中國粉體網(wǎng)訊  隨著新能源汽車、5G,、人工智能,、物聯(lián)網(wǎng)等行業(yè)的蓬勃發(fā)展,，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大,，先進陶瓷在半導(dǎo)體行業(yè)將迎來更大的應(yīng)用市場,。第一屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會將于2022年7月13日在濟南舉辦。江蘇方達正塬電子材料科技有限公司邀請您共同出席論壇,。

江蘇方達正塬電子材料科技有限公司（Foundarzy,，簡稱方達正塬）是一家由南京市紫金山英才高峰計劃入選者創(chuàng)建的高技術(shù)企業(yè)。公司成立于2020年，主要從事氮化硅絕緣材料,、覆銅基板等相關(guān)產(chǎn)品研發(fā),、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用研究,。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于超高壓電網(wǎng),、5G/6G、穿戴式裝備,、電動汽車,、高鐵、飛機,、雷達,、航空航天、碳中和等相關(guān)設(shè)備,、先進制造及大國重器之中,。

公司自2021年3月投資50萬元立項研究，氮化硅陶瓷基板制備關(guān)鍵技術(shù)和裝備,；組建了由院士牽頭的戰(zhàn)略專家委員會,，成員由中國科學院、哈爾濱工業(yè)大學,、南京大學,、東南大學的教授/研究員組成；技術(shù)團隊構(gòu)建了具有國際領(lǐng)先水平的氮化硅陶瓷的制造工藝流程,、研發(fā)了系列關(guān)鍵裝備,、各生產(chǎn)環(huán)節(jié)的質(zhì)量監(jiān)控與中間產(chǎn)品篩選體系，在氮化硅基板制備等方面取得重要進展,，已獲得授權(quán)發(fā)明/實用新型專利10項,，發(fā)表國際學術(shù)論文3篇。在審發(fā)明專利8項,，實用新型專利7項,。涉及到粉體攪拌、篩分,、輸送、收集,、平整,、加溫、保溫和冷卻,、粉體預(yù)處理,、漿料制備、流延機,、流延素坯,、基板燒結(jié),、陶瓷基板、配方,、燒結(jié)設(shè)備部件,、在線監(jiān)測、陶瓷織構(gòu)化等,，至今已提交發(fā)明專利6項,，實用新型專利6項，正在實質(zhì)性審查,。

 產(chǎn)品展示

1.氮化硅（Si3N4）陶瓷基板

公司掌握了國內(nèi)外企業(yè),、高等院校和研究院所的先進生產(chǎn)技術(shù)和研究成果，設(shè)計了國內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動化生產(chǎn)線,，產(chǎn)品經(jīng)多家用戶檢測和軍方權(quán)威機構(gòu)檢測,，驗證結(jié)果與國外產(chǎn)品相當，局部優(yōu)于國外產(chǎn)品,。

氮化硅（Si3N4）基板與BeO,、Al2O3和AlN基板相比較，具有綜合性能最佳,、使用壽命最長（是AlN的15~20倍）,、可靠性最好的特點，詳細如下：

絕緣性好：電阻率=1.0×1015~1016,，電阻率約是BeO和AlN的10倍,，Al2O3的10萬倍

導(dǎo)熱性強：熱導(dǎo)率=80-177（理論值達320），熱導(dǎo)率是Al2O3的3倍以上,，與AlN相當,，略遜于BeO

反應(yīng)靈敏：介電常數(shù)=9.4，與Al2O3和AlN相當

熱穩(wěn)定：熱膨脹系數(shù)=3,，遠低于BeO,，比AlN低，約為Al2O3的1/3

壽命長：耐熱循環(huán)次數(shù)=2000~5000次,，是AlN和Al2O3的15~20倍,，大大降低設(shè)備折舊成本

抗振動：高模量、機械強度大,。

BeO屬于劇毒產(chǎn)品,，僅用于要求特殊的航天和導(dǎo)彈戰(zhàn)斗部

Al2O3和是目前價格最便宜的基板，但是其導(dǎo)熱性和使用壽命遠遠不能滿足第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的要求,。

AlN的主要問題是價格高（與Si3N4相當）但可靠性只有Si3N4的十分之一,。

Si3N4基板具有向下兼容的特點，無需驗證即可直接替代上述三種基板，不必再次驗證,。

隨著Si3N4相基板的產(chǎn)量的增加和價格的下降,，將逐步代替原來由Al2O3和AlN占據(jù)的市場份額，

(二)新穎性,、先進性和獨特性

產(chǎn)品屬于國家“核高基”領(lǐng)域的軍民兩用卡脖子產(chǎn)品,，在細分行業(yè)處于領(lǐng)軍地位，市場緊缺,，替代進口,。

設(shè)計了國內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動化生產(chǎn)線，嚴格的預(yù)處理技術(shù)和先進的生產(chǎn)技術(shù)保證了氮化硅基板在微量元素含量,、N/O比值,、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶間相等方面的嚴格要求,，晶格缺陷大大減少了,，性能指標大大提升。

形成了既滿足量大面廣的民用產(chǎn)品的要求,、還可提供高性能指標的基板和/或基片,，形成高低搭配的、全方位的系列產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)體系,。

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