中國粉體網(wǎng)訊  6月5日,，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所（簡(jiǎn)稱中國電科二所）生產(chǎn)大樓內(nèi),，100臺(tái)碳化硅（SiC）單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長。

中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺(tái)SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的,。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了,�,！�

SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度,、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng),、高電子遷移率,、高熱導(dǎo)率等特性, 成為制作高溫、高頻,、大功率,、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料,，是新一代雷達(dá),、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電,、軌道交通,、電動(dòng)汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料,，具有重要的應(yīng)用價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景,。

中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“高純SiC粉料是SiC單晶生長的關(guān)鍵原材料，單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設(shè)備,，要想生長出高質(zhì)量的SiC單晶,，在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下，還需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì),、調(diào)試和優(yōu)化,。”

據(jù)介紹,，單晶生長爐需要達(dá)到高溫,、高真空、高潔凈度的要求,，目前國內(nèi)只有兩家能生產(chǎn)單晶生長爐,，中國電科二所是其中之一。他們突破了大直徑SiC生長的溫場(chǎng)設(shè)計(jì),，實(shí)現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空,、低背景漏率生長爐設(shè)計(jì)制造及小批量生產(chǎn)；他們還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術(shù),、粒度控制技術(shù),、晶型控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn),。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安）