目前，國(guó)際多晶硅生產(chǎn)的主流工藝是改良西門(mén)子工藝,，占總產(chǎn)能85%以上,，2010年用該技術(shù)生產(chǎn)的多晶硅占全球總產(chǎn)量16.7萬(wàn)噸的86.6%。
該技術(shù)成熟于上世紀(jì)70年代,，在沉寂近20年后,，伴隨光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，世界各國(guó)均對(duì)該技術(shù)進(jìn)行二次創(chuàng)新,，如中硅高科突破了大型低溫氫化技術(shù),、大型節(jié)能還原爐技術(shù),、高效加壓精餾提純技術(shù)、高效加壓三氯氫硅合成技術(shù),、尾氣干法回收技術(shù),、四氯化硅生產(chǎn)氣相白碳黑技術(shù)和熱能綜合利用技術(shù)。隨規(guī)�,；a(chǎn),，該技術(shù)仍有提升空間。
近年來(lái),，改良西門(mén)子法技術(shù)隨其產(chǎn)量的擴(kuò)張,，其競(jìng)爭(zhēng)能力得以強(qiáng)化，主流工藝地位進(jìn)一步穩(wěn)固,，未來(lái)20年甚至更多年仍將是主流技術(shù),。改良西門(mén)子法因?yàn)楫a(chǎn)品純度高、生產(chǎn)成本低,，可以滿足大規(guī)模,、安全、環(huán)保生產(chǎn)要求,，成為市場(chǎng)首選的主流工藝,。從成本角度比較，瓦克和REC的成本已經(jīng)基本接近,，顯示出該技術(shù)具備旺盛的生命力,。下面介紹一下幾種主要的多晶硅的生產(chǎn)方法。
1 改良西門(mén)子法——閉環(huán)式三氯氫硅氫還原法
改良西門(mén)子法是用氯和氫合成氯化氫（或外購(gòu)氯化氫）,，氯化氫和產(chǎn)業(yè)硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅,，然后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾提純，提純后的三氯氫硅在氫還原爐內(nèi)進(jìn)行CVD反應(yīng)生產(chǎn)高純多晶硅,。
國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有的多晶硅廠盡大部分采用此法生產(chǎn)電子級(jí)與太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。
2 硅烷法——硅烷熱分解法
硅烷（SiH4）是以四氯化硅氫化法、硅合金分解法,、氫化物還原法,、硅的直接氫化法等方法制取。然后將制得的硅烷氣提純后在熱分解爐生產(chǎn)純度較高的棒狀多晶硅,。以前只有日本小松把握此技術(shù),，由于發(fā)生過(guò)嚴(yán)重的爆炸事故后，沒(méi)有繼續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn),。但美國(guó)Asimi和SGS公司仍采用硅烷氣熱分解生產(chǎn)純度較高的電子級(jí)多晶硅產(chǎn)品。
3 流化床法
以四氯化硅,、氫氣,、氯化氫和產(chǎn)業(yè)硅為原料在流化床內(nèi)（沸騰床）高溫高壓下天生三氯氫硅,，將三氯氫硅再進(jìn)一步歧化加氫反應(yīng)天生二氯二氫硅，繼而天生硅烷氣,。
制得的硅烷氣通進(jìn)加有小顆粒硅粉的流化床反應(yīng)爐內(nèi)進(jìn)行連續(xù)熱分解反應(yīng),，天生粒狀多晶硅產(chǎn)品。由于在流化床反應(yīng)爐內(nèi)參與反應(yīng)的硅表面積大,，生產(chǎn)效率高,，電耗低與本錢(qián)低，適用于大規(guī)模生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。唯一的缺點(diǎn)是安全性差,，危險(xiǎn)性大。其次是產(chǎn)品純度不高,，但基本能滿足太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的使用,。
此法是美國(guó)聯(lián)合碳化合物公司早年研究的工藝技術(shù)。目前世界上只有美國(guó)MEMC公司采用此法生產(chǎn)粒狀多晶硅,。此法比較適合生產(chǎn)價(jià)廉的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。
4 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅新工藝技術(shù)
除了上述改良西門(mén)子法、硅烷熱分解法,、流化床反應(yīng)爐法三種方法生產(chǎn)電子級(jí)與太陽(yáng)能級(jí)多晶硅以外,，還涌現(xiàn)出幾種專門(mén)生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅新工藝技術(shù)。
1）冶金法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅
據(jù)資料報(bào)導(dǎo)：日本川崎制鐵公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太陽(yáng)能電池廠（SHARP公司）應(yīng)用,，現(xiàn)已形成800噸/年的生產(chǎn)能力,，全量供給SHARP公司。
主要工藝是：選擇純度較好的產(chǎn)業(yè)硅（即冶金硅）進(jìn)行水平區(qū)熔單向凝固成硅錠,，往除硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分后,，進(jìn)行粗粉碎與清洗，在等離子體融解爐中往除硼雜質(zhì),，再進(jìn)行第二次水平區(qū)熔單向凝固成硅錠,，往除第二次區(qū)熔硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分，經(jīng)粗粉碎與清洗后,，在電子束融解爐中往除磷和碳雜質(zhì),，直接天生太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。
2）氣液沉積法生產(chǎn)粒狀太陽(yáng)能級(jí)多晶硅
據(jù)資料報(bào)導(dǎo)[1]以日本Tokuyama公司為代表,，目前10噸試驗(yàn)線在運(yùn)行,，200噸半貿(mào)易化規(guī)模生產(chǎn)線在2005-2006年間投進(jìn)試運(yùn)行。
主要工藝是：將反應(yīng)器中的石墨管的溫度升高到1500℃,，流體三氯氫硅和氫氣從石墨管的上部注進(jìn),，在石墨管內(nèi)壁1500℃高溫處反應(yīng)天生液體狀硅，然后滴進(jìn)底部,，溫度回升變成固體粒狀的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。
3）重?fù)焦鑿U物提純法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅
據(jù)美國(guó)CrystalSystems資料報(bào)導(dǎo),，美國(guó)通過(guò)對(duì)重?fù)絾尉Ч枭a(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的硅廢物提純后，可以用作太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用的多晶硅,，終極本錢(qián)價(jià)可看控制在20美元/Kg以下,。
這里對(duì)幾家國(guó)內(nèi)多晶硅廠和國(guó)外多晶硅廠的設(shè)備技術(shù)做些比較。
國(guó)外多晶硅生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展的特點(diǎn)：
1）研發(fā)的新工藝技術(shù)幾乎全是以滿足太陽(yáng)能光伏硅電池行業(yè)所需要的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。
2）研發(fā)的新工藝技術(shù)主要集中體現(xiàn)在多晶硅天生反應(yīng)器裝置上,，多晶硅天生反應(yīng)器是復(fù)雜的多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中的一個(gè)進(jìn)步產(chǎn)能、降低能耗的關(guān)鍵裝置,。
3）研發(fā)的流化床（FBR）反應(yīng)器粒狀多晶硅天生的工藝技術(shù),，將是生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅首選的工藝技術(shù)。其次是研發(fā)的石墨管狀爐（Tube-Recator）反應(yīng)器,，也是降低多晶硅生產(chǎn)電耗,，實(shí)現(xiàn)連續(xù)性大規(guī)模化生產(chǎn),，進(jìn)步生產(chǎn)效率,，降低生產(chǎn)本錢(qián)的新工藝技術(shù)。
4）流化床（FBR）反應(yīng)器和石墨管狀爐（Tube-Recator）反應(yīng)器,，天生粒狀多晶硅的硅原料可以用硅烷,、二氯二氫硅或是三氯氫硅。
5）在2005年前多晶硅擴(kuò)產(chǎn)中100%都采用改良西門(mén)子工藝,。在2005年后多晶硅擴(kuò)產(chǎn)中除Elkem外,，基本上仍采用改良西門(mén)子工藝。
通過(guò)以上分析可以看出,，目前多晶硅主要的新增需求來(lái)自于太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè),，國(guó)際上已經(jīng)形成開(kāi)發(fā)低本錢(qián)、低能耗的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)新工藝技術(shù)的高潮,，并趨向于把生產(chǎn)低純度的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅工藝和生產(chǎn)高純度電子級(jí)多晶硅工藝區(qū)分開(kāi)來(lái),，以降低太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)本錢(qián)，從而降低太陽(yáng)能電池制造本錢(qián),，促進(jìn)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,，普及太陽(yáng)能的利用，無(wú)疑是一個(gè)重要的技術(shù)決策方向,。
該技術(shù)成熟于上世紀(jì)70年代,，在沉寂近20年后,，伴隨光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，世界各國(guó)均對(duì)該技術(shù)進(jìn)行二次創(chuàng)新,，如中硅高科突破了大型低溫氫化技術(shù),、大型節(jié)能還原爐技術(shù),、高效加壓精餾提純技術(shù)、高效加壓三氯氫硅合成技術(shù),、尾氣干法回收技術(shù),、四氯化硅生產(chǎn)氣相白碳黑技術(shù)和熱能綜合利用技術(shù)。隨規(guī)�,；a(chǎn),，該技術(shù)仍有提升空間。
近年來(lái),，改良西門(mén)子法技術(shù)隨其產(chǎn)量的擴(kuò)張,，其競(jìng)爭(zhēng)能力得以強(qiáng)化，主流工藝地位進(jìn)一步穩(wěn)固,，未來(lái)20年甚至更多年仍將是主流技術(shù),。改良西門(mén)子法因?yàn)楫a(chǎn)品純度高、生產(chǎn)成本低,，可以滿足大規(guī)模,、安全、環(huán)保生產(chǎn)要求,，成為市場(chǎng)首選的主流工藝,。從成本角度比較，瓦克和REC的成本已經(jīng)基本接近,，顯示出該技術(shù)具備旺盛的生命力,。下面介紹一下幾種主要的多晶硅的生產(chǎn)方法。
1 改良西門(mén)子法——閉環(huán)式三氯氫硅氫還原法
改良西門(mén)子法是用氯和氫合成氯化氫（或外購(gòu)氯化氫）,，氯化氫和產(chǎn)業(yè)硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅,，然后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾提純，提純后的三氯氫硅在氫還原爐內(nèi)進(jìn)行CVD反應(yīng)生產(chǎn)高純多晶硅,。
國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有的多晶硅廠盡大部分采用此法生產(chǎn)電子級(jí)與太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。
2 硅烷法——硅烷熱分解法
硅烷（SiH4）是以四氯化硅氫化法、硅合金分解法,、氫化物還原法,、硅的直接氫化法等方法制取。然后將制得的硅烷氣提純后在熱分解爐生產(chǎn)純度較高的棒狀多晶硅,。以前只有日本小松把握此技術(shù),，由于發(fā)生過(guò)嚴(yán)重的爆炸事故后，沒(méi)有繼續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn),。但美國(guó)Asimi和SGS公司仍采用硅烷氣熱分解生產(chǎn)純度較高的電子級(jí)多晶硅產(chǎn)品。
3 流化床法
以四氯化硅,、氫氣,、氯化氫和產(chǎn)業(yè)硅為原料在流化床內(nèi)（沸騰床）高溫高壓下天生三氯氫硅,，將三氯氫硅再進(jìn)一步歧化加氫反應(yīng)天生二氯二氫硅，繼而天生硅烷氣,。
制得的硅烷氣通進(jìn)加有小顆粒硅粉的流化床反應(yīng)爐內(nèi)進(jìn)行連續(xù)熱分解反應(yīng),，天生粒狀多晶硅產(chǎn)品。由于在流化床反應(yīng)爐內(nèi)參與反應(yīng)的硅表面積大,，生產(chǎn)效率高,，電耗低與本錢(qián)低，適用于大規(guī)模生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。唯一的缺點(diǎn)是安全性差,，危險(xiǎn)性大。其次是產(chǎn)品純度不高,，但基本能滿足太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的使用,。
此法是美國(guó)聯(lián)合碳化合物公司早年研究的工藝技術(shù)。目前世界上只有美國(guó)MEMC公司采用此法生產(chǎn)粒狀多晶硅,。此法比較適合生產(chǎn)價(jià)廉的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。
4 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅新工藝技術(shù)
除了上述改良西門(mén)子法、硅烷熱分解法,、流化床反應(yīng)爐法三種方法生產(chǎn)電子級(jí)與太陽(yáng)能級(jí)多晶硅以外,，還涌現(xiàn)出幾種專門(mén)生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅新工藝技術(shù)。
1）冶金法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅
據(jù)資料報(bào)導(dǎo)：日本川崎制鐵公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太陽(yáng)能電池廠（SHARP公司）應(yīng)用,，現(xiàn)已形成800噸/年的生產(chǎn)能力,，全量供給SHARP公司。
主要工藝是：選擇純度較好的產(chǎn)業(yè)硅（即冶金硅）進(jìn)行水平區(qū)熔單向凝固成硅錠,，往除硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分后,，進(jìn)行粗粉碎與清洗，在等離子體融解爐中往除硼雜質(zhì),，再進(jìn)行第二次水平區(qū)熔單向凝固成硅錠,，往除第二次區(qū)熔硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分，經(jīng)粗粉碎與清洗后,，在電子束融解爐中往除磷和碳雜質(zhì),，直接天生太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。
2）氣液沉積法生產(chǎn)粒狀太陽(yáng)能級(jí)多晶硅
據(jù)資料報(bào)導(dǎo)[1]以日本Tokuyama公司為代表,，目前10噸試驗(yàn)線在運(yùn)行,，200噸半貿(mào)易化規(guī)模生產(chǎn)線在2005-2006年間投進(jìn)試運(yùn)行。
主要工藝是：將反應(yīng)器中的石墨管的溫度升高到1500℃,，流體三氯氫硅和氫氣從石墨管的上部注進(jìn),，在石墨管內(nèi)壁1500℃高溫處反應(yīng)天生液體狀硅，然后滴進(jìn)底部,，溫度回升變成固體粒狀的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。
3）重?fù)焦鑿U物提純法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅
據(jù)美國(guó)CrystalSystems資料報(bào)導(dǎo),，美國(guó)通過(guò)對(duì)重?fù)絾尉Ч枭a(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的硅廢物提純后，可以用作太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用的多晶硅,，終極本錢(qián)價(jià)可看控制在20美元/Kg以下,。
這里對(duì)幾家國(guó)內(nèi)多晶硅廠和國(guó)外多晶硅廠的設(shè)備技術(shù)做些比較。
國(guó)外多晶硅生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展的特點(diǎn)：
1）研發(fā)的新工藝技術(shù)幾乎全是以滿足太陽(yáng)能光伏硅電池行業(yè)所需要的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,。
2）研發(fā)的新工藝技術(shù)主要集中體現(xiàn)在多晶硅天生反應(yīng)器裝置上,，多晶硅天生反應(yīng)器是復(fù)雜的多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中的一個(gè)進(jìn)步產(chǎn)能、降低能耗的關(guān)鍵裝置,。
3）研發(fā)的流化床（FBR）反應(yīng)器粒狀多晶硅天生的工藝技術(shù),，將是生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅首選的工藝技術(shù)。其次是研發(fā)的石墨管狀爐（Tube-Recator）反應(yīng)器,，也是降低多晶硅生產(chǎn)電耗,，實(shí)現(xiàn)連續(xù)性大規(guī)模化生產(chǎn),，進(jìn)步生產(chǎn)效率,，降低生產(chǎn)本錢(qián)的新工藝技術(shù)。
4）流化床（FBR）反應(yīng)器和石墨管狀爐（Tube-Recator）反應(yīng)器,，天生粒狀多晶硅的硅原料可以用硅烷,、二氯二氫硅或是三氯氫硅。
5）在2005年前多晶硅擴(kuò)產(chǎn)中100%都采用改良西門(mén)子工藝,。在2005年后多晶硅擴(kuò)產(chǎn)中除Elkem外,，基本上仍采用改良西門(mén)子工藝。
通過(guò)以上分析可以看出,，目前多晶硅主要的新增需求來(lái)自于太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè),，國(guó)際上已經(jīng)形成開(kāi)發(fā)低本錢(qián)、低能耗的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)新工藝技術(shù)的高潮,，并趨向于把生產(chǎn)低純度的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅工藝和生產(chǎn)高純度電子級(jí)多晶硅工藝區(qū)分開(kāi)來(lái),，以降低太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)本錢(qián)，從而降低太陽(yáng)能電池制造本錢(qián),，促進(jìn)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,，普及太陽(yáng)能的利用，無(wú)疑是一個(gè)重要的技術(shù)決策方向,。
