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馬爾文Zetasizer Nano ZS納米粒度電位儀
馬爾文Zetasizer Nano ZS納米粒度電位儀

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杭州紐藍科技有限公司

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產(chǎn)品介紹:

納米粒度和Zeta電位及分子量分析儀

Zetasizer Nano ZS是一臺高性能雙角度顆粒粒度及分子大小分析儀,采用動態(tài)光散射法,,結(jié)合“NIBS”光學器件,,可增強對聚集體的檢測,還可測量小尺寸或稀釋樣品,,以及極低濃度或高濃度樣品,。 ZSP還包含了電泳光散射法表征顆粒,、分子及表面檢測的zeta電位分析儀,以及靜態(tài)光散射法表征分子量,。

與使用90度散射光學器件的系統(tǒng)相比,,該系統(tǒng)采用非侵入式背散射光學器件(NIBS),使性能得到顯著提升,。另外,,提供的微觀流變學選件可測量樣品粘性與粘彈特性,以及可進行蛋白質(zhì)遷移率測量的蛋白質(zhì)測量選件,。流動模式選件使該系統(tǒng)可與SEC或FFF系統(tǒng)連接,,作為蛋白質(zhì)或納米顆粒粒度檢測器使用。此外,,還有用于粘性或高濃度樣品或表面zeta電位測量的樣品池可供選擇,,從可拋棄性樣品池到特定的樣品池,一應俱全,。

Zetasizer Nano ZS在一個單一的緊湊裝置中包含了三種技術(shù),,且擁有一系列選件及附件,以便優(yōu)化并簡化不同樣品類型的測量,。

動態(tài)光散射法用于測量粒度及分子大小,。 該技術(shù)可測量布郎運動下移動顆粒的擴散情況,并采用斯托克斯-愛因斯坦關(guān)系將其轉(zhuǎn)化為粒度與粒度分布,。 內(nèi)置的非侵入式背散射技術(shù)(NIBS)使系統(tǒng)具有**的靈敏度以及**的粒度及濃度范圍,。

檢測粒徑隨濃度的變化還可以得到動態(tài)光散射相互作用力因子Kd。

微流變選件采用DLS檢測蹤粒子的運動,,以得到極稀的聚合物與蛋白質(zhì)溶液的結(jié)構(gòu),。

激光多普勒微量電泳法可用于測量zeta電位。 分子和顆粒在施加的電場作用下做電泳運動,,其運動速度和zeta電位直接相關(guān) 使用**型激光相干技術(shù) M3-PALS (相位分析光散射法)檢測其速率,。 從而實現(xiàn)電泳遷移率的計算,并得出ZETA電位及ZETA電位分布情況,。

表面zeta電位附件使用示蹤粒子來測量靠近樣品表面的電滲并計算表面的zeta電位,。

靜態(tài)光散射法用于確定蛋白質(zhì)與聚合物的分子量。 在此檢測方法中,,檢測不同濃度下樣品的散射光強,,并且繪制Debye曲線。 由此,,可計算出平均分子量及第二維里系數(shù),,從而得到分子溶解程度。

該技術(shù)對整個系統(tǒng)的靈敏度及穩(wěn)定性要求極高,,并需要對設計的每個元件進行優(yōu)化,,以確保精確性及重復性,。

主要參數(shù):

測量的參數(shù):

顆粒和分子尺寸、平動擴散,、電泳遷移率,、高低濃度下顆粒的zeta電位、高分子和蛋白質(zhì)溶液的粘度和粘彈性,、濃度,、分子量、A2,, kD,。

顆粒粒度及分子大小

測量范圍:0.3nm-10.0μm*(直徑)

測量原理:動態(tài)光散射法

*小樣品容積:12μL

精確度:優(yōu)于NIST可追溯膠乳標準的+/-2%

精確度 / 可重復性:優(yōu)于NIST可追溯膠乳標準的+/-2%

靈敏度:0.1mg/mL

  • (溶菌酶)Zeta 電位 (以及選裝的蛋白質(zhì)遷移率)

  • 測量范圍:3.8nm - 100 微米*(直徑)

  • 測量原理:電泳光散射法

  • *小樣品容積:150μL(20μL ,采用擴散障礙法)

  • 精確度:0.12μm.cm/V.s,,針對水性系統(tǒng),,采用NIST SRM1980標準參考物質(zhì)

  • 靈敏度:10mg/mL (BSA)分子量

  • 測量范圍:980Da – 20M Da*

  • 測量原理:靜態(tài)光散射法,使用德拜圖

  • *小樣品容積:12μL(需要3-5種樣品濃度)

  • 精確度:+/- 10% 典型值

微觀流變學(選件)

  • 測量原理:動態(tài)光散射法

  • *小樣品容積:12μL(僅DLS測量),, ***范圍,,以樣品為主

常規(guī):

溫度控制范圍:0℃—90℃,+/-0.1**,,120℃選裝

光源:He—Ne激光器 633nm,,**4mW

  • **:

  • Zetasizer Nano系列受以下**保護:|非侵入背散射 (NIBS)|EP884580,US6016195,,JP11051843|高頻和低頻電泳 (M3)|EP1154266,,US7217350,JP04727064 |使用同時檢測的光散射測量|EP2235501,,CN102066901,,JP2011523451,US20090251696|插入式樣品池表面電位測定|WO2012172330

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售后服務

10分

易用性

10分

性價比

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