中國粉體網(wǎng)訊  世界上幾乎所有的半導(dǎo)體技術(shù)研究機(jī)構(gòu)都在嘗試制造單層石墨烯(graphene)，并將其視為優(yōu)于硅的新一代IC材料；不過現(xiàn)在IBM的研究人員卻發(fā)現(xiàn)石墨烯材料的另一種優(yōu)勢(shì)能大幅降低采用氮化鎵(gallium nitride,，GaN)制造之藍(lán)光LED成本,。

　　“我們?cè)诶�用碳化硅晶圓片所形成的晶圓尺寸石墨烯上，長(zhǎng)出了單晶GaN薄膜,；”自稱“發(fā)明大師(Master Inventor)”的IBM T.J. Watson研究中心成員Jeehwan Kim表示：“然后整片GaN薄膜被轉(zhuǎn)移到硅基板上,，石墨烯則仍留在SiC晶圓片上重復(fù)使用，再繼續(xù)長(zhǎng)出GaN薄膜、轉(zhuǎn)移薄膜的程序,�,！�

　　他指出，比起采用昂貴的SiC或藍(lán)寶石晶圓片,、且只能單次使用以長(zhǎng)出 GaN 薄膜的傳統(tǒng)方式,，這種新方法的成本效益要高出許多，而且他們發(fā)現(xiàn)以新方法在石墨烯上長(zhǎng)出的薄膜質(zhì)量,，高于采用其他基板長(zhǎng)出的薄膜(缺陷密度較低),。

    IBM研究人員發(fā)現(xiàn)，先在SiC晶圓片上長(zhǎng)出石墨烯,，再于其上長(zhǎng)出GaN薄膜,，隨后將該GaN薄膜轉(zhuǎn)移至硅基板上，能大幅降低目前以單次使用SiC基板方式制作之GaN之成本

　　要長(zhǎng)出晶圓尺寸的單層石墨烯薄膜非常具挑戰(zhàn)性,，為了利用石墨烯制造IC半導(dǎo)體組件,，專家們?cè)谶^去嘗試了許多不同的方法，可惜只有部分取得成功,；目前發(fā)現(xiàn)采用SiC晶圓片,、然后將硅汽化(boiling off)，是最可靠的方法之一,。

　　而IBM的Kim證實(shí),，將SiC晶圓片的硅汽化之后，所留下的石墨烯薄膜能穩(wěn)妥地轉(zhuǎn)移至硅基板上,；此外他們也證實(shí),，這種方式產(chǎn)出的石墨烯質(zhì)量，優(yōu)于直接在要運(yùn)用石墨烯的晶圓片上所生長(zhǎng)的石墨烯品質(zhì),。

　　至于在石墨烯上長(zhǎng)出其他薄膜,，又為該種材料開辟了一種新應(yīng)用途徑；Kim將他開發(fā)的技術(shù)稱為“在磊晶石墨烯上生長(zhǎng)高質(zhì)量單晶GaN薄膜的直接凡德瓦磊晶法 (direct van der Waals epitaxy)”,。他聲稱,，以這種方式生長(zhǎng)的GaN薄膜或是其他薄膜，可隨意移植到任何一種基板上,，支持例如等組件的制造,。

    由于Kim的實(shí)驗(yàn)室以上述方法制作的用GaN薄膜，是成功重復(fù)利用SiC晶圓片上的石墨烯長(zhǎng)成,，他們認(rèn)為這是可利用石墨烯大幅降低半導(dǎo)體組件制造 成本的全新方式：“我們首度證實(shí)能在石墨烯上生長(zhǎng)晶圓尺寸的單晶薄膜,，而且石墨烯還能重復(fù)利用；此外我們的研發(fā)成果也為在石墨烯上生長(zhǎng)高質(zhì)量單晶半導(dǎo)體元 件提供了一個(gè)通用準(zhǔn)則,�,！�

　　將SiC晶圓片的硅汽化之后,，能剝離出單層石墨烯，并將之轉(zhuǎn)移到任何一種基板上,，例如結(jié)晶硅,。因?yàn)樵趯⑸�長(zhǎng)于其上的薄膜剝離后，完整的石墨烯層并沒有被破壞,，Kim也嘗試在該完美結(jié)晶石墨烯基板上生長(zhǎng)其他種類的半導(dǎo)體組件,，然后再將之轉(zhuǎn)移到其他地 方，例如軟性基板,；他表示,，這種技術(shù)有機(jī)會(huì)催生高頻晶體管、光探測(cè)器,、生物傳感器以及其他“后硅時(shí)代”組件,，IBM已經(jīng)為此在接下來五年投資30億美元。