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在MOCVD反應器的廣泛鍍膜過程中，行星基座或載體會移動襯底晶片,?；牧系男阅軐ν繉淤|(zhì)量有很大影響，進而影響芯片廢品率,。
我們的碳化硅涂層基座提升了高品質(zhì)LED晶圓的制造效率,，將波長偏差降至*低。
我們還為目前使用的所有MOCVD反應器提供其他石墨部件,。我們可以為幾乎所有部件涂上碳化硅涂層,，即使部件直徑超過1米（3‘）,，我們依然能夠進行碳化硅涂層,。
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