中國粉體網(wǎng)訊 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料,，它具有導(dǎo)電性可控的特點(diǎn),。當(dāng)半導(dǎo)體受外界光和熱的刺激時(shí)，其導(dǎo)電能力將會(huì)有顯著變化,，在純凈半導(dǎo)體中加入微量雜質(zhì),，其導(dǎo)電能力會(huì)急劇增強(qiáng)。自科學(xué)家法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀以來,，半導(dǎo)體材料硅,、鍺、硼,、銻,、碳化硅和氮化鎵等相繼被發(fā)現(xiàn)與應(yīng)用。
我們生活的方方面面都離不開半導(dǎo)體技術(shù),，電器,、燈光、手機(jī),、電腦,、電子設(shè)備等都需要半導(dǎo)體材料制造，碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）屬于第三代半導(dǎo)體材料,，有著非常廣闊的應(yīng)用前景,。
碳化硅與氮化鎵的相同之處
碳化硅與氮化鎵均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁帶寬度大,、電子漂移飽和速度高,、介電常數(shù)小,、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體器件微型化,、導(dǎo)熱性的高要求,，這類材料的市場(chǎng)需求暴漲，適用于制作抗輻射,、高頻,、大功率和高密度集成的電子器件。
碳化硅與氮化鎵的優(yōu)點(diǎn)與不足
碳化硅又叫金剛砂,，是用石英砂,、石油焦、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物——莫桑石,，在當(dāng)代C、N,、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,。目前我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,，均為六方晶體。
氮化鎵是氮和鎵的化合物,，是一種直接能隙的半導(dǎo)體,，該化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高,。氮化鎵的能隙很寬,，為3.4電子伏特，可以用在高功率,、高速的光電元件中,，如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器的條件下,，產(chǎn)生紫光激光,。
碳化硅與氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域和難點(diǎn)
碳化硅是當(dāng)前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國對(duì)碳化硅的研究很重視,，美歐日等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃,。
碳化硅因具有很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過一般的磨料,。例如,，它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的首選窯具材料之一，它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等,。除此之外,，碳化硅材料還可應(yīng)用于功能陶瓷、耐火材料,、冶金原料等應(yīng)用領(lǐng)域,。
碳化硅器件的發(fā)展難題不是設(shè)計(jì)難題，而是實(shí)現(xiàn)芯片結(jié)構(gòu)的制作工藝,，如碳化硅晶片的微管缺陷密度,、外延工藝效率低、摻雜工藝的特殊要求,、配套材料的耐溫等,。碳化硅生產(chǎn)的另一個(gè)問題是環(huán)保，由于碳化硅在冶煉過程中會(huì)產(chǎn)生一氧化碳,、二氧化硫等有害氣體,，同時(shí)粉塵顆粒如果處理不當(dāng)，污染非常嚴(yán)重,。
氮化鎵是研制微電子器件,、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，在光電子,、激光器,、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。
氮化鎵材料的發(fā)展難題有三個(gè),，一是如何獲得高質(zhì)量、大尺寸的GaN籽晶,，因?yàn)橹苯硬捎冒睙岱椒ㄅ嘤粋�(gè)兩英寸的籽晶需要幾年時(shí)間,；二是對(duì)于氮化鎵材料，長(zhǎng)期以來由于襯底單晶沒有解決,，異質(zhì)外延缺陷密度相當(dāng)高,，因?yàn)榈墭O性太大，難以通過高摻雜來獲得較好的金屬-半導(dǎo)體的歐姆接觸,，工藝制造較復(fù)雜,；三是氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈尚未完全形成。
碳化硅與氮化鎵的制造工藝
由于天然含量甚少,，碳化硅主要多為人造,，常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦,，加入食鹽和木屑,，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經(jīng)過各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉,。
法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。據(jù)OFweek電子工程網(wǎng)獲悉,，珠海一家公司擁有8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)生產(chǎn)線,，這是中國首條實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線。當(dāng)前氮化鎵的工藝制造難題是薄膜冷卻時(shí)受熱錯(cuò)配應(yīng)力的驅(qū)動(dòng)下,，容易發(fā)生破裂或翹曲,，成為硅基氮化鎵大英寸化的主要障礙。
碳化硅與氮化鎵或?qū)⒊砂雽?dǎo)體市場(chǎng)主流
隨著國家對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的重視,，近年來,，我國半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅速。其中以碳化硅與氮化鎵為主的材料備受關(guān)注,。碳化硅與氮化鎵很多相同的地方,，比如均有著好的前景，材料特性優(yōu)于第一第二代半導(dǎo)體材料等,。兩者特性的不同造就了其不同的應(yīng)用領(lǐng)域,，未來，碳化硅與氮化鎵將發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì),，相輔相成,，一起撐起半導(dǎo)體應(yīng)用的天空。
盡管如此,，但碳化硅與氮化鎵的產(chǎn)業(yè)難題仍待解決,，如我國材料的制造工藝和質(zhì)量并未達(dá)到世界頂級(jí)，材料制造設(shè)備依賴于進(jìn)口嚴(yán)重,，碳化硅與氮化鎵材料和器件方面產(chǎn)業(yè)鏈尚未形成等,，這些問題需逐步解決，方可讓國產(chǎn)半導(dǎo)體材料屹立于世界頂尖行列,。（粉體網(wǎng)編輯整理/橙子）
