中國粉體網訊 11月27日,，以“創(chuàng)新為基,，創(chuàng)芯為本”的2021基本創(chuàng)新日活動在深圳舉行,。深圳基本半導體有限公司在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管,、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，進一步完善第三代半導體產品布局,。由深企發(fā)起的這場創(chuàng)新日活動吸引了汽車、工業(yè),、消費領域,，以及第三代半導體產業(yè)生態(tài)圈的眾多業(yè)內人士關注。
助推汽車產業(yè)破解“缺芯”難題
“缺芯”是困擾當前汽車產業(yè)發(fā)展的難題,，而以碳化硅為代表的第三代半導體被視為支撐新能源汽車發(fā)展的關鍵技術之一，在電機控制器,、車載充電器、DC/DC變換器等關鍵部件中發(fā)揮重要作用,。
發(fā)布會上，基本半導體汽車級全碳化硅MOSFET功率模塊家族成員首次正式整體亮相,，包括半橋MOSFET模塊Pcore2,、三相全橋MOSFET模塊Pcore6,、塑封單面散熱半橋MOSFET模塊Pcell等。
基本半導體有限公司總經理和巍巍介紹,，該系列產品采用銀燒結技術，相較于傳統(tǒng)硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度,、更高可靠性、更高工作結溫,、更低寄生電感、更低熱阻等特性,，綜合性能達到國際先進水平,，特別適合應用于新能源汽車,。
其中，Pcore6系列模塊是一款非常緊湊的功率模塊,，專為混合動力和電動汽車提升效率應用而設計，使用氮化硅AMB絕緣基板,、用于直接流體的銅基PinFin基板、多信號監(jiān)控的感應端子（焊接,、壓接兼容）設計，具有低損耗,、高阻斷電壓,、低導通電阻,、高電流密度、高可靠性（高于AQG-324參考標準）等特點,。
Pcell系列模塊采用基本半導體設計的獨有封裝形式,，采用銀燒結和DTS技術，大大提升了模塊的功率密度,，讓碳化硅材料特性得以充分發(fā)揮，使得產品具有高功率密度,、低雜散電感(小于5μH)、高阻斷電壓,、低導通電阻（小于2mΩ）、結溫高達175℃等特點,，非常適合于高效、高功率密度應用領域,。
汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2系列模塊具有低開關損耗、可高速開關,、降低溫度依賴性、高可靠性（高于AQG-324參考標準）等特點,，結溫可達175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸,，可在一定程度上代替相同封裝的IGBT模塊,，從而有效縮短產品開發(fā)周期,，提高工作效率,。
碳化硅肖特基二極管家族添新成員
追求更低損耗、更高可靠性,、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力,，基本半導體成功研發(fā)第三代650V,、1200V系列碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員,。
和巍巍介紹，相較于前兩代二極管,，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在延用6英寸晶圓工藝基礎上，實現(xiàn)了更高的電流密度,、更小的元胞尺寸、更強的浪涌能力,。
公開資料顯示,，當天亮相的最新款碳化硅肖特基二極管具備更高電流密度,、更強浪涌能力,、更低成本,、更高產量等亮點表現(xiàn)。其中,，第三代二極管具有更高電流密度,、更低QC，使其在真實應用環(huán)境中開關損耗更低,。通過工藝及設計迭代優(yōu)化,，第三代二極管實現(xiàn)了更高的浪涌能力,。更高的電流密度帶來更小的芯片面積,，使得器件成本較前兩代二極管進一步降低,。而使用6英寸晶圓平臺,，單片晶圓產出提升至4英寸平臺產出2倍以上。
推動尖端電力電子設備性能升級
現(xiàn)代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統(tǒng)功率密度,、使用更高的主開關頻率。而現(xiàn)有的硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求,，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。
當天上午,，基本半導體還對外發(fā)布了最新研制的混合碳化硅分立器件。不同于全硅基IGBT+FRD,，這款產品在以硅基IGBT作為核心開關器件的單管器件中，將器件中的續(xù)流二極管從硅基FRD換成了碳化硅肖特基二極管。
由于肖特基二極管沒有雙極型硅基高壓FRD的反向恢復行為,，Hybrid SiC Discrete Device的開關損耗獲得了極大地降低。根據(jù)測試數(shù)據(jù)顯示,，這款混合碳化硅分立器件的開通損耗比硅基IGBT的開通損耗降低約32.9%，總開關損耗比硅基IGBT的開關損耗降低約22.4%,。
和巍巍介紹,，基本半導體Hybrid SiC Discrete Device可應用于對功率密度提升有需求,，同時更強調性價比的電源應用領域,，如車載電源、車載空調控制器以及其他高效電源等,。
新品發(fā)布會后,，基本半導體技術專家分別介紹了公司在碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊,、碳化硅驅動以及功率半導體可靠性測試關鍵項目的領先技術和經驗,。
中歐第三代半導體產業(yè)高峰論壇聚焦創(chuàng)新合作
此外，為深化碳中和愿景下的中歐科研創(chuàng)新領域協(xié)同合作,，推動我國第三代半導體產業(yè)深入發(fā)展,，2021基本創(chuàng)新日活動還同期舉辦了“2021中歐第三代半導體高峰論壇”。
據(jù)了解,，作為由中國科學技術協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”的專業(yè)論壇,，中歐第三代半導體產業(yè)高峰論壇已連續(xù)五年舉辦。伴隨第三代半導體由“導入期”向“成長期”快速成長,，該論壇已發(fā)展成為聯(lián)動中歐第三代半導體產學研深入交流的創(chuàng)新合作名片,。
論壇上，深圳市科學技術協(xié)會黨組成員孫楠,，英國皇家工程院院士,、劍橋大學葛翰·阿馬拉通加（Gehan Amaratunga）教授，深圳大學微電子研究院院長,、半導體制造研究院院長王序進院士出席論壇并致辭,。
本次論壇共包括近十場主題技術演講，來自劍橋大學,、南京大學,、天津工業(yè)大學、Yole Développement,、比利時微電子研究中心,、采埃孚、天科合達,、漢磊科技,、古瑞瓦特,、基本半導體等中歐院校、科研機構以及知名企業(yè)的專家學者及技術大咖,，圍繞以碳化硅,、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料、新技術,、新設備,、新應用等前沿技術、市場熱點,、產業(yè)化進程和未來趨勢作了技術演講,，共同探討中歐第三代半導體行業(yè)最新技術和發(fā)展前景。
近年來,，深圳高度重視半導體產業(yè)的發(fā)展,，推動成立了第三代半導體器件重點實驗室、深圳清華大學研究院第三代半導體材料與器件研發(fā)中心,、南方科技大學深港微電子學院等科研機構,，聚集了基本半導體等一批第三代半導體領域的創(chuàng)新型企業(yè)。今年3月,，科技部正式批復《支持廣東省建設國家第三代半導體創(chuàng)新中心》,，支持設置深圳平臺，該中心聚焦第三代半導體關鍵核心技術的攻關和重大應用突破,，統(tǒng)籌全國優(yōu)勢力量,，為第三代半導體提供源頭技術供給，推動我國第三代半導體產業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升,。今年《深圳市政府工作報告》也明確指出,，將加快國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心等重大創(chuàng)新平臺的建設。
（中國粉體網編輯整理/山川）
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