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4H-碳化硅粉體
可用于生長第三代半導體碳化硅單晶襯底,面向新能源汽車,、光伏/風電逆變器,、特高壓輸變電等市場,能夠有效提高物理氣相沉積法(PVT)生長碳化硅單晶的良率,。
暫無數(shù)據(jù),!
產(chǎn)品質量
售后服務
易用性
性價比
微米級高純β-SiC粉體
碳化硅
立方SiC微粉
α阿爾法相碳化硅
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