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單晶硅品牌
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晶體生長(zhǎng)方法：CZ/MCZ
導(dǎo)電型號(hào)：P/N
直徑：50-350mm
摻雜物：硼/磷
電阻率：0.001-100.Ω.cm
少子壽命：>10μs
晶向：<100>,、<110>,、<111>
熔點(diǎn)：1420℃
密度：2.33g/cm3
位錯(cuò)密度：無(wú)位錯(cuò)
純度：6N-9N
氧含量（ppma）：≤20
碳含量（ppma）：≤1.0
電阻率晶向不均勻度：<15%
外觀：無(wú)劃痕、缺口等不良現(xiàn)象
暫無(wú)數(shù)據(jù),！
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