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其中硅氧碳（SiO@C）采用控制含氧量/優(yōu)化結構形貌為基礎的“低鋰耗”技術,，結合碳包覆提升電子電導率、穩(wěn)定化學/電化學反應界面,、提升材料的結構穩(wěn)定性,，從而達到高首效、長循環(huán)的目的,。該技術比“預鋰化”技術更安全,，更易加工，儲存更方便,，且成本更低,。
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