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      ChemiMaster 8320(CM8320)系列儀器基于動態(tài)技術(shù)可進(jìn)行TPD(程序升溫脫附),、TPR（程序升溫還原）,，TPO（程序升溫氧化）、脈沖化學(xué)吸附測金屬分散度,、蒸汽吸附,、BET單點(diǎn)比表面積的物理吸附分析、多組分競爭性吸附,，用于測定催化劑材料的酸堿量,、酸堿強(qiáng)度、貴金屬分散度,、氧化還原性能,、多組分競爭性吸附等重要指標(biāo)。
全自動雙站化學(xué)吸附儀CM8320 

全自動雙站化學(xué)吸附儀CM8320配置
分析站數(shù)量：2個,，獨(dú)立運(yùn)行
TCD數(shù)量：    2個
質(zhì)量流量控制器數(shù)量：4個
尾部質(zhì)量流量計數(shù)量：1個
電動六通閥數(shù)量：2個
電動四通閥數(shù)量：4個
技術(shù)優(yōu)勢
分析站：  雙站設(shè)計,，獨(dú)立運(yùn)行
管路結(jié)構(gòu)：并聯(lián)，2個并聯(lián)結(jié)構(gòu)
保溫設(shè)計：  整體管路控溫保溫
防腐蝕功能：整體管路防腐蝕設(shè)計
風(fēng)冷系統(tǒng)：2個強(qiáng)制風(fēng)冷系統(tǒng)
冷阱數(shù)量：2個
進(jìn)氣端口：8路,，儀器可自由切換
蒸汽發(fā)生器：連續(xù)和脈沖兩個模式
技術(shù)參數(shù)
●加熱爐工作溫度**1200℃可選低溫裝置
●加熱爐采用“床溫”和“爐溫”雙點(diǎn)測控
●樣品溫度通過獨(dú)立的溫度傳感測量與控制
●檢測器類型為萊鎢合金熱導(dǎo)檢測器TCD 
●儀器內(nèi)部整體保溫,，**可達(dá)300℃
● 氣體流速范圍 5～100 SCCM
● 軟件程序升溫實時顯示,，閥門狀態(tài)顯示
●質(zhì)譜取氣端口在樣品管出氣口，避免氣流干擾
● 儀器具有系統(tǒng)危險狀態(tài)報警功能
● 可選配蒸汽發(fā)生器,，整體管路保溫
● LOOP環(huán)可以定制選配3種體積以上
● 管路1/8 英寸SS 316不銹鋼管 
● 儀器內(nèi)部管線和控制閥門均可保溫
儀器尺寸

全自動化學(xué)吸附儀CM8320剖式圖

選型指南

通過TPD或脈沖滴定等過程,，可以測試樣品對于特定氣體吸附量。但在實際應(yīng)用中,，樣品所接觸到的氣氛通常更為復(fù)雜,，不同氣體同時與樣品接觸時，吸附能力并非簡單的加和關(guān)系,，而有可能表現(xiàn)出不同組分的競爭關(guān)系（X組分的存在有可能抑制樣品對于Y組分的吸附）或協(xié)調(diào)關(guān)系（X組分的存在有可能促進(jìn)樣品對于Y組分的吸附）,。因此對于實際應(yīng)用場景，有必要針對更為復(fù)雜的氣體配比條件,，測試樣品對于多組分氣體的實際吸附能力,。
 TPD程序升溫脫附
樣品的表面活性位（例如酸中心）吸附探針分子（例如NH3）后，在載氣吹掃下進(jìn)行程序升溫,，記錄樣品溫度與載氣濃度的變化,，即為TPD測試譜圖。譜圖中探針分子的脫附峰的溫度對應(yīng)活性中心的強(qiáng)度,，譜圖中探針分子的脫附峰的面積對應(yīng)活性中心的數(shù)量,。
TPR/TPO程序升溫還原/程序升溫氧化
TPR用于表征金屬催化劑的還原性。用一定比例的H2/Ar混合氣體作為載氣流過樣品床層并按照一定速率程序升溫,。記錄樣品溫度與載氣濃度的變化,，即為TPR測試譜圖。譜圖中還原峰的溫度對應(yīng)金屬中心的還原性能,，譜圖中還原峰的面積對應(yīng)金屬中心還原過程的耗氫量,。
TPO與TPR類似，用氧化性氣體代替還原性氣體,，用于測試金屬中心的氧化性能,。
脈沖滴定
以脈沖方式向樣品表面定量注入特定的氣體，記錄載氣濃度的變化,，未被吸附的氣體將流過樣品床層并被檢測器記錄,。記錄載氣濃度的變化得到脈沖滴定譜圖，其中記錄到的峰對應(yīng)于未被吸附的氣體的量,，脈沖的次數(shù)對應(yīng)于總脈沖量,，兩者差減就是樣品的吸附量。脈沖滴定用于表征活性金屬面積,，分散度,，平均晶粒尺寸等參數(shù)。