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氮化鋁是**應(yīng)用潛力的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有很多優(yōu)良的性質(zhì),，如其禁帶寬度高達(dá)6.2eV,，同時(shí)具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子遷移率,、高化學(xué)和熱穩(wěn)定性,，及高導(dǎo)熱、抗輻射等優(yōu)異性能,，因此氮化鋁是紫外/深紫外LED,、紫外LD**襯底材料，也是高功率,，高電子?jì)爰硐胍r底材料,。此外，氮化鋁具有優(yōu)良的壓電性、高的聲表面波傳播速度和較高的機(jī)電耦合系數(shù),，是GHz級(jí)聲表面波器件的優(yōu)選壓電材料,。
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