中國粉體網(wǎng)訊  [據(jù)勞倫斯利弗莫爾國家實驗室網(wǎng)站2017年4月13日報道] 勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（LLNL）的材料科學(xué)家在了解碳化硅缺陷相互作用動力學(xué)方面有了更進一步進展,。

  《科學(xué)報告》3月17日發(fā)表的一項研究表明,，LLNL和德州農(nóng)工大學(xué)的研究團隊采用最新開發(fā)的脈沖離子束方法,，研究碰撞級聯(lián)密度影響碳化硅輻照缺陷情況,。碳化硅是一種陶瓷,、寬帶隙半導(dǎo)體材料,。該團隊系統(tǒng)地研究了多種離子轟擊碳化硅產(chǎn)生碰撞級聯(lián)的輻照缺陷機理,，這些碰撞級聯(lián)的密度差異很大,。研究人員使用脈沖離子束測量移動缺陷的壽命，并開發(fā)了一種計算級聯(lián)密度的新方法,。   

該團隊發(fā)現(xiàn),，密度更高的碰撞級聯(lián)不僅會造成更多的缺陷，還會比密度低的級聯(lián)發(fā)展慢得多,。該研究首次證明,，除了劑量率之外，碳化硅中的缺陷相互作用動力學(xué)強烈依賴于級聯(lián)密度,。

LLNL項目負責(zé)人表示,，這項工作表明，預(yù)計碳化硅在不同中子通量和能量的輻射環(huán)境中會受到不同的損害,，而任何真正的輻射缺陷預(yù)測模型都需要包括缺陷相互作用動力學(xué),。

對許多非金屬材料來說，碰撞級聯(lián)密度決定了輻照對材料的損傷程度,。但是,，碰撞級聯(lián)密度對輻照缺陷機理的影響基本上尚未探索。輻照缺陷機理仍然是輻照缺陷領(lǐng)域最復(fù)雜,、知之甚少,、且存在大量爭論的課題之一。   

碳化硅常被用來為在高溫高壓下運行的電子器件提供電力,，例如晶體管,。此外，已經(jīng)研究了碳化硅作為核燃料包層的可行性,。（核信息院   蔡莉  哈琳）