德國愛思強股份有限公司今天宣布，昭和電工（日本,，秩父）在其現(xiàn)有愛思強設(shè)備基礎(chǔ)上，增購一套熱壁碳化硅化學(xué)氣相沉積行星式反應(yīng)器,。該化學(xué)氣相沉積(CVD)系統(tǒng)可同時處理10片100mm晶圓或6片150mm晶圓，將被應(yīng)用于針對一系列電力電子應(yīng)用及元件類型（例如太陽能發(fā)電模塊,、交直流轉(zhuǎn)換及工業(yè)電機控制的逆變器系統(tǒng)）在碳化硅(SiC)基底上生長同質(zhì)外延材料,。

    通過新系統(tǒng)的應(yīng)用，昭和電工將可提高現(xiàn)有直徑為100mm晶圓的產(chǎn)量,，并可拓展至更大直徑的150mm碳化硅晶圓的生產(chǎn),，該種晶圓目前已可從半導(dǎo)體材料供應(yīng)商處購得。實現(xiàn)對更大晶圓的生產(chǎn)將可在降低成本的同時提高市場接受度,。

    愛思強股份有限公司副總裁兼電力電子項目經(jīng)理Frank Wischmeyer博士評價道：“愛思強系統(tǒng)的設(shè)計是為了通過減少襯底邊緣排除區(qū)(wafer edge exclusion zone),，提高更大直徑基底的單片晶圓使用率,，從而進一步推動規(guī)模經(jīng)濟效益。碳化硅在這類應(yīng)用的魅力源于其獨特的材質(zhì),，例如高臨界電場強度,，允許高擊穿電壓以及低導(dǎo)通電阻。碳化硅在電力應(yīng)用方面的更大優(yōu)勢在于其導(dǎo)熱性高和耐熱強度大,�,！�

    愛思強為這套最先進的生產(chǎn)系統(tǒng)平臺開發(fā)出一個特別反應(yīng)室，可承受碳化硅晶圓外延過程最高所需達到的1650°C高溫,。在外延過程中,，愛思強系統(tǒng)每批所處理的6片150 mm晶圓會各自進行“行星式”自轉(zhuǎn)，展現(xiàn)技術(shù)最先進的均勻性和可重復(fù)性,。

    昭和電工之所以選擇愛思強熱壁碳化硅化學(xué)氣相沉積行星式系統(tǒng)，是為了借助愛思強在此方面的豐富經(jīng)驗與專業(yè)技術(shù),，同時通過具成本效益的150mm碳化硅晶圓拓展其業(yè)務(wù)范圍,。該公司看到碳化硅相關(guān)產(chǎn)品在消費電子市場迅速產(chǎn)生的機遇，以及其未來在鐵路動力處理與自動化市場中的廣闊前景,。2008年底,，昭和電工向Esicat – Japan LLP（日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)、日本電力中央研究所(CRIEPI)以及昭和電工的一家合資公司）收購碳化硅外延晶片業(yè)務(wù),。