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Si單光子探測器
Si單光子探測器

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上海

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暫無
上海屹持光電技術(shù)有限公司

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硅APD探測模塊 SPDSi

上海屹持光電單光子計(jì)數(shù)模塊SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器,。探測波段覆蓋200 -1060 nm,,可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過60 dB,。SPDSi特有的高性能主動抑制電路,,可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的單光子探測,并且可加載任意寬度和周期的探測門,。該電路實(shí)現(xiàn)了大于20 dB的雪崩抑制,,從而將Si APD的性能發(fā)揮到**狀態(tài)。在700 nm波段的探測效率超過60%,,暗計(jì)數(shù)200-2000 cps,,死時(shí)間小于50 ns

SPDSi標(biāo)準(zhǔn)型號的有效光敏探測面積**可達(dá)500 um,,單光子計(jì)數(shù)信號在模塊內(nèi)部轉(zhuǎn)化為數(shù)字TTL信號,,并通過SMA接口送出。高度集成的模塊化設(shè)計(jì)便于OEM應(yīng)用和工業(yè)集成,。

APD通過模塊內(nèi)部制冷工作在-20 ℃的低溫環(huán)境下,,以獲得**的信噪比。制冷模塊由高效的TEC控制,??刂凭瓤蛇_(dá)±0.2 ℃。

技術(shù)特點(diǎn):

高探測效率:65%@700 nm,; 500 um光敏面積,;

TTL數(shù)字信號輸出;低暗計(jì)數(shù),;

低后脈沖,;低時(shí)間抖動;

應(yīng)用領(lǐng)域:

熒光測量,;激光測距,;

量子通信;光譜測量,;

光子關(guān)聯(lián),;自適應(yīng)光學(xué),;

Fig1. 量子效率 Fig2. Si單光子探測器

Fig3. Si單光子探測器結(jié)構(gòu)圖

產(chǎn)品參數(shù):

參數(shù)規(guī)格參數(shù)

單位

供電電壓*1

22 -28

V

供電電流

0.5

A

光譜響應(yīng)范圍

200 ----1060

nm

探測效率

@200 nm

@700 nm

@850 nm

@1060 nm

2

65

45

3

%

暗計(jì)數(shù)

200 -2000

cps

死時(shí)間

50

ns

后脈沖

3 - 8

%

時(shí)間抖動

300 - 500

ps

飽和計(jì)數(shù)率*2

10

Mcps

光敏面積

500

um

APD制冷溫度

-20

工作溫度

-15 - +50

輸出信號電平

LVTTL

輸出信號脈寬

530

ns

門脈沖輸入電平

Disable=LVTTL low

Enable=LVTTL high

0-0.4

2 -3.3

V

產(chǎn)品說明

1. 不正確的電壓可能損壞模塊,應(yīng)保證接入電源不高于28V,,并可提供足夠電流,。

2. APD屬于高靈敏光電探測器件,在雪崩狀態(tài)下應(yīng)控制輸入光信號強(qiáng)度,,過高的光強(qiáng)可能損壞APD,,這種損害可能降低APD的探測靈敏度,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐啥O管擊穿,。

3. 在特殊的應(yīng)用場景下,,應(yīng)保證模塊的工作溫度不超過50 ℃,過高的溫度可能導(dǎo)致APD工作溫度上升,,從而引起暗計(jì)數(shù)水平升高,。

4. SPDSi的默認(rèn)死時(shí)間為50ns。死時(shí)間設(shè)定會影響模塊的**計(jì)數(shù)率,,當(dāng)死時(shí)間設(shè)定在50ns時(shí),,**計(jì)數(shù)率為10Mcps,如您的應(yīng)用對死時(shí)間設(shè)定有特別要求,,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們聯(lián)系,。

5. 同樣,輸出信號的脈寬也會影響**計(jì)數(shù)率,,典型脈寬為30 ns,,如您的應(yīng)用對輸出信號有特別要求,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們聯(lián)系,。

6. SPDSi支持空間和光纖接口接入,。

單光子探測器選型

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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價(jià)比

10分
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