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面議型號
010面-5mm×5mm氧化鎵外延片品牌
富加鎵業(yè)產(chǎn)地
浙江樣本
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襯底參數(shù)
摻雜：Fe
晶面 ：（010）
雙晶搖擺半高寬：≤350“
尺寸：5mm×5mm
尺寸偏差：<±0.3mm
厚度偏差：<±0.05mm
產(chǎn)品參數(shù)
外延片參數(shù)
第1層厚度： 250-350nm
第2層厚度： 200±20nm
第2層載流子濃度：1~3×1017cm-3
襯底參數(shù)
摻雜：Fe
晶面 ：（010）
雙晶搖擺半高寬：≤350“
尺寸：5mm×5mm
尺寸偏差：<±0.3mm
厚度偏差：<±0.05mm
產(chǎn)品外形示意圖
以β-Ga2O3單晶為基礎(chǔ)材料的功率器件具有更高的擊穿電壓與更低的導(dǎo)通電阻，從而擁有更低的導(dǎo)通損耗和更高的功率轉(zhuǎn)換效率，在功率電子器件方面具有極大的應(yīng)用潛力,。典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括：電動汽車、光伏逆變器,、高鐵輸電,、軍用電磁軌道炮、電磁彈射,、全電艦艇推進(jìn)等,；除此之外，氧化鎵由于低成本及與GaN的低失配的特性,，還可用于GaN材料的外延襯底,，GaN及HEMT具有功率密度高,、體積小，可工作在40GHz等優(yōu)點(diǎn),，是5G基站攻略放大器的**材料,，隨著5G行業(yè)的迅速發(fā)展，也將帶動氧化鎵單晶襯底產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,。
暫無數(shù)據(jù),！
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