他介紹說,,工業(yè)中應(yīng)用的導(dǎo)電材料絕大多數(shù)是各種金屬和合金材料。強(qiáng)度和導(dǎo)電性是導(dǎo)體金屬材料兩個(gè)至關(guān)重要的性能,,工業(yè)應(yīng)用中往往需要導(dǎo)體材料同時(shí)具有高強(qiáng)度和高導(dǎo)電性,。例如導(dǎo)電磁鐵線圈中的導(dǎo)線既要承受巨大的電磁作用力,又要保持較低電阻以降低電流導(dǎo)致的溫度升高,。高強(qiáng)度高導(dǎo)電性是超導(dǎo)磁鐵中導(dǎo)線必不可少的重要性能,。
然而,在常規(guī)金屬材料中這兩種性能往往相互抵觸,,不可兼得,。純金屬(如銀、銅,、鋁等)具有很高的導(dǎo)電率,,但都很軟,強(qiáng)度極低(均小于100MPa),。通過多種強(qiáng)化手段可以提高金屬的強(qiáng)度,,如合金化(添加合金元素),晶粒細(xì)化或加工強(qiáng)化,,但這些強(qiáng)化技術(shù)往往導(dǎo)致金屬材料電導(dǎo)率大幅度降低,。例如,使純銅合金化能使其強(qiáng)度提高2~3倍,但獲得的銅合金的電導(dǎo)率只有純銅的10%~40%,。
這種現(xiàn)象的出現(xiàn)自有其深層原因,。固體強(qiáng)度取決于其對(duì)塑性變形的抵抗能力,這種能力又與固體的化學(xué)組分和微觀結(jié)構(gòu)密切相關(guān),。常規(guī)多晶金屬的塑性變形主要由單個(gè)晶粒的點(diǎn)陣位錯(cuò)引起,。基于此,,很多提高金屬強(qiáng)度的方法都著眼于限制這種位錯(cuò)運(yùn)動(dòng),。比如,晶粒細(xì)化就是引入更多晶界,,讓晶界成為晶粒間位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的阻礙,;加工強(qiáng)化引入大量位錯(cuò)來鎖住進(jìn)一步的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)。這些強(qiáng)化技術(shù)本質(zhì)上是在材料中引入各種缺陷,,而這些缺陷會(huì)顯著增大對(duì)電子的散射,,從而降低導(dǎo)電性能。因此,,實(shí)現(xiàn)金屬材料的高強(qiáng)度和高導(dǎo)電性是一項(xiàng)長期以來有待解決的重大科學(xué)難題,。
為解決這一難題,中科院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家實(shí)驗(yàn)室開展了深入的研究工作,,認(rèn)為要獲得兼具高強(qiáng)度和高導(dǎo)電性的金屬,,關(guān)鍵在于找到一種適宜的微觀結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)既能鎖住位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)又能最大限度地減少對(duì)傳導(dǎo)電子的散射,。他們將視線投向一種特殊的晶界——孿晶界,。盧柯解釋說,孿晶界是一種低能共格晶界,,它能夠有效地阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)并吸收部分位錯(cuò),,因此可以起到與普通晶界相似的強(qiáng)化作用。但是共格孿晶界對(duì)電子的散射能力極小,,其電阻值比普通晶界的電阻低一個(gè)數(shù)量級(jí),。因此,通過引入大量孿晶界(即制備出高密度納米尺寸生長孿晶)可以大幅度提高材料的強(qiáng)度而對(duì)其電導(dǎo)特性無明顯影響,。
研究人員采用脈沖電解沉積技術(shù)制備出具有高密度納米尺寸生長孿晶的純銅薄膜,,通過工藝過程研究調(diào)整樣品的晶粒尺寸、孿晶厚度及分布,、織構(gòu)狀態(tài)等,,獲得了具有超高強(qiáng)度和高導(dǎo)電性的純銅樣品,其拉伸強(qiáng)度高達(dá)1068MPa(是普通純銅的十倍以上,,達(dá)到高強(qiáng)度鋼或銅晶須的強(qiáng)度水平),,而室溫電導(dǎo)率與無氧高導(dǎo)(OFHC)銅相當(dāng),。這種超高強(qiáng)度和高導(dǎo)電性的同時(shí)獲得是過去在任何材料中均無法實(shí)現(xiàn)的。
利用納米孿晶獲得超高強(qiáng)度高導(dǎo)電性銅不但為材料的強(qiáng)化技術(shù)和高強(qiáng)高導(dǎo)材料的研制開辟了一個(gè)新領(lǐng)域,,而且將對(duì)相關(guān)工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)生重要推動(dòng)作用,,如超導(dǎo)磁鐵技術(shù)、電力傳輸系統(tǒng),、機(jī)電裝備及微機(jī)電系統(tǒng)等,。此項(xiàng)成果也將對(duì)納米材料技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。