中國粉體網(wǎng)訊    美國化學家研發(fā)出了一種新方法,，使用硅碲化物制備出擁有多層結(jié)構(gòu)的二維半導體納米材料,，這些材料擁有不同的形狀和排列方向,，可在多個領域大顯身手,。布朗大學的科學家使用硅碲化物制造出了納米帶和納米板,。硅碲化物是一種純凈的P型半導體（攜帶正電荷）,，廣泛出現(xiàn)在很多電子和光學設備中,，它們的層級結(jié)構(gòu)能吸收鋰和鎂,，這意味著可用來制造電池的電極。

　　該研究的領導者,、布朗大學化學系助理教授克里斯蒂·克斯基表示,，硅基化合物是現(xiàn)代電學處理過程的基石，硅碲化物是其中一員,，我們發(fā)明的全新方法可用來制造擁有多層結(jié)構(gòu)的二維納米材料,。克斯基團隊通過氣相沉積方法在一個管式爐中合成出了這些新材料,。當硅和碲化物在管子中被加熱時,，會蒸發(fā)并反應，制造出一種前體化合物,，這種前體化合物接著被氬氣沉積在基座上,，隨后，硅碲化物就從該前體化合物中生長出來,。通過改變?nèi)蹱t的溫度并對基座進行不同的處理,，研究人員最終制造出了納米帶和納米板，納米帶的寬度約為50到1000納米,，長度為10微米,。而且,，不同材料擁有不同的結(jié)構(gòu)，其晶格也有不同的排列方式,，因此擁有不同的屬性和用途,。

　　研究人員也證明，可以使用不同的基座,，將不同材料摻雜（在摻雜過程中,，細小的雜質(zhì)被引入材料內(nèi)，從而改變材料的電學屬性）進入這些納米材料內(nèi),。在最新研究中,，研究人員通過實驗證實，當硅碲化物在藍寶石基座上生長時,，可向其中摻雜鋁,，這一過程可以將材料從P型半導體變成N型半導體（攜帶負電荷）。研究人員還指出,，新方法得到的材料不僅穩(wěn)定,，而且容易被改進。他們計劃對得到的納米材料的電學和光學屬性進行測試,。