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【原創(chuàng)】氮化鋁陶瓷,,兩個關(guān)鍵難題,,必,!須,!解,!決,!


來源:中國粉體網(wǎng)   山川

[導讀]  要想提高氮化鋁陶瓷在實際應用中的熱導率,,兩個關(guān)鍵難題必須解決:一是降低氧雜質(zhì)原子的存在;二是實現(xiàn)致密燒結(jié),。

中國粉體網(wǎng)訊  氮化鋁陶瓷確實是個好材料,,它憑借高熱導率、低介電常數(shù),、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù),、高電阻、低密度,、熱化學穩(wěn)定性好,、機械性能良好、無毒等優(yōu)點,,在航空航天,、大規(guī)模集成電路等重要領(lǐng)域的應用有著巨大的優(yōu)勢。


其中高熱導率是氮化鋁陶瓷的“招牌”,,AlN陶瓷理論導熱率高達320W·m-1·K-1,,而在實際應用中遠遠達不到理論導熱量數(shù)值。我們知道,,氮化鋁屬于共價化合物,,其熱傳導是依靠晶格振動來實現(xiàn),。晶格振動的能量是量子化的,熱傳導可以看作連續(xù)性的非諧振彈性波通過聲子或熱能與聲子相互作用的量子來傳播,。氧與AlN有較強的親合力,,它會固溶到AlN的點陣中,近而形成鋁空位,。晶格呈現(xiàn)出非諧性,,影響散射聲子,引發(fā)熱導率惡化,。另外,,AlN熔點大于2200℃,原子自擴散系數(shù)小,,難以致密燒結(jié),,氣孔會降低聲子平均自由程。所以,,盡管氮化鋁的理論熱導率較為理想,,但由于雜質(zhì)和缺陷的存在使實際產(chǎn)品的熱導率遠達不到理論值。


因此,,要想提高熱導率,,兩個關(guān)鍵難題必須解決:一是降低氧雜質(zhì)原子的存在;二是實現(xiàn)致密燒結(jié),。


解決的主要辦法除了提高氮化鋁粉體純度以外,,在燒結(jié)過程中也有兩個關(guān)鍵點需要注意,那就是添加燒結(jié)助劑和選擇合適的燒結(jié)方式,。


燒結(jié)方式的選擇


氮化鋁陶瓷常用的燒結(jié)技術(shù)有無壓燒結(jié),、熱壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié),、微波燒結(jié)等,。其中無壓燒結(jié)是陶瓷燒結(jié)中最簡單也是最常見的一種燒結(jié)方法,但它必須配合燒結(jié)助劑完成燒結(jié)過程,。熱壓燒結(jié)有助于顆粒的接觸擴散和流動傳質(zhì)過程的進行,,從而降低燒結(jié)溫度和氣孔率。放電等離子燒結(jié)體內(nèi)每個顆粒均勻的自身發(fā)熱使顆粒表面活化,,因而具有很高的熱導率,可在短時間內(nèi)使燒結(jié)體致密化,。微波燒結(jié)是一種新型,、高效的燒結(jié)技術(shù),具有傳統(tǒng)燒結(jié)技術(shù)無可比擬的優(yōu)越性,。不添加任何燒結(jié)助劑的微波燒結(jié)法被認為是一條獲得AlN透明陶瓷非常有前途的低成本化技術(shù)途徑,。


添加助燒劑


燒結(jié)助劑為某些稀土金屬、堿土金屬和堿金屬等的化合物,例如:Y2O3,、CaO,、CaF2、Li2O等,。在燒結(jié)體系引入燒結(jié)助劑后,,一方面,它可與AlN粉末表面的氧化鋁反應,,形成低熔物,,產(chǎn)生液相,利用液相傳質(zhì)促進燒結(jié),,提高材料的致密度,;另一方面,燒結(jié)助劑與氧雜質(zhì)反應,,在晶界以Y-Al2O3和Ca-Al2O3化合物的形式析出,,降低AlN晶格的氧含量,起到純化晶格的作用,,從而提高AlN燒結(jié)體的熱導率,。


1、燒結(jié)助劑的選擇原則


選擇AlN陶瓷燒結(jié)助劑應遵循以下原則:




2,、常用的低溫復合燒結(jié)助劑體系


(1)Y2O3-CaO體系



表:不同燒結(jié)助劑體系燒結(jié)的AlN陶瓷材料的物理性能


(2)Y2O3-CaO-Li2O系




(3)CaF2-Y2O3


以CaF2-Y2O3為燒結(jié)助劑,,會發(fā)生如下反應:




在燒結(jié)過程中,AlF3升華,,Ca-N化合物以氣態(tài)的形式從AlN陶瓷排出,。最終,晶界相以鋁酸鹽相為主,。


研究表明,,以CaF2-Y2O3做助燒劑,添加劑的總量一定(4wt%)的情況下,,含3wt%的CaF2的AlN陶瓷具有最高的熱導率,。


(4)CaF2-YF3


YF3不引入氧,且比Y2O3有著較低的熔點,,因此可作為燒結(jié)助劑被使用,。


CaF2-YF3體系中,(Ca,,Y)F2固溶體在1200℃的低溫下形成,,使得CaYAl3O7和CaYAlO4由于Y2O3的缺少而在1650℃仍然難以生成。


因此在高溫下,,液態(tài)的(Ca,,Y)F2和Ca-Al-O化合物在AlN顆粒之間流動與重新分布,,使得其中的YF3有充足的機會與AlN顆粒表面的氧,從而有效地降低了AlN顆粒表面的氧含量,,減少了高溫下AlN晶格中氧缺陷的形成,。


參考來源:

[1]吳玉彪等.高導熱AlN陶瓷低溫燒結(jié)助劑的研究現(xiàn)狀

[2]馬雪剛等.氮化鋁陶瓷燒結(jié)助劑研究進展

[3]王超.低溫燒結(jié)氮化鋁陶瓷燒結(jié)助劑的研究進展

[4]張云.高導熱氮化鋁陶瓷燒結(jié)技術(shù)研究進展


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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