中國粉體網(wǎng)訊 無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品,，如計算機,、移動電話或是數(shù)字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關(guān)聯(lián),。我國研究半導體的專家有哪些呢？
中國科學院：吳德馨院士
主要從事化合物半導體異質(zhì)結(jié)晶體管和電路的研究,，包括0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)高遷移率場效應晶體管,、砷化鎵/銦鎵磷HBT晶體管，氮化鎵/鋁鎵氮異質(zhì)結(jié)場效應功率晶體管和研制成功砷化鎵/銦鎵磷HBT光發(fā)射驅(qū)動電路,。
在國內(nèi)率先提出了利用MEMS結(jié)構(gòu)實現(xiàn)激光器和光纖的無源耦合,。并研究成功工作速率達10Gbps的光發(fā)射模塊。其中“先進的深亞微米工藝技術(shù)及新型器件”獲2003年北京市科學技術(shù)一等獎,。
獨立自主開發(fā)成功全套0.8微米CMOS工藝技術(shù),。獲1998年中科院科技進步一等獎和1999年國家科技進步二等獎。作為國家攀登計劃首席科學家負責“深亞微米結(jié)構(gòu)器件及介觀物理項目研究,。開展了12項課題的研究,。為介觀物理基礎和新結(jié)構(gòu)器件的進一步研究打下基礎。
西安電子科學科技大學：郝躍教授
郝躍教授長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件,、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng),，是國家重大基礎研究(973)計劃項目首席科學家、國家有突出貢獻的中青年專家和微電子技術(shù)領域的著名專家,。他在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體照明短波長光電材料與器件研究和推廣,、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果,。
中國科學院上海技術(shù)物理研究所：陸衛(wèi)研究員
主要研究領域是光電子學，半導體物理學和固體光譜學,。研究方向為光電子材料與器件及其相關(guān)凝聚態(tài)物理研究,，光子晶體及其光電技術(shù)中應用研究。SCI收錄學術(shù)論文150多篇,；授權(quán)國家發(fā)明專利40多項,；出版專著：“半導體量子器件物理”。
南京大學：施毅教授
施毅教授長期從事微納電子新材料,、器件和物理研究,，主持承擔了國家及省自然科學基金、國家重點基礎研究發(fā)展規(guī)劃 "973" ,、博士點專項基金,、霍英東教育基金和教育部跨世紀優(yōu)秀人才培養(yǎng)計劃基金等十多項研究課題，并作為核心成員參加了國家 "863" ,、 " 攀登 " 計劃,、國家自然科學重點基金項目和多項部省級研究項目，積極跟蹤前沿,，努力自主創(chuàng)新,，在硅低維量子結(jié)構(gòu)及物性、納米結(jié)構(gòu)電子器件物理、異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜材料生長及物性,，和硅雜質(zhì)缺陷特性研究等上開展了一系列工作,，取得了有重要創(chuàng)新意義的研究成果。
中國科學院蘇州納米所：徐科研究員
近十年來主要從事氮化物半導體材料和器件的外延生長和物性研究,，曾在非極性GaN的MOCVD外延生長方面做出開創(chuàng)工作,，利用實時和原位監(jiān)控的方法系統(tǒng)研究了氮化物的MBE和MOCVD生長機理、極性選擇,、極性控制,；闡明了極性對InN生長的特殊影響，是國際上最早發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一,。主要致力于極低缺陷密度氮化物材料物性和相關(guān)器件研究,、納米結(jié)構(gòu)高效太陽電池、納米表征技術(shù)的理論和實驗研究,，承擔有納米結(jié)構(gòu)高效太陽電池973項目部分任務,、非極性GaN襯底國家自然科學基金、蘇州市納米專項,、江蘇省重大科技成果產(chǎn)業(yè)化項目等,。發(fā)表學術(shù)論文60余篇，被引用350余次,，單篇最高引用107次,；在E-MRS、ISE3,、MRS,、ICNS等重要國際會議上做特邀報告十余次，申請專利6項,，獲得國際專利一項,。
中國科學院上海微系統(tǒng)所宋志棠研究員
宋志棠研究員主要從事相變存儲材料與器件的研究。創(chuàng)建了上海微系統(tǒng)所納電子材料與器件學科,。與產(chǎn)業(yè)結(jié)合,，率先在國內(nèi)開展相變存儲器（PCRAM）的研發(fā)，培養(yǎng)與組建了100人產(chǎn),、學,、研緊密結(jié)合、高水平的研發(fā)隊伍,。是國家集成電路重大專項（02專項）PCRAM項目和973（A類）項目的首席科學家與項目負責人,，同時承擔國家先導、863,、國際重大合作以及上海市重大等項目50余項,。申請國家與國際發(fā)明專利400余項,、在Nature Communications , Nanoscale, Scientific Reports 等國內(nèi)外知名SCI刊物上發(fā)表論文200余篇，撰有《相變存儲器》和《相變存儲器與應用基礎》等專著,。兼任全國納米技術(shù)標準化委員會委員,，全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會納米加工分委員會秘書長，中國材料研究學會常務理事,，中國真空學會理事,，上海市真空學會常務理事。與中芯國際和Microchip聯(lián)合組建產(chǎn)學研隊伍,，建立起12英寸PCRAM專用技術(shù)平臺,，開發(fā)出我國第一款PCRAM芯片，在中國首次將PCRAM芯片推向量產(chǎn),。
國家納米科學中心：何軍研究員
主要研究包括：低維半導體材料的可控生長,，物理性質(zhì)研究；低維半導體納米材料電子,、光電器件研究,；多元復合納米材料合成及其在能源領域的應用等。已發(fā)表SCI研究論文近130多篇,，論文引用超過3500次,。主持和參與多項國家級研究項目，如自然科學基金項目,，科技部重大科學研究計劃,，國家重點基礎研究發(fā)展計劃（973計劃），中科院戰(zhàn)略性先導科技專項項目等,。
北京大學：王潤聲副教授
主要研究方向包括微納電子新器件、可靠性與表征技術(shù),、電路-器件協(xié)同設計,、新范式計算架構(gòu)與電路。已發(fā)表SCI/EI論文100余篇,，應邀作國際學術(shù)會議特邀報告10余次,。獲中國專利授權(quán)30余項、美國專利授權(quán)10余項,。相關(guān)成果被列入國際半導體技術(shù)路線指南（ITRS）,。獲2013年美國IEEE電子器件青年科學家獎；獲2014年教育部自然科學一等獎,；獲2015年國家自然基金委優(yōu)秀青年基金,。任《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》等學術(shù)期刊編委；任IEDM,、IRPS等國際學術(shù)會議TPC委員,。
中國科學院半導體研究所：趙麗霞研究員
主要致力于光通信用新型氮化物光電器件及可靠性方面的研究,，負責半導體照明檢測平臺并先后主持承擔科學院、科技部及國家自然科學基金委等多項國家科研項目,。迄今發(fā)表學術(shù)論文100多篇,，SCI引用2300多次，申請發(fā)明專利30多項,，負責起草國家標準5項,。目前是中國國際半導體照明論壇分會主席；全國二次離子質(zhì)譜學會議組織委員會委員,；北京照明學會第八屆計量測試專業(yè)委員會副主任,；全國微束分析標準化技術(shù)委員會表面化學分析分技術(shù)委員會委員。
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參考來源：
百度百科,、各研究所及大學官網(wǎng)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/墨玉）
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