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超細(xì)氮化硅粉團(tuán)聚不要怕,,解決了就能用


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)訊   漫道

[導(dǎo)讀]  特別是由于Si3N4粉體較大的表面能,極易發(fā)生團(tuán)聚,。如何提高Si3N4粉體分散性就成為制備Si3N4粉體之后必須要面對(duì)的問(wèn)題,。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  新型陶瓷材料作為一種新材料,對(duì)振興經(jīng)濟(jì),、鞏固國(guó)防和社會(huì)發(fā)展具有戰(zhàn)略性的影響,。氮化硅(Si3N4)是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料,其不僅具有優(yōu)良的電學(xué),、熱學(xué)和機(jī)械性質(zhì),,還具備了抗熱震性好、耐高溫蠕變,、自潤(rùn)滑好,、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)良的性質(zhì),被廣泛應(yīng)用于諸多關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域,。

 

理想的Si3N4粉體材料應(yīng)該具有高純度,、細(xì)粒度、以及良好的分散性。尤其是超細(xì)粉體的分散性,,一直是制約著制品性能和下游應(yīng)用的關(guān)鍵因素,。特別是由于Si3N4粉體較大的表面能,極易發(fā)生團(tuán)聚,。如何提高Si3N4粉體分散性就成為制備Si3N4粉體之后必須要面對(duì)的問(wèn)題,。

 

氮化硅粉體的制備方法


 

氮化硅粉體是制備氮化硅陶瓷的原料,是決定氮化硅陶瓷性能好壞的關(guān)鍵因素,。高質(zhì)量的氮化硅粉體是制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的首要條件,,目前制備氮化硅粉體的方法有以下幾種。

 

(1)硅粉直接氮化法

 

硅粉直接氮化法是一種傳統(tǒng)的方法,,它的制備工藝已經(jīng)逐漸成熟,,目前已被用于工業(yè)化生產(chǎn),。該方法是利用高純Si粉在高溫下和N2反應(yīng)生成氮化硅粉體,。

 

在該方法中,氮?dú)馐堑膩?lái)源,,因此所通氣體的種類,、流量等參數(shù)對(duì)硅粉氮化工藝和最終產(chǎn)物均有重要影響。另外硅粉粒度,、氮化熱處理工藝等參數(shù)對(duì)Si粉氮化產(chǎn)物也有影響,。

 

(2)碳熱還原法

 

碳熱還原法制備氮化硅粉體具有原料豐富、價(jià)格低廉,、工藝簡(jiǎn)單,、生產(chǎn)規(guī)模大等優(yōu)點(diǎn),且此法制備的Si3N4粉體顆粒細(xì),、α-Si3N4含量高,。

 

(3)化學(xué)氣相沉積法

 

化學(xué)氣相沉積法也是制備Si3N4的重要方法,化學(xué)氣相沉積法反應(yīng)速度快,,產(chǎn)物純度高,、顆粒細(xì),同時(shí)可以讓反應(yīng)得到的產(chǎn)物直接沉淀到指定的基體上形成氮化硅涂層,,但也存在氣相反應(yīng)劇烈,,難于控制的問(wèn)題。

 

(4)溶膠—凝膠法

 

利用溶膠-凝膠法可制得高純超細(xì),、低成本的氮化硅粉體,,但設(shè)備昂貴、工藝復(fù)雜,。

 

(5)熱分解法

 

熱解法的關(guān)鍵是要獲得高純度的亞氨基硅[Si(NH)2]和氨基硅[Si(NH)4],,該方法的優(yōu)點(diǎn)是得到的產(chǎn)物純度高,顆粒細(xì)并且均勻。

 

(6)自蔓延高溫合成法

 

自蔓延高溫合成法的原理是當(dāng)反應(yīng)物一旦被引燃,,便會(huì)自動(dòng)向尚未反應(yīng)的區(qū)域傳播,,直至反應(yīng)完全。具有合成產(chǎn)物純度高,、反應(yīng)周期短,,生產(chǎn)效率高、設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單,,投資少,,通用性強(qiáng),無(wú)污染的優(yōu)點(diǎn),。

 

超細(xì)氮化硅粉體分散技術(shù)

 

(1)超聲分散

 

超聲分散是一種強(qiáng)度很高的分散手段,,其過(guò)程是用適當(dāng)頻率和功率的超聲波處理顆粒懸浮液使團(tuán)聚體打開(kāi),促進(jìn)粉體顆粒分散,。

 

被分散顆粒的粒徑?jīng)Q定了最佳的超聲頻率,。此外,超聲時(shí)間和超聲功率也是影響分散效果的重要因素,。

 

(2)機(jī)械分散

 

機(jī)械分散是一種通過(guò)機(jī)械能如外部剪切力和沖擊力將超細(xì)粉末顆粒分散在介質(zhì)中的方法,。機(jī)械分散法因操作簡(jiǎn)單、成本低等優(yōu)點(diǎn)是目前最常用超細(xì)粉體分散方法之一,。

 

但其也存在一些顯著的缺點(diǎn),,拿球磨法來(lái)說(shuō),其最大的缺點(diǎn)就是在研磨過(guò)程中,,物料,、磨球與球磨罐之間的劇烈撞擊導(dǎo)致磨損很大,磨損的材料進(jìn)入漿液并變成難以除去的雜質(zhì),,這不可避免地對(duì)漿液的純度產(chǎn)生不利影響,。此外,在某些特定情況下,,球磨過(guò)程還會(huì)改變粉體的物理化學(xué)性質(zhì),。

 

(3)表面活性劑或有機(jī)大分子吸附改性

 

常用的分散劑主要有表面活性劑、小分子量無(wú)機(jī)電解質(zhì)或無(wú)機(jī)聚合物,、大分子聚合物類和偶聯(lián)劑類四種類型,。

 

分散劑促進(jìn)顆粒分散的作用機(jī)理是其在粉體顆粒表面吸附,改善顆粒與介質(zhì)的相容性,,從而改變顆粒和介質(zhì),,顆粒和顆粒之間的相互作用,增加顆粒之間的排斥力,,阻礙顆粒之間的團(tuán)聚,。

 

(4)表面接枝反應(yīng)

 

粉體表面接枝聚合物改性可以很好的克服分散劑吸附困難的問(wèn)題,,大部分陶瓷粉體表面都存在游離的羥基,通過(guò)酸處理或堿處理可方便的獲得表面羥基,。

 

在表面羥基的基礎(chǔ)上,,嫁接與溶劑相容性較好的有機(jī)物分子,可方便的改變粉體顆粒表面性質(zhì),,而達(dá)到較好的分散效果,。

 

(5)粉體表面包覆技術(shù)

 

通過(guò)一定的方式,在無(wú)機(jī)粉體顆粒表面生長(zhǎng)出一層或多層包覆膜結(jié)構(gòu)以達(dá)到改善粉體表面性質(zhì)的目的,。其主要的包覆方法主要包括物理包覆和化學(xué)包覆法,。

 

結(jié)語(yǔ)

 

氮化硅陶瓷被認(rèn)為是未來(lái)最有潛力的大功率散熱基板材料,此外,,Si3N4陶瓷還可應(yīng)用于超細(xì)研磨,、高性能切割刀具和冶金領(lǐng)域等諸多關(guān)系社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域。相信在進(jìn)一步解決了氮化硅粉體的團(tuán)聚問(wèn)題后,,氮化硅陶瓷一定能發(fā)展出更廣闊的市場(chǎng),。

 

參考來(lái)源

劉雄章.納米氮化硅粉體的制備及其顯微形貌分析

陳銀娟等.氮化硅陶瓷的熔鹽腐蝕研究進(jìn)展

劉鵬飛.超細(xì)氮化硅粉體水相分散性研究

馬躍等.利用離心沉降法測(cè)定氮化硅粉末粒度分布

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