中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日,，由中國(guó)工程院,、國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會(huì)指導(dǎo)，國(guó)家產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)專家委員會(huì)編制的《產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)創(chuàng)新發(fā)展目錄（2021年版）》（以下簡(jiǎn)稱《目錄》）發(fā)布,�,！赌夸洝丰槍�(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)、國(guó)防安全和人民幸福影響大的發(fā)展需求,，確定了紡織,、新材料、信息通信設(shè)備,、基礎(chǔ)軟件及工業(yè)軟件,、機(jī)床與基礎(chǔ)制造裝備及機(jī)器人、環(huán)保低碳及資源綜合利用裝備等21個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域,。其中,，多項(xiàng)陶瓷材料及相關(guān)設(shè)備入選。

陶瓷材料方面

在材料方面,，碳化硅,、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體襯底、外延等產(chǎn)品技術(shù)入選,。而較少提及的氮化鋁單晶襯底材料也位列其中,，據(jù)了解，氮化鋁（AlN）是極具應(yīng)用潛力的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,，具有很多優(yōu)良的性質(zhì),。其禁帶寬度高達(dá)6.2eV，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng),、高飽和電子漂移速率,、高化學(xué)和熱穩(wěn)定性，以及高導(dǎo)熱,、抗輻射等優(yōu)異性能,。是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳襯底材料,，也是高功率,、高頻電子器件理想襯底材料。我國(guó)對(duì)AlN晶體生長(zhǎng)技術(shù)的研究起步較晚,，在此之前,，美國(guó)在全球AlN單晶及晶圓制造方面，可達(dá)的最大直徑為2英寸（50.8mm）,，長(zhǎng)期處于技術(shù)壟斷地位,。

陶瓷電容器作為細(xì)分條目被兩次提及,，分別是“小型化高電容MLCC”和“高容量片式陶瓷電容器”。片式陶瓷電容器,，即MLCC,，是一種新型、微型化,、片式化的高精度電容器,，是片式阻容感元件中用量最大、發(fā)展最快的核心元件,，約占整個(gè)電容器市場(chǎng)份額的一半,，是構(gòu)建新一代信息、通信,、電子,、終端產(chǎn)品的基礎(chǔ)材料,。隨著5G手機(jī)滲透,、電動(dòng)車放量、5G基站建設(shè)的推進(jìn),，MLCC需求極速增長(zhǎng),。目前我國(guó)大陸廠商處在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)第三梯隊(duì)的位置，尤其是在高階MLCC 方面,，因?yàn)榧夹g(shù)要求更高,，目前技術(shù)、產(chǎn)能主要集中在日廠手中,。

此外,，近年來(lái)研究及應(yīng)用熱度較高的陶瓷涂層、壓電陶瓷,、蜂窩陶瓷,、微波介質(zhì)陶瓷、高導(dǎo)熱陶瓷基板等均有相關(guān)材料入選其中,。

工藝與設(shè)備方面

在制造工藝與設(shè)備方面,，一批入選裝備需要配備大量先進(jìn)陶瓷材料。例如,，在光刻機(jī)中,，碳化硅陶瓷已被用于工件臺(tái)、導(dǎo)軌,、反射鏡,、吸盤、手臂等,；在刻蝕裝備中,，碳化硅,、氮化鋁、氧化鋁,、氮化硅,、氧化釔等陶瓷材料已被重點(diǎn)用于窗視鏡，氣體分散盤,，噴嘴,，絕緣環(huán)，蓋板,，聚焦環(huán)和靜電吸盤等,。

參考來(lái)源：《產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)創(chuàng)新發(fā)展目錄（2021年版）》、中國(guó)粉體網(wǎng)

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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