中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)昭和電工官網(wǎng)消息,，公司已開始大規(guī)模生產(chǎn)直徑為6英寸（150毫米）的碳化硅單晶片,，用作SiC外延晶片的襯底材料，以加工并安裝到SiC基功率半導體（SiC功率半導體）中,。

圖片來源：昭和電工官網(wǎng)

碳化硅是第三代化合物半導體的典型代表,，具有耐高溫、耐高壓,、高頻率,、大功率等優(yōu)勢，廣泛應用于電力電子與射頻等下游,。碳化硅材料相比硅基材料具有寬禁帶,、電子飽和漂移速率高、熱導系數(shù)高和熔點高等優(yōu)勢,，可有效突破傳統(tǒng)硅基半導體器件及其材料的物理極限,，作為襯底開發(fā)出更適應高溫、高壓,、高頻率和大功率等條件的半導體器件,，廣泛應用于新能源車、光伏及射頻領域,。半導體器件不能直接制作在碳化硅襯底上,，需要先在襯底上生長氮化鎵或碳化硅外延層，得到外延片,，再在外延片上制作適用于射頻或電子電力領域的器件,。

昭和電工作為SiC外延片的獨立供應商，一直為功率器件制造商提供一流的SiC外延片,，在全球市場占有率較高,。昭和電工從2012年至2019年，先后6次擴大碳化硅外延片產(chǎn)能,。2012年9月,，昭和電工將4英寸碳化硅外延片的產(chǎn)能提高了2.5倍，達到每月1500片,，并宣布將加快6英寸碳化硅外延片的開發(fā),。2016年6月，昭和電工繼續(xù)擴大碳化硅外延片產(chǎn)能,，并開始批量生產(chǎn)HGE（High Grade Epitaxy）,，月產(chǎn)3000片。2017年9月和2018年1月,，昭和電工又進行了兩次擴產(chǎn),。2018年7月,，昭和電工進一步擴大其產(chǎn)能，將HGE產(chǎn)能從每月5000片增加到每月7000片,。2019年2月,，昭和電工又將碳化硅外延片產(chǎn)能增加到每月9000片。去年9月,，昭和電工宣布與ROHM簽訂了功率半導體用SiC外延片的多年長期供應合同,。

圖片來源：昭和電工官網(wǎng)

在襯底方面，昭和電工一直在考慮自主生產(chǎn)SiC單晶片,。2010年至2015年,，作為“未來電力電子技術研發(fā)合作伙伴關系”的成員，昭和電工參與了由經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)部和新能源與工業(yè)技術發(fā)展組織（NEDO）主辦和委托的“新型半導體電力電子項目實現(xiàn)低碳排放”,。此外,，2018年，昭和電工接管了新日鐵住友金屬集團（當前的新日鐵集團）的SiC晶圓相關資產(chǎn),，并從那時起一直在開發(fā)大規(guī)模生產(chǎn)SiC晶圓的技術,。

這一次，昭和電工決定啟動6英寸SiC晶片的內(nèi)部批量生產(chǎn),。據(jù)其稱,，目前多家客戶采用了由他們內(nèi)部生產(chǎn)的6英寸SiC晶片制成的SiC外延晶片。另一方面,，昭和電工將繼續(xù)從其合作伙伴處購買SiC晶片,，以應對電力半導體對SiC外延晶片的快速增長需求,。因此,，昭和電工將使SiC晶片的來源多樣化，從而為SiC外延晶片建立穩(wěn)定的供應鏈,。

參考來源：昭和電工官網(wǎng),、中金研究

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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