研究和理解固體表面上原子或分子間的相互作用是表面物理領(lǐng)域的基本科學(xué)問題之一，由此控制它們的自組裝結(jié)構(gòu)對(duì)發(fā)展納米器件具有重要的意義,。吸附在固體表面的原子或分子可以通過襯底的電子散射或者彈性扭曲而發(fā)生間接相互作用,，這種襯底調(diào)制的長(zhǎng)程原子或分子間相互作用在原子和分子自組裝中扮演著重要的角色。之前的實(shí)驗(yàn)多數(shù)集中在金屬襯底,。2004年發(fā)現(xiàn)的石墨烯,，是一個(gè)無質(zhì)量的狄拉克費(fèi)米子體系，研究石墨烯與外來吸附原子或分子的相互作用,，不但能豐富表面物理的知識(shí),，對(duì)拓展石墨烯的應(yīng)用也具有重要意義，因而吸附物-石墨烯體系在過去幾年得到了廣泛的關(guān)注,。不過,，這些研究大多都集中在吸附物與石墨烯的相互作用和原子/分子吸附后石墨烯性質(zhì)的變化，對(duì)石墨烯表面上吸附物之間的相互作用卻鮮有報(bào)道,。
近期,，中科院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗(yàn)室（籌）表面物理實(shí)驗(yàn)室馬旭村研究員與清華大學(xué)物理系薛其坤院士,、北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研究所張平研究員合作，利用掃描隧道顯微鏡研究了堿金屬Cs原子在熱解6H-SiC(0001)獲得的石墨烯表面上的吸附行為,，發(fā)現(xiàn)Cs原子在石墨烯表面的吸附行為與層厚和6×6褶皺相關(guān),。在單層石墨烯（MEG）表面，Cs原子優(yōu)先吸附于石墨烯表面6×6結(jié)構(gòu)的rim位,；而在雙層石墨烯（BEG）和多層石墨烯表面,，這種優(yōu)先性極大降低。在合適的覆蓋度下（1ML和1/3ML）,，Cs原子在2-5層石墨烯表面上均可以形成兩種長(zhǎng)程有序的超晶格結(jié)構(gòu),，其周期分別為1.85 nm（1×1超晶格）和3.20 nm（√3×√3超晶格），如圖1所示,。對(duì)MEG和BEG表面上Cs-Cs原子最近鄰距離分布的統(tǒng)計(jì)分析表明,，Cs-Cs原子之間存在強(qiáng)的長(zhǎng)程排斥相互作用，而且在BEG表面上表現(xiàn)得更強(qiáng)（圖2）,。進(jìn)一步分析表明,，MEG和BEG表面上每個(gè)Cs原子分別貢獻(xiàn)0.33和0.4個(gè)電子給石墨烯，并由此導(dǎo)致石墨烯表面Cs-Cs原子間存在靜電排斥相互作用（圖3）,，這與密度泛函理論計(jì)算結(jié)果非常吻合,。
根據(jù)這些研究，他們提出了BEG和多層石墨烯（3-5）表面Cs原子超晶格的形成機(jī)制：6H-SiC(0001)襯底上石墨烯表面周期,、褶皺的6×6結(jié)構(gòu)是Cs原子吸附的模板,，rim和valley位間的能量勢(shì)壘（隨層厚增加而減小）抑制熱漲落導(dǎo)致的Cs原子擴(kuò)散和無序,；Cs原子與石墨烯襯底間電荷轉(zhuǎn)移誘導(dǎo)Cs-Cs原子間排斥的靜電相互作用（隨層厚增加而增強(qiáng)）抑制Cs團(tuán)簇的形成和誘導(dǎo)超晶格結(jié)構(gòu),；只有當(dāng)以上兩種相互作用均比較強(qiáng)（2-5層）時(shí)，rim和valley位間的能量勢(shì)壘才能克服熱漲落導(dǎo)致的無序,，Cs超晶格才能穩(wěn)定,。
該研究結(jié)果發(fā)表在2012年第15期的Physical Review Letters（108，156803 (2012)）上,。此項(xiàng)工作得到了國家自然科學(xué)基金和科技部重大研究計(jì)劃的經(jīng)費(fèi)支持,。
圖1. STM形貌圖：(a) 1ML Cs原子吸附在MEG表面；(b) 1ML Cs原子吸附在BEG表面,；(c) 1/3 ML Cs原子吸附在BEG表面,；(d) 1/3 ML Cs原子吸附在6層的石墨烯表面。
圖2. MEG和BEG表面Cs原子最近鄰距離統(tǒng)計(jì)柱狀圖,，其中黑線為無相互作用隨機(jī)分布曲線,。
圖3. BEG表面Cs-Cs原子間平均相互作用勢(shì)，虛線對(duì)應(yīng)0.4e電荷轉(zhuǎn)移誘導(dǎo)靜電勢(shì)曲線,。插圖是ab initio 計(jì)算結(jié)果。
近期,，中科院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗(yàn)室（籌）表面物理實(shí)驗(yàn)室馬旭村研究員與清華大學(xué)物理系薛其坤院士,、北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研究所張平研究員合作，利用掃描隧道顯微鏡研究了堿金屬Cs原子在熱解6H-SiC(0001)獲得的石墨烯表面上的吸附行為,，發(fā)現(xiàn)Cs原子在石墨烯表面的吸附行為與層厚和6×6褶皺相關(guān),。在單層石墨烯（MEG）表面，Cs原子優(yōu)先吸附于石墨烯表面6×6結(jié)構(gòu)的rim位,；而在雙層石墨烯（BEG）和多層石墨烯表面,，這種優(yōu)先性極大降低。在合適的覆蓋度下（1ML和1/3ML）,，Cs原子在2-5層石墨烯表面上均可以形成兩種長(zhǎng)程有序的超晶格結(jié)構(gòu),，其周期分別為1.85 nm（1×1超晶格）和3.20 nm（√3×√3超晶格），如圖1所示,。對(duì)MEG和BEG表面上Cs-Cs原子最近鄰距離分布的統(tǒng)計(jì)分析表明,，Cs-Cs原子之間存在強(qiáng)的長(zhǎng)程排斥相互作用，而且在BEG表面上表現(xiàn)得更強(qiáng)（圖2）,。進(jìn)一步分析表明,，MEG和BEG表面上每個(gè)Cs原子分別貢獻(xiàn)0.33和0.4個(gè)電子給石墨烯，并由此導(dǎo)致石墨烯表面Cs-Cs原子間存在靜電排斥相互作用（圖3）,，這與密度泛函理論計(jì)算結(jié)果非常吻合,。
根據(jù)這些研究，他們提出了BEG和多層石墨烯（3-5）表面Cs原子超晶格的形成機(jī)制：6H-SiC(0001)襯底上石墨烯表面周期,、褶皺的6×6結(jié)構(gòu)是Cs原子吸附的模板,，rim和valley位間的能量勢(shì)壘（隨層厚增加而減小）抑制熱漲落導(dǎo)致的Cs原子擴(kuò)散和無序,；Cs原子與石墨烯襯底間電荷轉(zhuǎn)移誘導(dǎo)Cs-Cs原子間排斥的靜電相互作用（隨層厚增加而增強(qiáng)）抑制Cs團(tuán)簇的形成和誘導(dǎo)超晶格結(jié)構(gòu),；只有當(dāng)以上兩種相互作用均比較強(qiáng)（2-5層）時(shí)，rim和valley位間的能量勢(shì)壘才能克服熱漲落導(dǎo)致的無序,，Cs超晶格才能穩(wěn)定,。
該研究結(jié)果發(fā)表在2012年第15期的Physical Review Letters（108，156803 (2012)）上,。此項(xiàng)工作得到了國家自然科學(xué)基金和科技部重大研究計(jì)劃的經(jīng)費(fèi)支持,。
圖1. STM形貌圖：(a) 1ML Cs原子吸附在MEG表面；(b) 1ML Cs原子吸附在BEG表面,；(c) 1/3 ML Cs原子吸附在BEG表面,；(d) 1/3 ML Cs原子吸附在6層的石墨烯表面。
圖2. MEG和BEG表面Cs原子最近鄰距離統(tǒng)計(jì)柱狀圖,，其中黑線為無相互作用隨機(jī)分布曲線,。
圖3. BEG表面Cs-Cs原子間平均相互作用勢(shì)，虛線對(duì)應(yīng)0.4e電荷轉(zhuǎn)移誘導(dǎo)靜電勢(shì)曲線,。插圖是ab initio 計(jì)算結(jié)果。
