)良電氣特性,，采用碳化硅襯底可突破傳統(tǒng)材料的物理限制，主要用途是制作高頻,、大功率微波器件�,？捎糜趪�家電網(wǎng),、軌道交通,、風力發(fā)電、混合動力汽車,、新能源汽車等領域高頻,、大功率器件制造。

獲得鼓勵推廣應用的6英寸碳化硅襯底相關產(chǎn)品的主要技術經(jīng)濟指標如下：

1.SiC單晶材料：

（1）直徑精度150mm±0.2mm,；

（2）襯底微管密度 ≤0.5 個/cm²；

（3）半絕緣襯底電阻率≥1×10⁹Ω·cm,；

（4）總厚度變化（TTV）≤15μm,；

（5）襯底翹曲度 (Warp)≤45μm,；

（6）襯底彎曲度（|bow|）≤25μm；

（7）襯底表面粗糙度≤0.2nm（測量面積：10μm×10μm）,。

2.高純半絕緣碳化硅單晶襯底：

（1）尺寸：4-6英寸；

（2）電阻率≥1×10¹⁰Ω·cm,；

（3）微管密度：＜1個/cm²。

3.N型低阻碳化硅單晶襯底：

（1）尺寸：6英寸,；

（2）TSD:≤500/cm²,；

（3）BPD:≤1000/cm²,。

碳相關材料是外國對中國禁運的最重要材料，包括具有重要戰(zhàn)略價值的半導體碳化硅襯底等,，國外對華禁運關鍵半導體材料和器件，使我國發(fā)展受制于人,，在涉及國家信息安全的關鍵領域,，需要完全擁有自主知識產(chǎn)權的國產(chǎn)技術和產(chǎn)品來支撐和保障，否則國家安全將受到威脅,。

與國外相比，國內的SiC起步相對較晚,，目前與美國、日本這些公司存在一定的差距,，導致在整個國際市場上,，國內產(chǎn)品在全球市場的占比較小,，產(chǎn)品的競爭力相對比較弱,。

在SiC襯底方面，國外主流產(chǎn)品已經(jīng)從4寸向6寸的轉化,，并且已經(jīng)成功研發(fā)8英寸SiC襯底片；目前國外6英寸SiC襯底片的微管密度已經(jīng)達到0.1個/cm²,，位錯密度達到100個/cm²，Cree,、II-VI研發(fā)的8英寸SiC襯底片位錯密度達到100個/cm²,，根據(jù)國外專家的推測,，未來國際市場將會以6英寸SiC襯底片為主，并且將會在市場占據(jù)時間比4英寸的長很多,；而國內SiC襯底片市場現(xiàn)在以4英寸為主,，其微管密度己經(jīng)達到1個/cm²以下,，位錯密度達到1000個/cm²，6英寸目前產(chǎn)品的成品率相對較低,。

山東天岳碳化硅襯底

目前國內SiC功率器件制造商所采用的襯底片大多數(shù)都采用進口片,，主要是因為國內的SiC襯底片在其缺陷控制上與國外水平還存在相當大的差距。為此,，為了徹底擺脫國內SiC產(chǎn)業(yè)受制于人的現(xiàn)狀,，國內6英寸SiC襯底片的發(fā)展將會出現(xiàn)的一個嶄新的局面,，而SiC襯底片制約下游功率器件的發(fā)展，為了加快國內SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,，高品質6英寸N型SiC襯底片產(chǎn)業(yè)化勢在必行。

參考來源：

工信部網(wǎng)站

西安電子科技大學竇文濤：6英寸N型4H-SiC單晶襯底材料研究

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安）

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