據(jù)臺灣媒體報道,，因應半導體業(yè)進入納米技術時代，2003年國際半導體技術藍圖（ITRS）日前表示,，半導體制程將從2年更新一代的周期延長為3年更新一代,；同時，由臺積電主導的65納米以下光罩制作“浸潤式微影技術”（Immersion Lithography）,，也與無線通訊IC制程一同增列于2003年ITRS藍圖中,，供全球半導體業(yè)遵循。

　 由歐盟,、日本,、韓國,、美國與臺灣半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會所組成的ITRS，每年開會提出技術藍圖修正,。代表成員之一的旺宏資深副總經(jīng)理暨技術總監(jiān)盧志遠表示,，隨著納米技術難度提高，業(yè)者投資腳步放慢,，為避免全球多數(shù)業(yè)者跟不上技術時程,，導致被淘汰的厄運，2003年技術藍圖確定改為每2年更新一代延長為3年,。

??臺積電邏輯技術發(fā)展處協(xié)理孫元成介紹該公司大力推動的“浸潤式微影技術”是在193納米波長曝光機的基礎上,，于光源與晶圓之間加入水，以使波長縮短到132納米的微影技術,，比起目前一般干式微影設備，此技術可支持65納米,、45納米,，甚至到32納米制程，可說是微影技術的一大突破,。

??無線通訊IC越居通訊技術主流,，硅半導體業(yè)目前已可量產(chǎn)頻率高達5GHZ的射頻IC，硅晶圓與硅鍺晶圓（SiGe）技術兼容性高,，技術可望推升到100GHZ的高水平,，這次ITRS技術藍圖也首次將無線通訊IC獨立增列于其中。