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【原創(chuàng)】碳化硅半導(dǎo)體市場(chǎng)火爆,,哪些企業(yè)能搶占先機(jī),?


來源:中國(guó)粉體網(wǎng)   初末

[導(dǎo)讀]  第三代半導(dǎo)體材料是我國(guó)“新基建”戰(zhàn)略的重要組成部分,,作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,,碳化硅具有非常卓越的性能,在未來新基建中有著巨大的市場(chǎng)前景,。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  第三代半導(dǎo)體材料是我國(guó)“新基建”戰(zhàn)略的重要組成部分,,作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,碳化硅具有非常卓越的性能,,在未來新基建中有著巨大的市場(chǎng)前景,。




碳化硅半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯,市場(chǎng)迎來快速增長(zhǎng)


作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,,碳化硅市場(chǎng)發(fā)展迅速,。與硅材料相比,以碳化硅為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率,、耐高壓,、耐高溫、高頻,、低能耗,、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),可廣泛用于新能源汽車,、5G通訊,、光伏發(fā)電、軌道交通,、智能電網(wǎng),、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域。隨著下游行業(yè)對(duì)半導(dǎo)體率器件輕量化,、高轉(zhuǎn)換效率,、低發(fā)熱特性需求的持續(xù)增加,SiC在功率器件中取代Si成為行業(yè)發(fā)展的必然,。


不同半導(dǎo)體材料性能對(duì)比



2014年全球碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)僅為1.2億美元,,隨著混合動(dòng)力車、電動(dòng)車,、電源供應(yīng)裝置與太陽(yáng)能電力轉(zhuǎn)換器等市場(chǎng)需求不斷增加,,全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從2017年的3.02億美元快速增長(zhǎng)至2023年的13.99億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)29%,。到2020年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到35億元人民幣,,并以40%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率繼續(xù)快速增長(zhǎng)。


碳化硅半導(dǎo)體寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局明顯


碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈可分為三個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié),,一是上游襯底,,二是中游外延片,三是下游器件制造,�,?v觀整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè),美日歐呈現(xiàn)三足鼎立態(tài)勢(shì),,寡頭競(jìng)爭(zhēng)局面明顯,。20世紀(jì)80年代以來,美,、日,、歐等發(fā)達(dá)國(guó)家為保持航天、軍事和技術(shù)強(qiáng)國(guó)地位,,始終將寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)放在極其重要的戰(zhàn)略地位,,投入巨資實(shí)施了多項(xiàng)旨在提升裝備系統(tǒng)能力。這些國(guó)家和地區(qū)在碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域,,已走在世界前列,。SiC半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司,、GE和日本羅姆公司,、豐田公司等為代表。


美國(guó):早在1997年制定的“國(guó)防與科學(xué)計(jì)劃”中,,美國(guó)就明確了寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展目標(biāo),。2014年美國(guó)又主導(dǎo)成立了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟,全力支持寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)。美國(guó)在SiC領(lǐng)域全球獨(dú)大,,并且占有全球SiC市場(chǎng)70-80%的產(chǎn)量,,擁有Cree、道康寧等具有很強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè),,Cree公司占據(jù)領(lǐng)跑者的位置,。


日本:從1998年開始,日本政府持續(xù)資助寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)研究,。2013年,,日本將SiC材料體系納入“首相戰(zhàn)略”,認(rèn)為未來50%的節(jié)能要通過SiC器件來實(shí)現(xiàn),,以便創(chuàng)造清潔能源的新時(shí)代,。日本企業(yè)在設(shè)備和模塊開發(fā)方面具備優(yōu)勢(shì),典型企業(yè)為羅姆半導(dǎo)體,、三菱電機(jī),、富士電機(jī)、松下等,。


歐洲:2014年,,歐盟啟動(dòng)為期3年(2014-2017年)的,應(yīng)用于高效電力系統(tǒng)的SiC電力技術(shù)研究計(jì)劃(SPEED),,總投入達(dá)1858萬歐元,,7個(gè)國(guó)家的12家研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與了該計(jì)劃。歐洲擁有完整的SiC襯底,、外延,、器件、應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,,擁有英飛凌,、意法半導(dǎo)體、Sicrystal,、Ascatronl,、IBS、ABB等優(yōu)秀半導(dǎo)體制造商,,在全球電力電子市場(chǎng)擁有強(qiáng)大話語(yǔ)權(quán),。


國(guó)內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體企業(yè)正全力趕超


與美日歐相比之下,我國(guó)碳化硅企業(yè)在技術(shù),、產(chǎn)能等方面雖然仍有欠缺,,但當(dāng)前我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已初具規(guī)模,具備將碳化硅產(chǎn)業(yè)化的基礎(chǔ),,國(guó)內(nèi)企業(yè)有望在本土市場(chǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)彎道超車,,一些代表性的企業(yè)如天科合達(dá),、山東天岳,、河北同光等競(jìng)爭(zhēng)力不斷提高,。


天科合達(dá)


北京天科合達(dá)在碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶體加工,、生長(zhǎng)設(shè)備和制造方面深耕多年,,工藝技術(shù)水平處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位,。2006年,,該公司建立了國(guó)內(nèi)第一條碳化硅晶片中試生產(chǎn)線,。經(jīng)過幾年發(fā)展,天科合達(dá)在國(guó)內(nèi)率先研制出6英寸碳化硅晶片,。目前,,天科合達(dá)已實(shí)現(xiàn)2英寸至6英寸碳化硅晶片產(chǎn)品的規(guī)模化供應(yīng),。


天科合達(dá)主要產(chǎn)品包括碳化硅晶片,、其他碳化硅產(chǎn)品和碳化硅單晶生長(zhǎng)爐。其中,,碳化硅晶片為核心產(chǎn)品,,2019年?duì)I收達(dá)到0.7億元、占2019年總營(yíng)收的48.12%,;2020年第一季度營(yíng)收為0.2億元,,占2020年第一季度營(yíng)收的62.83%。2020年7月14日,,上交所正式受理了天科合達(dá)科創(chuàng)板上市申請(qǐng),。


山東天岳


山東天岳公司成立于2010年11月,是以碳化硅半導(dǎo)體襯底材料為主的高新技術(shù)企業(yè),。公司投資建成了第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化基地,,具備研發(fā)、生產(chǎn)國(guó)際先進(jìn)水平的半導(dǎo)體襯底材料的軟硬件條件,,是我國(guó)第三代半導(dǎo)體襯底材料行業(yè)的先進(jìn)企業(yè),。山東天岳碳化硅產(chǎn)品主要有4H-導(dǎo)電型碳化硅襯底材料,其規(guī)格有2英寸,、3英寸,、4英寸以及6英寸,今后可以廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件,、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED),,以及諸如5G通訊、物流網(wǎng)等微波通訊領(lǐng)域,。


河北同光


河北同光晶體有限公司成立于2012年,,主要從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅襯底的研發(fā)和生產(chǎn)。公司主要產(chǎn)品包括4英寸和6英寸導(dǎo)電型、半絕緣碳化硅襯底,,其中4英寸襯底已達(dá)到世界先進(jìn)水平,。目前,公司已建成完整的碳化硅襯底生產(chǎn)線,,是國(guó)內(nèi)著名的碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè),。


參考資料:

楊璽、蘇丹等.簡(jiǎn)析碳化硅在半導(dǎo)體行業(yè)中的發(fā)展?jié)摿?/p>

賀東葛,、王家鵬等.碳化硅半導(dǎo)體材料應(yīng)用及發(fā)展前景

芯東西.華為入股,!國(guó)產(chǎn)碳化硅晶片龍頭沖刺科創(chuàng)板

中泰證券.《寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)深度:SiC與GaN的興起與未來》

樂晴智庫(kù).碳化硅:第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料


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