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4H-N型SiC襯底品牌
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碳化硅（SiC）晶體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高,、熱導(dǎo)率高,、電子飽和速率高及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，被認(rèn)為是制備高頻大功率器件,、高溫電子器件,、微波器件*有應(yīng)用前途的材料，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng),、充電樁,、光伏逆變器等領(lǐng)域。
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