近日，中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家實(shí)驗(yàn)室許智,、王文龍,、白雪冬、王恩哥等人提出了一種新的方法,，在生長(zhǎng)單壁碳納米管過(guò)程中,，原位進(jìn)行硼(B)、氮(N)共摻雜,，實(shí)驗(yàn)和理論研究發(fā)現(xiàn),，硼、氮共摻雜使金屬性碳納米管轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體,。

　　自1991年碳納米管被發(fā)現(xiàn)以來(lái),，引起了科學(xué)家廣泛的研究興趣。但是納米管電學(xué)性質(zhì)的不可控問(wèn)題依然是懸而未決的難題,，這是由于在制備的樣品中約2/3的納米管為半導(dǎo)體性,，約1/3的納米管為金屬性，兩者共存大大限制了碳納米管在納米電子器件中的進(jìn)一步應(yīng)用,。近年來(lái)在這方面的研究探索取得了一定的進(jìn)展,，如何分開(kāi)半導(dǎo)體性與金屬性的碳納米管一般有兩種途徑：1)原位刻蝕金屬性納米管；2)后期的化學(xué)或物理方法進(jìn)行篩選,。前一種方法容易引入結(jié)構(gòu)缺陷,，而后一種方法在樣品的純度上還需要大大提高。

　　該研究組利用改進(jìn)的等離子輔助熱絲化學(xué)氣相沉積(CVD)生長(zhǎng)技術(shù),，實(shí)現(xiàn)了單壁碳納米管的B,、N共摻雜——即三元共價(jià)BCN化合物納米管[J. Am. Chem. Soc. 128, 6530(2006)]。繼這項(xiàng)研究成果后,，他們最近用這種B,、N共摻雜納米管構(gòu)筑了大量的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，對(duì)其電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)性分析研究,。結(jié)果表明,，通過(guò)對(duì)單壁碳納米管的B、N共摻雜,，樣品中半導(dǎo)體性納米管的比例由67%大大提升到高于97%,。為了深入理解這一重要實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，他們利用第一性原理,，計(jì)算了摻雜對(duì)單壁碳納米管能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)制作用,。結(jié)果證明，B,、N共摻雜可以使金屬性的單壁碳納米管的能隙被打開(kāi),，使其轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體性的納米管，而B(niǎo),、N共摻雜并不改變半導(dǎo)體性碳納米管的導(dǎo)電屬性,，從而在理論上解釋了B、N共摻雜調(diào)節(jié)碳納米管能帶結(jié)構(gòu)的物理機(jī)制,。B,、N共摻雜是解決半導(dǎo)體性和金屬性納米管不可分問(wèn)題的一條有效的新途徑。

　　相關(guān)研究結(jié)果發(fā)表在近期的Advanced Materials 20, 3615 (2008)上,。Asia Materials對(duì)該成果以標(biāo)題“Doping carbon nanotubes”作為研究亮點(diǎn)進(jìn)行了報(bào)道,。

　　該工作得到了國(guó)家科技部、中科院和國(guó)家自然科學(xué)基金委的資助,。