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【原創(chuàng)】碳化硅基PK硅基氮化鎵:誰能在5G時(shí)代勝出?


來源:中國粉體網(wǎng)   山川

[導(dǎo)讀]  碳化硅基氮化鎵與硅基氮化鎵器件的出現(xiàn)為氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展注入了新的活力,,目前兩者之間的的技術(shù)和生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)出現(xiàn)。

中國粉體網(wǎng)訊  由于氮化鎵半導(dǎo)體在低功耗,、小尺寸等方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),,近年來在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。無論是在功率,,還是RF應(yīng)用領(lǐng)域,,它都代表著高功率和高性能應(yīng)用場(chǎng)景的未來,將在很大程度上替代砷化鎵和LDMOS,。

 

然而,,其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制,。于是,碳化硅基氮化鎵與硅基氮化鎵器件的出現(xiàn)為氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展注入了新的活力,。到2026年,,RF GaN器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過24億美元。目前GaN-on-SiC(碳化硅基氮化鎵)和GaN-on-Si(硅基氮化鎵)之間的的技術(shù)和生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)出現(xiàn),。


碳化硅基氮化鎵主導(dǎo),,硅基氮化鎵緊跟




在RF GaN行業(yè),一切都是從碳化硅基氮化鎵技術(shù)開始的,,它在20多年前即已推出,,現(xiàn)已成為RF功率應(yīng)用方面LDMOS和GaAs的有力競(jìng)爭(zhēng)者。除了軍用雷達(dá)領(lǐng)域的深度滲透,,它還是華為,、諾基亞、三星等電信原始設(shè)備制造商(OEM)5G大規(guī)模MIMO基礎(chǔ)設(shè)施的首選,。隨著全球加速5G部署,,碳化硅基氮化鎵有望在不久的將來取代硅基LDMOS在射頻市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。據(jù)Yole預(yù)計(jì),,到2026年,,GaN射頻市場(chǎng)將達(dá)到24億美元,2020-2026年復(fù)合年增長(zhǎng)率為18%,。其中,,碳化硅基氮化鎵射頻市場(chǎng)預(yù)計(jì)達(dá)到22億美元以上,預(yù)測(cè)期內(nèi)復(fù)合年增長(zhǎng)率為17%,。


作為一個(gè)主要挑戰(zhàn)者,,硅基氮化鎵商用仍在起步階段,有望提供經(jīng)濟(jì)高效和可擴(kuò)展的解決方案,。盡管截至2021年第二季度其市場(chǎng)容量很小,,但硅基氮化鎵PA(功率放大器)憑借大帶寬和小尺寸吸引了智能手機(jī)OEM。隨著創(chuàng)新廠商的重大技術(shù)進(jìn)步,,一些低于6GHz的5G手機(jī)型號(hào)很可能很快采用,,無疑將是硅基氮化鎵的一個(gè)里程碑。


兩條技術(shù)路線,,誰能在5G時(shí)代勝出


碳化硅基氮化鎵結(jié)合了碳化硅優(yōu)異的導(dǎo)熱性和氮化鎵高功率密度和低損耗能力,,襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運(yùn)行,結(jié)溫將隨RF功率緩慢升高,,RF性能更好,但價(jià)格明顯高于硅基氮化鎵,。


硅基氮化鎵生長(zhǎng)速度較快,,較容易擴(kuò)展到8英寸晶圓,;受限于襯底,目前仍是4英寸和6英寸晶圓,,8英寸還沒有商用,。




碳化硅基氮化鎵引領(lǐng)商用


目前業(yè)界超過95%商用RF GaN器件在采用碳化硅基氮化鎵工藝。在RF應(yīng)用方面,,Cree(Wolfspeed)實(shí)力最強(qiáng),,Cree在RF領(lǐng)域主要走碳化硅基氮化鎵路線,2019年5月,,它在美國北卡羅萊納州擴(kuò)建了一座先進(jìn)自動(dòng)化8英寸碳化硅晶圓工廠及一座材料超級(jí)工廠,,以此提升其碳化硅晶圓尺寸和市占率,并將碳化硅基氮化鎵先進(jìn)磊晶(Epitaxial)技術(shù)進(jìn)一步應(yīng)用于功率及RF元件,。


硅基氮化鎵的后來之勢(shì)


英特爾和MACOM是目前最活躍的RF GaN專利申請(qǐng)者,,主要聚焦硅基氮化鎵技術(shù)路線。


2018年,,MACOM和意法半導(dǎo)體(ST)合作將硅基氮化鎵引入主流RF市場(chǎng)和應(yīng)用,,ST6英寸平臺(tái)的制造規(guī)模、供應(yīng)安全性和波涌產(chǎn)能與MACOM硅基氮化鎵RF功率產(chǎn)品組合可滿足主流消費(fèi),、汽車和無線基站項(xiàng)目需求,。MACOM在ST制造的硅晶圓上開發(fā)GaN器件,硅基氮化鎵的預(yù)期突破性成本結(jié)構(gòu)和功率密度將使4G/LTE和大規(guī)模MIMO5G天線成為可能,。合作提高了硅基氮化鎵產(chǎn)能,,通過擴(kuò)大晶圓供應(yīng)支持5G無線網(wǎng)絡(luò)建設(shè),實(shí)現(xiàn)硅基氮化鎵的成本優(yōu)勢(shì),、規(guī)模經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)化,,滿足全球5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的需求。在擴(kuò)大MACOM貨源的同時(shí),,ST也可以在手機(jī),、無線基站和相關(guān)商業(yè)電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用以外的RF市場(chǎng)制造和銷售自己的硅基氮化鎵產(chǎn)品。


不管是碳化硅基氮化鎵,,還是硅基氮化鎵,,整個(gè)行業(yè)都在加速從4英寸到6英寸,甚至8英寸的演變,,率先發(fā)生的應(yīng)該是比較成熟和已經(jīng)大規(guī)模商用的碳化硅基氮化鎵技術(shù),。此外,頭部企業(yè)也在探索金剛石基氮化鎵器件技術(shù),。


參考來源:

[1]立厷.RF應(yīng)用:碳化硅基PK硅基氮化鎵

[2]高規(guī)格的痛苦面具,,GaN-On-SiC的未來.集微網(wǎng)

[3]碳化硅基PK硅基氮化鎵:誰是半導(dǎo)體應(yīng)用的贏家?.維科網(wǎng)


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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作者:山川

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