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【原創(chuàng)】氮化鋁純度不高真令人頭疼,!有什么好方法?


來源:中國粉體網(wǎng)   山川

[導(dǎo)讀]  氮化鋁為什么要提純,?怎么提純?

中國粉體網(wǎng)訊


氮化鋁有多受重視,?


氮化鋁(AlN)具有高導(dǎo)熱,、絕緣、低膨脹,、無磁等優(yōu)異性能,,是半導(dǎo)體、電真空等領(lǐng)域高端裝備的關(guān)鍵材料,,特別是在航空航天、軌道交通,、新能源汽車,、高功率LED、5G通訊,、電力傳輸,、工業(yè)控制等領(lǐng)域功率器件中具有不可取代的作用。



(圖片來源:廈門鉅瓷)


一方面,,隨著微電子及半導(dǎo)體技術(shù)的蓬勃發(fā)展,,電機(jī)和電子元件逐級步入微型、輕量,、高能量密度和大功率輸出時代,,電子基板熱流密度大幅增加,保持設(shè)備內(nèi)部穩(wěn)定的運(yùn)行環(huán)境成為需要重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)問題,。AlN陶瓷因具有熱導(dǎo)率高,、熱膨脹系數(shù)與硅接近、機(jī)械強(qiáng)度高,、化學(xué)穩(wěn)定性好及環(huán)保無毒等特性,,被認(rèn)為是新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料。


AlN的主要性能指標(biāo)



另一方面,,AlN作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,,其晶體具有禁帶寬度大、電子漂移速度高,、介電常數(shù)小等特點(diǎn),,適合制備高頻大功率、耐高溫,、抗輻射的半導(dǎo)體微電子器件,、深紫外LED光電器件及外延生產(chǎn)Ⅲ族半導(dǎo)體氮化物層結(jié)構(gòu)的襯底。


為什么要提純,?


高熱導(dǎo)率是AlN最突出的性能,,AlN陶瓷的熱導(dǎo)率受原料純度,、燒結(jié)工藝等因素的影響,在實(shí)際中由于AlN中存在的雜質(zhì)和缺陷使產(chǎn)品的熱導(dǎo)率要低于理論值,。其中,,氧元素與AlN有很強(qiáng)的親和力,容易進(jìn)入AlN晶格中形成缺陷,,成為降低材料熱導(dǎo)率的主要因素,。在AlN單晶體生長方面,原料中的雜質(zhì)(尤其是氧和碳)會沉積到單晶內(nèi)部并形成各種缺陷,,影響晶體質(zhì)量和性質(zhì),。



目前市售AlN粉體的純度普遍不高,主要是存在Na,、W,、Fe、Zn,、Ti,、Mn等金屬雜質(zhì);另一方面,,AlN粉體極易水解生成Al2O3,,進(jìn)而在后續(xù)燒結(jié)過程中形成Al5O6N、Al7O3N5等Al-O-N雜相,。


有什么好方法,?


氮化鋁粉體的提純


針對我們上面說到的AlN粉體極易水解生成Al2O3,進(jìn)而形成Al-O-N雜相問題,,目前的主流做法是對AlN粉體進(jìn)行表面改性(酸洗或堿洗)達(dá)到抑制水解的作用,。研究將AlN粉體浸入去離子水,HCl水溶液,,NaOH水溶液和H3PO4水溶液中以研究它們在室溫下的水解行為,。結(jié)果表明HCl水溶液和NaOH水溶液均加速了粉末的水解,而H3PO4水溶液則很好的抑制了AlN粉體的水解,。這在一定程度上減少了后續(xù)燒結(jié)過程中的Al-O-N雜相,,但卻沒有從根本上提高樣品純度。



(圖片來源:廈門鉅瓷)


另一種更直接的提純方式是還原氣氛下的高溫?zé)崽幚�,。通過高溫下的還原反應(yīng)去除雜質(zhì),,或者單純采用高溫使雜質(zhì)分解揮發(fā),從而達(dá)到提純粉體的目的,。2015年,,國內(nèi)有文獻(xiàn)報(bào)道對AlN原料進(jìn)行高溫提純,該研究采用金屬鎢作為坩堝和發(fā)熱體的材料最大限度地避免加熱過程中的碳污染。研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)溫度為2000~2200°C時可對AlN粉體進(jìn)行有效提純,,延長加熱時間可以有效降低雜質(zhì)含量,。經(jīng)過長時間(35h)高溫(2200°C)提純AlN粉體,可使氧濃度下降到220ppm,,金屬雜質(zhì)下降到1ppm以下,。但是,該方法的工藝要求高,,設(shè)備條件苛刻,,而且由于AlN在高溫下的升華會導(dǎo)致部分原料損耗。同時此方法也存在致命缺陷,,AlN粉體在高溫下結(jié)晶,,后續(xù)燒結(jié)需要破碎顆粒,容易再次引入雜質(zhì),。


氮化鋁陶瓷的純化


目前,,為提升陶瓷的純度,主要包括兩個方面的研究:添加燒結(jié)反應(yīng)劑和高溫?zé)崽幚怼?/p>



(圖片來源:觀瀾財(cái)經(jīng))


有研究采用在氮化鋁粉體中添加NH4F后燒結(jié)的方法,,降低燒結(jié)體中的氧含量,從而避免AlON的產(chǎn)生,。NH4F不同于稀土金屬氧化物與堿土金屬氧化物等燒結(jié)助劑,,其分解產(chǎn)物為NH3與HF氣體,這兩種氣體可分別與氮化鋁原料粉體中不同的固態(tài)雜質(zhì)反應(yīng),,經(jīng)過一系列反應(yīng)后形成的最終產(chǎn)物為固態(tài)氮化鋁與各種氣體,,從而避免引入新雜質(zhì),并且減少氮化鋁中原有的雜質(zhì),,保證氮化鋁陶瓷的純度,。


另一方面,AlN陶瓷經(jīng)過熱處理后,,AlN晶粒逐漸發(fā)育長大,,晶間相的分布更加合理,其純度能得到一定程度的提升,。


參考來源:

[1]蔣周青等.氮化鋁粉體制備技術(shù)的研究進(jìn)展

[2]王廣陽等.酸洗提純AlN粉體的研究

[3]王廣陽.氮化鋁陶瓷的酸洗提純與高溫純化研究


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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作者:山川

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