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碳化硅作為C和Si穩(wěn)定的化合物,，其晶格結(jié)構(gòu)由致密排列的兩個(gè)亞晶格組成,，每個(gè)Si(或C)原子與周邊包圍的C(Si)原子通過定向的強(qiáng)四面體sp3鍵結(jié)合，雖然SiC的四面體鍵很強(qiáng),，但層錯(cuò)形成能量卻很低,，這一特點(diǎn)決定了SiC的多型體現(xiàn)象，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)SiC具有250多種多型體,，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同,。*常見的多型體為立方密排的3C-SiC和六角密排的4H、6H-SiC,。不同的多型體具有不同的電學(xué)性能與光學(xué)性能。SiC的禁帶寬度為Si的2-3倍,，熱導(dǎo)率約為Si的4.4倍,，臨界擊穿電場約為Si的8倍，電子的飽和漂移速度為Si的2倍,。SiC的這些性能使其成為高頻,、大功率、耐高溫,、抗輻照的半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料,，可應(yīng)用于大功率的電子轉(zhuǎn)換器及汽車馬達(dá)等領(lǐng)域的極端環(huán)境中。另外,，采用SiC所制備的發(fā)光二極管的輻射波長可以覆蓋從藍(lán)光到紫光的波段,，在光信息顯示系統(tǒng)及光集成電路等領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。