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氮化鎵/碳化硅品牌
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跟傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料Si相比，第三代半導(dǎo)體在擊穿場強(qiáng),、禁帶寬度,、電子飽和速度、熔點(diǎn)以及熱導(dǎo)率方面都具有**優(yōu)勢,。
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