二維半導(dǎo)體材料擁有獨(dú)特的物理性質(zhì),,可以應(yīng)用于不同的技術(shù)領(lǐng)域,,因此成為了納米交叉學(xué)科的研究熱點(diǎn)。石墨烯是目前研究最為廣泛的二維材料,,但由于其帶隙為零,,限制了它在許多領(lǐng)域中的應(yīng)用。作為石墨烯的類似物,,具有半導(dǎo)體帶隙的金屬硫化物備受關(guān)注,。這些二維半導(dǎo)體材料的光電器件具有優(yōu)越的性能,并且可以設(shè)計(jì)復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu),。由于大的比表面積,,這些二維材料具有很好的氣敏傳感能力。制備這些二維材料的單層或少層結(jié)構(gòu)有許多的方法,,如微機(jī)械剝離,、外延生長(zhǎng)、化學(xué)氣相沉積,、液相剝離等等,。近年來,以MoS2為代表的層狀過渡金屬硫化物在理論上和實(shí)驗(yàn)中都取得了重要的研究進(jìn)展,。研究更多新的二維半導(dǎo)體材料,,設(shè)計(jì)各種新的結(jié)構(gòu)和器件成為了半導(dǎo)體納米科學(xué)的一個(gè)重要部分。
在這種背景下,,半導(dǎo)體所李京波小組設(shè)計(jì)了基于超薄GaS的紅外光探測(cè)器,,研究了在不同氣體環(huán)境下該探測(cè)器的不同光響應(yīng)現(xiàn)象,并且基于第一性原理計(jì)算結(jié)果解釋了不同光響應(yīng)現(xiàn)象產(chǎn)生的原因,。GaS作為重要的金屬硫化物之一,,具有高度各向異性的結(jié)構(gòu),并且擁有優(yōu)良的電學(xué),、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì),。課題組設(shè)計(jì)的探測(cè)器對(duì)633nm的紅光展現(xiàn)出了高效快速并且穩(wěn)定的響應(yīng),且在NH3環(huán)境下光敏性高達(dá)64.43 AW-1,,同時(shí)得到了很高的外部量子效率(12621%),。NH3作為電子給體可以為GaS提供電子,增加了n-型GaS的載流子密度,,而O2作為電子受體可以接受來自GaS的電子,,從而減少GaS的載流子密度,所以在NH3環(huán)境下,該探測(cè)器得到比在空氣和O2條件下更好的光敏性質(zhì),。這些實(shí)驗(yàn)和理論中的發(fā)現(xiàn)說明新型超薄金屬硫化物二維半導(dǎo)體材料可以被用于高效的納米傳感器,、光探測(cè)器、光開關(guān),、場(chǎng)效應(yīng)晶體管,、光電子電路等微納光電器件中。
該工作得到了國家杰出青年基金和科技部“973”項(xiàng)目的支持,。