中國粉體網(wǎng)訊 8月16日，楚江新材(002171.SZ)在互動(dòng)平臺(tái)表示,，子公司頂立科技的碳材料產(chǎn)品可用于第三代半導(dǎo)體碳化硅及金剛石的生長,。公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域主要圍繞“四高兩涂”的技術(shù)和產(chǎn)品進(jìn)行研發(fā)和生產(chǎn),，可為碳化硅單晶生產(chǎn)企業(yè)提供高純?cè)霞昂牟牡呐涮住?/p>
高純碳粉是制備碳化硅單晶的基礎(chǔ)材料。
由于碳化硅具有很多卓越的物理化學(xué)性能,，使得其在航空航天,、電子、能源和軍工等領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用前景,。特別地,，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表材料之一，非常適合于制作高溫,、高頻,、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件,。目前制作器件用的碳化硅單晶襯底材料一般采用PVT（物理氣相傳輸）法生長,。SiC原料的純度,、粒徑和晶型在PVT生長SiC單晶時(shí)起重要的作用，直接影響生長單晶的結(jié)晶質(zhì)量和電學(xué)性質(zhì),，尤其是高純半絕緣本征SiC晶體的制備需要使用高純SiC粉料,。
目前，用于生長單晶的高純SiC粉料一般采用CVD法和改進(jìn)的自蔓延合成法（又稱為高溫合成法或燃燒法）,。然而,，CVD法合成高純碳化硅粉料的成本高，不適于碳化硅粉料的批量化合成,。改進(jìn)的自蔓延高溫合成法制備過程簡單,，合成效率高，在工業(yè)上被廣泛用于生產(chǎn)高純SiC粉體,。該方法是將固態(tài)的Si源和C源作為原料,，使其在1400～2000℃的高溫下持續(xù)反應(yīng)，最后得到高純SiC粉體,，而高純度的C粉是最常見的碳源材料,。
頂立科技是楚江新材（002171）的控股子公司，是一家專業(yè)從事特種材料及特種熱工裝備研發(fā),、生產(chǎn)的國家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè),。近年來其積極參與國家重大專項(xiàng)建設(shè)，通過自主創(chuàng)新,，將材料制造工藝與裝備制造技術(shù)緊密結(jié)合,，先后攻克了我國粉末冶金、碳材料等行業(yè)急需的關(guān)鍵熱工裝備的技術(shù)瓶頸,。在高純碳粉方面,，頂立科技已掌握6N級(jí)高純碳粉制備工藝，產(chǎn)品穩(wěn)定性好,、石墨化程度高,、雜質(zhì)少，可用于合成高純SiC粉,、培育鉆石,、鋰電池負(fù)極材料等方面。
參考來源：
[1]每日經(jīng)濟(jì)新聞,、頂立科技官網(wǎng)等
[2]羅昊等.碳化硅單晶生長用高純碳化硅粉體的研究進(jìn)展
[3]馬康夫等.生長單晶用SiC粉料合成工藝研究進(jìn)展
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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