我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域,，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導體將在5G基站建設,、特高壓,、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁,、大數(shù)據(jù)中心等新基建領域發(fā)揮重要作用,。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體是面向經(jīng)濟主戰(zhàn)場,、面向國家重大需求的戰(zhàn)略性行業(yè),。
碳化硅晶片（圖源：天科合達）
毋容置疑，碳化硅是極具潛力和市場空間的第三代半導體材料,，當下已成為半導體界的“超級頂流”,。因此在半導體產業(yè)最熱門的賽道之一，吸引了眾多半導體大廠以及初創(chuàng)新銳力量參與其中,。
日本羅姆加入碳化硅大軍,，遠期投資額增至去年計劃四倍
據(jù)報道，日本半導體廠商羅姆(ROHM)將在今年內于福岡縣正式量產碳化硅(SiC)功率半導體,，并借此產品開拓純電動汽車及醫(yī)療等新市場,。
據(jù)悉，位于日本福岡縣南部的羅姆阿波羅筑后工廠,，是羅姆公司的碳化硅半導體主力基地,，也是日本國內企業(yè)首次建設的碳化硅功率半導體專用新廠房。該計劃到2025財年（截止到2026年3月）最高向碳化硅功率半導體投資2200億日元,，這個數(shù)額相對2021年時計劃的增加了4倍,。
光希科半導體碳化硅外延片正式投產
11月23日,，�,？瓢雽w科技(蘇州)有限公司（以下簡稱希科半導體）于蘇州納米科技城召開碳化硅(SiC)外延片投產新聞發(fā)布會,。該項目年產能可達2萬片,。
國內同業(yè)一直在國產設備和生產工藝上積極研發(fā)以解決我國第三代半導體SiC器件生產用關鍵工藝裝備全部依賴進口的“卡脖子”問題。值得注意的是,，此次�,？瓢雽w在SiC外延片工藝研發(fā)上取得的突破性進展就是采用純國產設備和完全自主的先進工藝，實現(xiàn)了工藝設備,、量測設備,、關鍵原料的三位一體國產化,完全、干凈、徹底的解決了國外產品的卡脖子問題,。這一系列成果均為我國碳化硅行業(yè)的新紀錄,。
安巢經(jīng)開半導體產業(yè)項目，加速落地
安巢經(jīng)開區(qū)半導體新材料研發(fā)生產基地一期項目選址于振興路與云溪路交口,，是為碳化硅纖維復合材料及其應用產品投資代建項目,。
圖來源：安巢經(jīng)開區(qū)
該項目,，一期總投資3億元,，其中固定資產投資約2億元，規(guī)劃占地22畝,，總建筑面積2.8萬平方米,。建設2條碳化硅纖維復合材料生產線。一期項目達產后,，可年產碳化硅陶瓷基復合材料及其構件產品10噸,，可實現(xiàn)產值約10億元，稅收不少于3500萬元,。
參考來源：財經(jīng)網(wǎng),、中國網(wǎng)科學、人民網(wǎng)-安徽頻道
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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