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露笑科技:預(yù)計(jì)2023年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)20萬(wàn)片碳化硅襯底


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   山川

[導(dǎo)讀]  近日,露笑科技發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表公告稱在2023年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)20萬(wàn)片的產(chǎn)能規(guī)劃,。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日,,露笑科技發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表公告,在碳化硅產(chǎn)業(yè)化規(guī)模方面,,目前公司已經(jīng)到位280臺(tái)長(zhǎng)晶爐,,有部分已經(jīng)完成了前期的工藝安裝調(diào)試,預(yù)計(jì)7月份大概能出產(chǎn)500-1000片,,8月出產(chǎn)1000-2000片,。據(jù)介紹,公司的實(shí)施計(jì)劃本可以再快一些,,但受限于一些輔料耗材進(jìn)口方面的影響,。預(yù)計(jì)到2022年底,公司能實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能5000片的生產(chǎn)規(guī)模,。目前公司募集資金已到位,,公司將加速后期碳化硅產(chǎn)能鋪設(shè)進(jìn)程,隨著后端相應(yīng)的切磨拋進(jìn)口設(shè)備到位,,預(yù)計(jì)到明年4月份左右能實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能1萬(wàn)片,,在2023年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)20萬(wàn)片的產(chǎn)能規(guī)劃。


 


寬禁帶半導(dǎo)體材料屬于我國(guó)產(chǎn)業(yè)政策鼓勵(lì)發(fā)展的關(guān)鍵戰(zhàn)略材料,碳化硅襯底材料屬于國(guó)家產(chǎn)業(yè)規(guī)劃重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域亟需的新材料,。根據(jù)國(guó)家發(fā)改委發(fā)布的《戰(zhàn)略型新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄(2016年版)》,,碳化硅等電子功能材料列入戰(zhàn)略型新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品目錄。根據(jù)2016年12月工信部,、國(guó)家發(fā)改委,、科技部與財(cái)政部聯(lián)合發(fā)布的《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》,寬禁帶半導(dǎo)體材料屬于鼓勵(lì)發(fā)展的“關(guān)鍵戰(zhàn)略材料”,,大尺寸碳化硅單晶屬于“突破重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域急需的新材料”,。此外,繼“十二五”,、“十三五”后,,碳化硅半導(dǎo)體于2021年3月再次被列入“十四五”規(guī)劃中的重點(diǎn)支持領(lǐng)域。據(jù)了解,,全球碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美國(guó)一家獨(dú)大的局面,,美國(guó)在碳化硅領(lǐng)域布局較早,因此占據(jù)全球碳化硅襯底約60%的市場(chǎng)份額,。其中wolfspeed和Ⅱ-Ⅵ公司的市占率分別為45%和13%,,wolfspeed的導(dǎo)電型襯底約占62%,半絕緣型為33%,,而中國(guó)本土企業(yè)起步較晚,,碳化硅襯底總體市占率在10%左右。  

 



公司碳化硅業(yè)務(wù)主要通過(guò)控股子公司合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司實(shí)施,。合肥露笑半導(dǎo)體自2021年6月份起,,生長(zhǎng)和加工設(shè)備陸續(xù)入場(chǎng)調(diào)試。據(jù)露笑科技2021年年報(bào)顯示,,截至2021年12月,,完成襯底片加工車間建設(shè)并投入使用,現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)了6英寸襯底片的銷售,,正處于產(chǎn)能爬坡上升期,。


據(jù)了解,在產(chǎn)業(yè)認(rèn)證方面,,公司從去年10月份就已經(jīng)開(kāi)始做器件端驗(yàn)證了,,目前在SBD這一方面已經(jīng)過(guò)了三輪驗(yàn)證,目前反饋的情況都很不錯(cuò),,公司的碳化硅襯底片在SBD這塊應(yīng)用已經(jīng)比較成熟了,。MOS這塊公司尚處于驗(yàn)證過(guò)程中。 


同時(shí),,在碳化硅MOS取代IGBT這個(gè)話題上,,公司表示如果不考慮快速響應(yīng),,IGBT比MOSFET具有成本優(yōu)勢(shì),但是有反向恢復(fù)損耗,。因此,,對(duì)頻率要求不高的場(chǎng)合,IGBT可以存在,。但是一旦MOSFET成本下降之后,,就有可能取代IGBT。


參考來(lái)源:露笑科技投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表,、露笑科技2021年年報(bào)


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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