中國(guó)粉體網(wǎng)訊　　硅是半導(dǎo)體行業(yè)最常見的材料,，基于硅材料的電子芯片被廣泛應(yīng)用于日常生活的各種設(shè)備中,，從智能手機(jī)、電腦到汽車,、飛機(jī),、衛(wèi)星等。隨著技術(shù)的發(fā)展,，研究者發(fā)現(xiàn)通過(guò)傳統(tǒng)的電氣互聯(lián)來(lái)進(jìn)行芯片與系統(tǒng)之間的通信已經(jīng)難以滿足電子器件之間更快的通信速度以及更復(fù)雜系統(tǒng)的要求,。為解決這一問題，“光”被認(rèn)為是一種非常有潛力的超高速傳輸媒介,，可用于硅基芯片以及系統(tǒng)間的數(shù)據(jù)通信,。但是，硅作為間接帶隙材料,，發(fā)光效率極低,，難以直接作為發(fā)光材料。研究人員提出利用具有高發(fā)光效率的III-V族材料作為發(fā)光材料,，生長(zhǎng)或者鍵合在硅襯底上,，從而實(shí)現(xiàn)硅基光電集成。III族氮化物材料是一種直接帶隙材料,，具有禁帶寬度寬,、化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)、擊穿電場(chǎng)高以及熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn),，在高效發(fā)光器件以及功率電子器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,，近年來(lái)已成為一大研究熱點(diǎn)。將InGaN基激光器直接生長(zhǎng)在硅襯底材料上,，為GaN基光電子器件與硅基光電子器件的有機(jī)集成提供了可能,。另一方面，自1996年問世以來(lái),，InGaN基激光器在二十多年里得到了快速的發(fā)展,，其應(yīng)用范圍遍及信息存儲(chǔ),、照明、激光顯示,、可見光通信,、海底通信以及生物醫(yī)療等領(lǐng)域。目前幾乎所有的InGaN基激光器均是利用昂貴的自支撐GaN襯底進(jìn)行制備,，限制了其應(yīng)用范圍,。硅襯底具有成本低、熱導(dǎo)率高以及晶圓尺寸大等優(yōu)點(diǎn),，如果能夠在硅襯底上制備InGaN基激光器,，將有效降低其生產(chǎn)成本，從而進(jìn)一步推廣其應(yīng)用,。

由于GaN材料與硅襯底之間存在著巨大的晶格常數(shù)失配和熱膨脹系數(shù)失配，直接在硅襯底上生長(zhǎng)GaN材料會(huì)導(dǎo)致GaN薄膜位錯(cuò)密度高并且容易產(chǎn)生裂紋,，因此硅襯底InGaN基激光器難以制備,。該研究方向是目前國(guó)際上的研究熱點(diǎn)，但是到目前為止,，僅有文章報(bào)道了在光泵浦條件下硅襯底上InGaN基多量子阱發(fā)光結(jié)構(gòu)的激射,。

針對(duì)這一關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，中科院蘇州納米所楊輝研究員領(lǐng)導(dǎo)的III族氮化物半導(dǎo)體材料與器件研究團(tuán)隊(duì),，采用AlN/AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu),，有效降低位錯(cuò)密度的同時(shí)，成功抑制了因硅與GaN材料之間熱膨脹系數(shù)失配而常常引起的裂紋,，在硅襯底上成功生長(zhǎng)了厚度達(dá)到6 μm左右的InGaN基激光器結(jié)構(gòu),，位錯(cuò)密度小于6×108 cm-2，并通過(guò)器件工藝,，成功實(shí)現(xiàn)了世界上首個(gè)室溫連續(xù)電注入條件下激射的硅襯底InGaN基激光器,，激射波長(zhǎng)為413 nm，閾值電流密度為4.7 kA/cm2,。

該項(xiàng)目得到中國(guó)科學(xué)院前沿科學(xué)與教育局,、中國(guó)科學(xué)院先導(dǎo)專項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金委,、科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃,、中科院蘇州納米所自有資金的資助，并且感謝中科院蘇州納米所加工平臺(tái),、測(cè)試平臺(tái)以及Nano-X在技術(shù)上的支持,。相關(guān)研究成果于8月15日在線刊登在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然·光子學(xué)》（Nature Photonics）雜志上(2016年最新影響因子31.167)。