北京大學(xué)物理學(xué)院俞大鵬“納米結(jié)構(gòu)與低維物理”研究團(tuán)隊(duì)的青年教師廖志敏副教授帶領(lǐng)研究生在拓?fù)浣^緣體Bi2Se3納米材料制備、量子輸運(yùn)性質(zhì)和光熱電性質(zhì)等方面取得系列新進(jìn)展,。他們通過(guò)化學(xué)氣相沉積法可控合成了各種Bi2Se3納米結(jié)構(gòu),,在量子輸運(yùn)測(cè)量中觀測(cè)到Shubnikov-de Haas(SdH)振蕩,分析表明存在Berry相位π,,這是拓?fù)浣^緣體表面狄拉克費(fèi)米子的重要特征(Scientific Reports 3,,1264,,2013);此外,,他們?cè)诘蜏貜?qiáng)磁場(chǎng)條件下系統(tǒng)研究了單個(gè)Bi2Se3納米片的輸運(yùn)性質(zhì),,發(fā)現(xiàn)其載流子遷移率高達(dá)104cm2/Vs,,并且在14特斯拉強(qiáng)磁場(chǎng)下觀察到高達(dá)400%尚無(wú)飽和跡象的正磁阻效應(yīng),,揭示了磁電阻與遷移率之間的相互關(guān)系(Applied Physics Letters 103,,033106,2013);磁輸運(yùn)測(cè)量對(duì)于揭示拓?fù)浔砻鎽B(tài)的物理性質(zhì)具有重要意義,,但是在垂直磁場(chǎng)下,SdH振蕩總是疊加在一個(gè)很大的線性磁阻背景上,,這為分析表面狄拉克費(fèi)米子的輸運(yùn)行為帶來(lái)困難,,他們通過(guò)外加平面內(nèi)磁場(chǎng),,測(cè)量到明顯的SdH振蕩,,而沒(méi)有正磁阻背景,,確認(rèn)了來(lái)源于Bi2Se3納米片側(cè)面表面態(tài)的量子輸運(yùn)(Scientific Reports 4,3817,,2014)。
通過(guò)圓偏振光可以選擇性激發(fā)拓?fù)浣^緣體的表面態(tài),,從而產(chǎn)生自旋極化的表面態(tài),由于自旋方向與動(dòng)量方向的鎖定關(guān)系,,樣品中會(huì)產(chǎn)生電子定向運(yùn)動(dòng)的光電流,。Bi2Se3也是一個(gè)很好的熱電材料,,在非均勻的光輻照下,,會(huì)產(chǎn)生光熱電效應(yīng)。最近,,該研究團(tuán)隊(duì)協(xié)同創(chuàng)新,與北京大學(xué)國(guó)際量子材料科學(xué)中心孫棟教授,、清華大學(xué)物理系周樹(shù)云教授(ARPES測(cè)量)、比利時(shí)安特衛(wèi)普大學(xué)的G. /V. Tendeloo 教授和柯小行博士(球差矯正電鏡原子分辨結(jié)構(gòu)研究)、北京理工大學(xué)吳漢春教授等合作,,觀測(cè)到Bi2Se3中圓偏振光增強(qiáng)的光熱電效應(yīng),,該結(jié)果有望用于自旋極化的電流源的產(chǎn)生。相關(guān)工作以“Topological Surface State Enhanced Photothermoelectric Effect in Bi2Se3 Nanoribbons”為題,,在線發(fā)表在Nano Letters (DOI: 10.1021/nl501276e,,2014)上,北大物理學(xué)院博士生嚴(yán)緣為該論文的第一作者,。
圖1 上:Bi2Se3納米帶的球差矯正透射電鏡的原子分辨結(jié)構(gòu)圖像以及室溫下測(cè)量的角分辨光電子譜ARPES (Nano Letters DOI: 10.1021/nl501276e,,2014);下:起源于Bi2Se3納米帶側(cè)壁(Sidewall)表面態(tài)輸運(yùn)的SdH振蕩(Scientific Reports 4,3817,,2014)
圖2 拓?fù)浣^緣體Bi2Se3中圓偏振光增強(qiáng)的光熱電效應(yīng) (Nano Letters DOI: 10.1021/nl501276e,,2014)
上述研究工作得到了人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心,、國(guó)家973計(jì)劃和國(guó)家自然科學(xué)基金的大力支持,。