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意法半導(dǎo)體:取得重大突破,,已制造首批200mm碳化硅晶圓


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   山川

[導(dǎo)讀]  近日,全球半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)產(chǎn)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,,簡(jiǎn)稱ST)宣布,,其瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片,。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日,全球半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)產(chǎn)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,,簡(jiǎn)稱ST)宣布,,其瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片,這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型,。


(圖片來(lái)源:意法半導(dǎo)體官網(wǎng))

 

與 150mm晶圓相比,,200mm晶圓可增加產(chǎn)能,將制造集成電路可用面積幾乎擴(kuò)大1 倍,,合格芯片產(chǎn)量是150mm晶圓的1.8 – 1.9 倍,。SiC晶圓升級(jí)到200mm標(biāo)志著ST面向汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃取得重要的階段性成功,鞏固了ST在這一開(kāi)創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,,提高了電力電子芯片的輕量化和能效,,降低客戶獲取這些產(chǎn)品的總擁有成本。

 

據(jù)了解,,ST首批200mm SiC晶圓片質(zhì)量較好,,影響芯片良率和晶體位錯(cuò)的缺陷非常少。較低的缺陷率離不開(kāi)意法半導(dǎo)體碳化硅公司(前身是Norstel公司,,2019年被ST收購(gòu))在SiC硅錠生長(zhǎng)技術(shù)開(kāi)發(fā)方面的深厚積累和沉淀,。除了晶圓片滿足嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)外,SiC晶圓升級(jí)到200mm還需要對(duì)制造設(shè)備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)更換,。意法半導(dǎo)體正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作開(kāi)發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝,。

 

作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,碳化硅市場(chǎng)發(fā)展迅速,。與硅材料相比,,以碳化硅為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓,、耐高溫,、高頻、低能耗,、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),,可廣泛用于新能源汽車、5G通訊,、光伏發(fā)電,、軌道交通、智能電網(wǎng),、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域,。隨著下游行業(yè)對(duì)半導(dǎo)體功率器件輕量化、高轉(zhuǎn)換效率,、低發(fā)熱特性需求的持續(xù)增加,,SiC在功率器件中取代Si成為行業(yè)發(fā)展的必然,。

 

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈可分為三個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié),一是上游襯底,,二是中游外延片,,三是下游器件制造。從全球SiC器件開(kāi)發(fā)參與者來(lái)看,,目前以美國(guó),、歐洲、日本廠商為主,。當(dāng)中,,德國(guó)英飛凌、日本羅姆,、美國(guó)Cree(科銳)三家企業(yè)目前約占據(jù)90%的SiC市場(chǎng)份額,,處于三足鼎立的龍頭地位。羅姆曾在接受蓋世汽車采訪時(shí)表示,,與2019財(cái)年(截至2020年3月31日)相比,預(yù)計(jì)2024財(cái)年(截至2025年3月31日)的羅姆的SiC生產(chǎn)能力將提升5倍以上,。除了以上三家外,,意法半導(dǎo)體、安森美等國(guó)外半導(dǎo)體企業(yè)亦取得不錯(cuò)的進(jìn)展,。

 

目前,,碳化硅半導(dǎo)體飛速發(fā)展,其中新能源汽車成為主要驅(qū)動(dòng)力,。正如意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部總裁 Marco Monti 表示:“汽車和工業(yè)市場(chǎng)正在加快推進(jìn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化進(jìn)程,,SiC晶圓升級(jí)到200mm將會(huì)給我們的汽車和工業(yè)客戶帶來(lái)巨大好處。隨著產(chǎn)量擴(kuò)大,,提升規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益是很重要的,。在覆蓋整個(gè)制造鏈的內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)方面積累深厚的專業(yè)知識(shí),可以提高我們的制造靈活性,,更有效地控制晶圓片的良率和質(zhì)量改進(jìn),。”

 

在電氣化車輛上,,SiC功率半導(dǎo)體主要用于驅(qū)動(dòng)和控制電機(jī)的逆變器,、車載DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器(OBC)等,�,!澳壳埃妱�(dòng)車中的主驅(qū)逆變器仍以IGBT+硅FRD為主,,但考慮到未來(lái)電動(dòng)車需要更長(zhǎng)的行駛里程,、更短的充電時(shí)間和更高的電池容量,,在車用半導(dǎo)體中,碳化硅一定會(huì)是未來(lái)趨勢(shì),。

 

參考來(lái)源:

意法半導(dǎo)體制造首批200mm碳化硅晶圓. 意法半導(dǎo)體官網(wǎng),,中國(guó)粉體網(wǎng)


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

注:圖片非商業(yè)用途,存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除


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作者:山川

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