中國粉體網(wǎng)訊  1956年,，在我國十二年科學技術發(fā)展遠景規(guī)劃中,，半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一。為了創(chuàng)建中國半導體科學技術的研究發(fā)展基地,，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所（以下簡稱半導體所）,，開啟了中國半導體科學技術的發(fā)展之路。 

研究所概況

半導體所秉承“以人為本,、創(chuàng)新跨越,、唯真求實、和諧發(fā)展”的辦所理念,，奮斗不息,，勇攀高峰，取得了快速發(fā)展,，研究所已逐漸發(fā)展成為集半導體物理,、材料、器件研究及其系統(tǒng)集成應用于一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究機構,。

半導體所的中長期發(fā)展戰(zhàn)略目標是：開展與國家發(fā)展密切相關的,、世界科技前沿的基礎性、前瞻性,、戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新活動,，為發(fā)展我國的高新技術提供源源不斷的動力；以國家重大需求為導向,，開展前沿基礎和應用技術研究,，為國家科技發(fā)展提供支撐，并為相關行業(yè)的技術進步作出貢獻,；吸引,、聚集和培養(yǎng)國際一流人才；建立具有國際先進水平的,、開放的實驗研究和測試平臺,，實現(xiàn)科技創(chuàng)新能力的跨越和持續(xù)發(fā)展，成為引領我國半導體科學技術發(fā)展的火車頭,。

研究所歷史

1956年,，成立中國科學院物理研究所半導體研究室；

1957年秋天，半導體研究室拉制成功了中國第一根鍺單晶,；

1958年初秋,，在林蘭英帶領下，中國的第一根硅單晶誕生,；

1960年9月6日,，在中國科學院物理研究所半導體研究室基礎上成立中國科學院半導體研究所，隸屬于中國科學院,；

1975年,，恢復中國科學院半導體研究所名稱，隸屬于中國科學院,；

2006-2009年,，連續(xù)四次獲得“中央國家機關文明單位”榮譽稱號,；

2009年起,，半導體所新增材料工程、電子與通信工程,、集成電路工程3個專業(yè)學位碩士研究生（工程碩士）培養(yǎng)點,；

2012年3月，半導體所申報的物理學,、材料科學與工程,、電子科學與技術三個一級學科博士培養(yǎng)點獲得中國科學院通過；

2015年12月,，英國《自然》出版集團以增刊方式發(fā)布了《2015中國自然指數(shù)》(NatureIndex2015China),，半導體所位列第40名；

2016年3月5日,，“半導體科技發(fā)展”技術科學論壇在中國科學院半導體研究所學術會議會議中心召開,；

2016年5月，獲“2015年度中科院決算編制工作先進單位”稱號,。

研究部門

半導體所擁有兩個國家級研究中心-國家光電子工藝中心,、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室-半導體超晶格國家重點實驗室,、集成光電子學國家重點聯(lián)合實驗室,、表面物理國家重點實驗室（半導體所區(qū)）；三個院級實驗室（中心）-半導體材料科學重點實驗室,、中科院半導體照明研發(fā)中心和中科院固態(tài)光電信息技術重點實驗室,。此外，還設有半導體集成技術工程研究中心,、光電子研究發(fā)展中心,、高速電路與神經(jīng)網(wǎng)絡實驗室、納米光電子實驗室、光電系統(tǒng)實驗室,、全固態(tài)光源實驗室和元器件檢測中心,。

研究團隊

中國科學院院士：王啟明、鄭厚植,、王占國,、王圩、夏建白,、李樹深,、常凱。

中國工程院院士：梁駿吾,、陳良惠,。

半導體所現(xiàn)有職工680余名。其中科技人員約500名,。包括中國科學院院士7名,，中國工程院院士2名，海外高端人才28人,，國家“萬人計劃”入選者3人,，國家杰出青年科學基金獲得者16人，“百千萬人才工程”入選者11人,，其中黃昆院士榮獲2001年國家最高科學技術獎,。設有3個博士后流動站，3個一級學科博士培養(yǎng)點,，3個工程碩士培養(yǎng)點,。

科研成果

2001年，黃昆獲國家最高科學技術獎,。

2008-2013年,，共申請專利千余項，授權677項,，每年SCI論文300篇以上,。2006-2009年，研究所分別以技術入股,、專利許可,、技術授權等方式轉讓專利和專有技術58項，技術開發(fā)合同123項,，技術開發(fā)合同及轉讓收入2.62億元,。截至2013年，研究所半導體材料制備與器件研制領域共獲得127項專利,，全固態(tài)激光器系統(tǒng)領域共獲得13項專利,，半導體光收發(fā)器件、光電子集成及光電傳感器件、無源器件研制領域共獲得306項專利,，智能計算系統(tǒng)與模式識別領域共獲得14項專利,，半導體加工與測試工藝領域共獲得28項專利，激光成像系統(tǒng)領域共獲得12項專利,，高亮度發(fā)光二極管（LED）工藝與設備領域共獲得26項專利,，集成電路設計與測試領域共獲得36項專利，太陽能電池技術領域共獲得25項專利,。

1985-2015年,，研究所獲北京市科技進步獎1項、北京市科學技術獎6項,、北京市科學技術進步獎1項,、北京市星火科技獎1項、高等學�,？茖W研究優(yōu)秀成果獎（科學技術）科技進步獎1項,、國家技術發(fā)明獎3項、國家科技進步獎2項,、國家科學技術進步獎19項,、國家自然科學獎4項、河北省技術發(fā)明獎1項,、化學工業(yè)部科技進步獎1項、機電部科技進步獎2項,、省部技術發(fā)明獎1項,、省部科學技術進步獎1項、省部自然科學獎1項,、天津市科技合作獎1項,、天津市科技進步獎2項、鐵道部科技進步獎2項,、中國電子學會科學技術獎2項,、中華農業(yè)科技獎1項、中科院科技進步獎75項,、中科院自然科學獎23個,。2010-2015年，以技術入股,、專利許可,、技術授權等方式轉讓專利和專有技術44項，技術合同253項,，橫向收入4.8億元,。

資料來源：中國科學院半導體研究所官網(wǎng)

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