中國粉體網訊 隨著信息技術革命的到來,，集成電路產業(yè)飛速發(fā)展，電子系統(tǒng)集成度的提高將導致功率密度升高,，以及電子元件和系統(tǒng)整體工作產生的熱量增加,，因此，有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題,。
在此背景下,，陶瓷基板具備優(yōu)良的散熱性能使得市場對其需求快速爆發(fā)，尤其是氮化鋁陶瓷基板產品,，盡管價格遠高于其它基板,，仍是供不應求甚至“一片難求”，這是為什么呢,。
（圖片來源：中瓷電子）
原因很簡單,，小編認為有三點：其一，性能好,，用起來“香”,，物有所值，在某些領域無法替代,，一分錢一分貨的道理大家都懂,。其二，生產過程”歷經八十一難”,，得之不易,，對原材料要求高，制品制備工藝復雜,，生產門檻較高,。其三，市場發(fā)展迅速,，產能擴張速度跟不上需求增速,，供貨周期長，價格自然水漲船高,。今天我們就這三點進一步了解氮化鋁陶瓷基板,。
出色的導熱性能
首先,，封裝基板主要利用材料本身具有的高熱導率，將熱量從芯片 (熱源) 導出,，實現(xiàn)與外界環(huán)境的熱交換,。對于功率半導體器件而言，封裝基板必須滿足以下要求：
(1)熱導率高,，滿足器件散熱需求,；
(2)耐熱性好，滿足功率器件高溫(大于200°C)應用需求,；
(3)熱膨脹系數(shù)匹配,，與芯片材料熱膨脹系數(shù)匹配，降低封裝熱應力,；
(4)介電常數(shù)小,，高頻特性好，降低器件信號傳輸時間,，提高信號傳輸速率,；
(5)機械強度高，滿足器件封裝與應用過程中力學性能要求,；
(6)耐腐蝕性好,，能夠耐受強酸、強堿,、沸水,、有機溶液等侵蝕；
(7)結構致密,，滿足電子器件氣密封裝需求,。
氮化鋁性能如何呢？氮化鋁作為陶瓷基板材料其性能如下：
（1）氮化鋁的導熱率較高,，室溫時理論導熱率最高可達320W/(m·K),，是氧化鋁陶瓷的8～10倍，實際生產的熱導率也可高達200W/(m·K),，有利于LED中熱量散發(fā),，提高LED性能；
（2）氮化鋁線膨脹系數(shù)較小,，理論值為4.6×10-6/K,，與LED常用材料Si、GaAs的熱膨脹系數(shù)相近,，變化規(guī)律也與Si的熱膨脹系數(shù)的規(guī)律相似,。另外，氮化鋁與GaN晶格相匹配。熱匹配與晶格匹配有利于在大功率LED制備過程中芯片與基板的良好結合,，這是高性能大功率LED的保障；
（3）氮化鋁陶瓷的能隙寬度為6.2eV,，絕緣性好,，應用于大功率LED時不需要絕緣處理，簡化了工藝,；
（4）氮化鋁為纖鋅礦結構,，以很強的共價鍵結合，所以具有高硬度和高強度,，機械性能較好,。另外,，氮化鋁具有較好的化學穩(wěn)定性和耐高溫性能,，在空氣氛圍中溫度達1000℃下可以保持穩(wěn)定性,，在真空中溫度高達1400℃時穩(wěn)定性較好,，有利于在高溫中燒結,，且耐腐蝕性能滿足后續(xù)工藝要求,。
由以上看來，氮化鋁陶瓷具有高熱導率,、高強度,、高電阻率、密度小,、低介電常數(shù)、無毒,、以及與Si 相匹配的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異性能,，是最具發(fā)展前途的一種陶瓷基板材料,。
（圖片來源：中電科43所）
復雜繁瑣的生產過程
氮化鋁陶瓷基板的生產過程較為復雜繁瑣,，其主要體現(xiàn)在兩個方面，高端氮化鋁粉體的制備與基板的制備,。我們分別來了解下這兩方面,。
1、氮化鋁粉體
幾乎所有的陶瓷制品的質量都極大受到原材料品質的影響,，對氮化鋁陶瓷基板來說更是如此。
（1）粉體制備方法
目前制備氮化鋁粉體的方法主要有Al2O3粉碳熱還原法,、Al粉直接氮化法、自蔓延高溫合成法、化學氣相沉積法,、等離子體法等,。AlN粉體作為一種性能優(yōu)異的粉體原料,，國內外研究者通過不斷的科技創(chuàng)新來解決現(xiàn)有工藝存在的技術問題,，同時也在不斷探索新的,、更高效的制備技術,。目前最主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法,，這兩種工藝具有技術成熟,、設備簡單,、得到產品質量好等特點,，已在工業(yè)中得到大規(guī)模應用。
（來源：蔣周青等.氮化鋁粉體制備技術的研究進展）
（2）影響粉體性能因素較多
氮化鋁陶瓷產品的性能直接取決于原料粉體的特性,，尤其是氮化鋁最有價值的特性——導熱性。影響氮化鋁陶瓷導熱性的因素主要有：氧及其它雜質的含量,、燒結的致密度,、顯微結構等。而這些因素體現(xiàn)在氮化鋁粉體上則為：氮化鋁的純度,、顆粒的粒徑,、顆粒的形狀等參數(shù)上。
（3）易水解,，難存儲運輸,，需對粉體進一步改性處理
相比氮化鋁的其它優(yōu)異性能，氮化鋁粉體有個大問題就是容易水解,。它在潮濕的環(huán)境極易與水中羥基形成氫氧化鋁，在AlN粉體表面形成氧化鋁層,，氧化鋁晶格溶入大量的氧,，降低其熱導率，而且也改變其物化性能,，給AlN粉體的應用帶來困難,。目前的應對方法是，借助化學鍵或物理吸附作用在AlN顆粒表面涂覆一種物質,，使之與水隔離,，從而避免其水解反應的發(fā)生。抑制水解處理的方法主要有：表面化學改性和表面物理包覆,。
（來源：潮州三環(huán)）
2,、基板制備
（1）陶瓷基片的成型
流延成型制備氮化鋁陶瓷基片的主要工藝，將氮化鋁粉料,、燒結助劑,、粘結劑、溶劑混合均勻制成漿料,，通過流延制成坯片,，采用組合模沖成標準片,，然后用程控沖床沖成通孔，用絲網印刷印制金屬圖形,，將每一個具有功能圖形的生坯片疊加,，層壓成多層陶瓷生坯片，在氮氣中約700℃排除粘結劑,，然后在1800℃氮氣中進行共燒,，電鍍后即形成多層氮化鋁陶瓷。此外,，氮化鋁基板的成型方式還有注射成型,、流延等靜壓成型等。
（2）關鍵步驟-燒結
燒結可以說是氮化鋁基板制備中至關重要的一步,，主要牽扯到燒結方式的選擇,、燒結溫度的控制、燒結助劑的添加,、燒結氣氛的控制等,。
目前AlN基片較常用的燒結工藝一般有5種，即熱壓燒結,、無壓燒結,、放電等離子燒結(SPS)、微波燒結和自蔓延燒結,。AlN陶瓷基片一般采用無壓燒結,，該燒結方法是一種最普通的燒結，雖然工藝簡單,、成本較低,，但燒結溫度一般偏高，在不添加燒結助劑的情況下,，一般無法制備高性能陶瓷基片,。
在燒結爐中，燒結溫度的均勻性深刻影響著AlN陶瓷,。燒結溫度均勻性的研究也為大批量生產、降低生產成本提供了保障,，有利于實現(xiàn)AlN陶瓷基片產品的商業(yè)化生產,。
（圖片來源：正天新材）
對于陶瓷致密燒結，添加助燒劑無疑是最為經濟,、有效的方法,。AlN陶瓷基板可選用的燒結助劑有CaO、Li2O、B2O3,、Y2O3,、CaF2、CaC2以及CeO2等,。這些材料在燒結過程發(fā)揮著雙重作用，首先與表面的Al2O3結合生成液相鋁酸鹽,，在粘性流動作用下,，加速傳質，晶粒周圍被液相填充,，原有的粉料相互接觸角度得以調整，填實或者排出部分氣孔,，促進燒結。同時助燒劑可與氧反應,，降低晶格氧含量,。
在AlN陶瓷的燒結工藝中，燒結氣氛的選擇也十分關鍵的,。一般的AlN陶瓷燒結氣氛有3種：還原型氣氛,、弱還原型氣氛和中性氣氛。還原性氣氛一般為CO,，弱還原性氣氛一般為H2,，中性氣氛一般為N2,。在還原氣氛中,，AlN陶瓷的燒結時間及保溫時間不宜過長,，燒結溫度不宜過高,，以免AlN被還原。在中性氣氛中不會出現(xiàn)上述情況,，所以一般選擇在氮氣中燒結,，這樣可以獲得性能更好的AlN陶瓷。
市場狀況
在粉體方面,，目前掌握高性能氮化鋁粉生產技術的廠家并不多,，主要分布在日本、德國和美國,。日本的德山化工生產的氮化鋁粉被全球公認為質量最好,、性能最穩(wěn)定,，公司控制著高純氮化鋁全球市場75%的份額。日本東洋鋁公司的氮化鋁粉性能較好,，在日本和中國受到不少客戶的青睞,。
在國內，開展AlN粉研究,、生產的廠家也有一些,，主要有中電科第43所、國瓷材料,、廈門鉅瓷,、寧夏艾森達新材料科技有限公司、寧夏時星科技有限公司,、煙臺同立高科新材料股份有限公司,、遼寧德盛特種陶瓷制造有限公司、山東鵬程陶瓷新材料科技有限公司,、三河燕郊新宇高新技術陶瓷材料有限公司,、福建施諾瑞新材料有限公司、晉江華清新材料科技有限公司等,。
但是由于國內氮化鋁粉末行業(yè)發(fā)展時間晚,，產業(yè)化時間短，產量很低,，粉體性能與國外相比也存在較大差距,，只能滿足國內部分市場的需求。
而在陶瓷基片方面,，我國氮化鋁陶瓷基片生產企業(yè)規(guī)模較小,，研發(fā)投入資金有限，技術人員較少且經驗不足,，導致我國氮化鋁陶瓷基片行業(yè)整體水平較低,，產品缺乏競爭力，以中低端產品為主,，高端氮化鋁基片同樣依賴于進口,。日本有多家企業(yè)研發(fā)和生產氮化鋁陶瓷基片，是全球最大的氮化鋁陶瓷基片生產國,，主要研發(fā)生產氮化鋁陶瓷基片產品的公司包括如京瓷,、日本特殊陶業(yè)、住友金屬工業(yè),、富士通,、東芝、日本電氣等。由于氮化鋁陶瓷基片的特殊技術要求,，加上設備投資大,、制造工藝復雜，高端氮化鋁陶瓷基片核心制造技術被日本等國家的幾個大公司掌控,。
目前我國在加力追趕階段,，國內已有福建華清電子材料科技有限公司、中電科四十三所,、三環(huán)集團,、河北中瓷、合肥圣達電子,、浙江正天新材料,、深圳市佳日豐泰電子、寧夏艾森達,、寧夏時星,、福建臻璟、江蘇富樂德,、南京中江等多個企業(yè)實現(xiàn)了氮化鋁陶瓷基板的國產化,，隨著中國下游電子產業(yè)的不斷發(fā)展，未來氮化鋁基板的市場需求也會隨之增長,；此外,，隨著我國氮化鋁基板生產技術的不斷提升，氮化鋁基板產品也將不斷升級,，將會進一步推動其應用領域的拓展,，需求規(guī)模也會得到擴張。整體來看,，未來中國氮化鋁基板行業(yè)發(fā)展前景十分廣闊,。
參考來源：
[1]程 浩，陳明祥等.電子封裝陶瓷基板
[2]蔣周青等.氮化鋁粉體制備技術的研究進展
[3]劉戰(zhàn)偉等.氮化鋁粉末的制備方法及影響因素
[4]李友芬等.AlN陶瓷燒結技術研究進展
[5]張云等.高導熱氮化鋁陶瓷燒結技術研究進展
（中國粉體網編輯整理/山川）
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