中國(guó)粉體網(wǎng)7月25日訊 以中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所高質(zhì)量薄層石墨烯制備技術(shù)成果為基礎(chǔ),，蘇州格瑞豐納米科技有限公司日前正式推出典型厚度分別為1nm和2~3nm的高質(zhì)量薄層石墨烯粉體產(chǎn)品,。目前,，格瑞豐薄層石墨烯粉體的生產(chǎn)規(guī)模初步放大,，已經(jīng)能滿足科技研發(fā)和工業(yè)應(yīng)用的需求,。
高質(zhì)量薄層石墨烯的規(guī)�,；苽湟恢笔鞘┬袠I(yè)的巨大挑戰(zhàn),。中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所此前獲得了高質(zhì)量石墨烯的層間催化解離制備,、電化學(xué)插層解離制備,、高密度三維石墨烯及層數(shù)可控石墨烯制備等技術(shù)突破。該所將這一技術(shù)成果轉(zhuǎn)移給蘇州格瑞豐納米科技有限公司,。經(jīng)過(guò)潛心技術(shù)攻關(guān),，格瑞豐推出了典型厚度分別為1nm和2~3nm的高質(zhì)量薄層石墨烯粉體產(chǎn)品。典型厚度為1nm產(chǎn)品具有3個(gè)原子層的超薄厚度,、近乎完美的晶化質(zhì)量,，產(chǎn)品純度、層厚,、尺寸,、電導(dǎo)率,、熱導(dǎo)率等綜合性能指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際同期產(chǎn)品領(lǐng)先水平。
格瑞豐生產(chǎn)的高質(zhì)量薄層石墨烯粉體是利用插層解離方法,，不同于傳統(tǒng)的氧化工藝,，保留了石墨片層優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能,。由高質(zhì)量薄層石墨烯粉體壓制而成的薄膜其電導(dǎo)率高達(dá)105S/m,，為目前國(guó)際最理想水平。
高質(zhì)量薄層石墨烯的規(guī)�,；苽湟恢笔鞘┬袠I(yè)的巨大挑戰(zhàn),。中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所此前獲得了高質(zhì)量石墨烯的層間催化解離制備,、電化學(xué)插層解離制備,、高密度三維石墨烯及層數(shù)可控石墨烯制備等技術(shù)突破。該所將這一技術(shù)成果轉(zhuǎn)移給蘇州格瑞豐納米科技有限公司,。經(jīng)過(guò)潛心技術(shù)攻關(guān),，格瑞豐推出了典型厚度分別為1nm和2~3nm的高質(zhì)量薄層石墨烯粉體產(chǎn)品。典型厚度為1nm產(chǎn)品具有3個(gè)原子層的超薄厚度,、近乎完美的晶化質(zhì)量,，產(chǎn)品純度、層厚,、尺寸,、電導(dǎo)率,、熱導(dǎo)率等綜合性能指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際同期產(chǎn)品領(lǐng)先水平。
格瑞豐生產(chǎn)的高質(zhì)量薄層石墨烯粉體是利用插層解離方法,，不同于傳統(tǒng)的氧化工藝,，保留了石墨片層優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能,。由高質(zhì)量薄層石墨烯粉體壓制而成的薄膜其電導(dǎo)率高達(dá)105S/m,，為目前國(guó)際最理想水平。
