中國粉體網(wǎng) 近日，北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司（以下簡稱“北方華創(chuàng)”）宣布，其THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉積設(shè)備Move in國內(nèi)集成電路制造龍頭企業(yè),。該設(shè)備的交付,，意味著國產(chǎn)立式LPCVD設(shè)備在先進集成電路制造領(lǐng)域的應(yīng)用拓展上實現(xiàn)重大進展。
化學氣相沉積（CVD）技術(shù)是用來制備高純,、高性能固體薄膜的主要技術(shù),。在典型的CVD工藝過程中，把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,，在外部能量作用下發(fā)生化學反應(yīng)并在襯底表面形成需要的薄膜,。由于CVD技術(shù)具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點,，被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜,。
據(jù)北方華創(chuàng)的介紹，低壓化學氣相淀積（LPCVD）是在低壓和特定溫度條件下通過氣體混合發(fā)生化學反應(yīng),，在硅片表面淀積一層固體膜的工藝,。例如：氮化硅薄膜淀積、多晶硅薄膜淀積,、非晶硅薄膜淀積,、二氧化硅薄膜淀積等。
在集成電路制造技術(shù)特征尺寸越來越小的趨勢下,，立式LPCVD爐管設(shè)備（300mm/200mm）的溫度均勻性差,、顆粒控制指標,，對產(chǎn)品電氣特性和良率將產(chǎn)生越來越大的影響,，因而對高端LPCVD爐管設(shè)備的性能提出了更高的要求，包括高精度溫度場控制,、高精度壓力控制,、良好的工藝均勻性、先進的顆�,？刂萍夹g(shù),、完整的工廠自動化接口、高速的數(shù)據(jù)采集算法等,。對未來技術(shù)發(fā)展而言,，會出現(xiàn)更高均勻性、更少顆粒,、更高產(chǎn)能,、更智能控制的進一步需求，這些需求將帶來對高端LPCVD爐管設(shè)備進一步的挑戰(zhàn),。
氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料,。作為非晶絕緣物質(zhì)，氮化硅膜的介質(zhì)特性優(yōu)于二氧化硅膜，具有對可動離子阻擋能力強,、結(jié)構(gòu)致密,、針孔密度小、化學穩(wěn)定性好,、介電常數(shù)高等優(yōu)點,，常用于集成電路制造中的介質(zhì)絕緣、雜質(zhì)掩蔽,、淺溝道隔離,、掩膜、外層鈍化保護等工藝,。作為一種性能優(yōu)良的重要介質(zhì)材料,，在集成電路制造領(lǐng)域，氮化硅薄膜廣泛使用LPCVD類型設(shè)備制備,，而顆�,？刂扑绞窃O(shè)備能力的一項重要指標。
（圖片來源：北方華創(chuàng)）
北方華創(chuàng)在氮化硅工藝設(shè)備THEORIS SN302D的開發(fā)過程中,，通過整合已有產(chǎn)品平臺技術(shù),，針對性地研發(fā)了快速升降溫加熱技術(shù)和爐口氣流優(yōu)化技術(shù)，良好地解決了氮化硅工藝過程中顆�,？刂撇环�(wěn)的技術(shù)性難題,。并在滿足常規(guī)生產(chǎn)能力的基礎(chǔ)上，為提升客戶使用的附加價值,，進一步開發(fā)了長恒溫區(qū)反應(yīng)腔室設(shè)計,，實現(xiàn)了高產(chǎn)能的硬件技術(shù)解決方案，匹配市場的多樣化需求,。
據(jù)了解,，北方華創(chuàng)是由北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司和北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司戰(zhàn)略重組而成，是目前國內(nèi)集成電路高端工藝裝備的先進企業(yè),。經(jīng)過10余年的創(chuàng)新發(fā)展,，北方華創(chuàng)立式爐從無到有，從設(shè)備研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化,，目前已形成氧化（Oxide）,、退火（Anneal）、化學氣相沉積（LPCVD）,、合金（Alloy）四大系列工藝設(shè)備,，設(shè)備性能達到國際同類產(chǎn)品的先進水平。
資訊來源：北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司官網(wǎng)
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