透射電子顯微鏡

Themis Z材料科學(xué)

**的光學(xué)性能,，可重復(fù)性和靈活性,。

為了使科學(xué)家加深對(duì)復(fù)雜材料的理解并開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的新材料，他們必須能夠關(guān)聯(lián)形狀和功能,，在空間,，時(shí)間和頻率上進(jìn)行解析并使用堅(jiān)固，精確的儀器進(jìn)行研究,。

賽默飛世爾科技（Thermo Fisher Scientific）推出Themis Z –下一代超高分辨率,，像差校正,，掃描透射電子顯微鏡,，可提供****的光學(xué)性能和靈活性，并具有****的可重復(fù)性,。

光學(xué)性能的**

在經(jīng)過(guò)Thermo Scientific™驗(yàn)證的經(jīng)過(guò) C_S校正,，穩(wěn)定的Themis設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，Themis-Z在30至300千伏的整個(gè)加速電壓范圍內(nèi),，在高分辨率TEM和STEM中均提供了****的原子分辨率成像能力,。

STEM性能

Themis Z具有300 kV的寬間隙S-TWIN極靴，其低至<63 pm的STEM分辨率令人印象深刻,。圖像顯示以300 kV成像的GaN [211]和以60 kV成像的Si [110],。GaN [211]和Si [110]的相應(yīng)FFT清楚地顯示了63和136 pm的啞鈴分辨率。

S-CORR STEM性能原子的分辨率成像

重現(xiàn)性

這種功能不僅是*前沿的,，而且還可以廣泛使用,。

OptiSTEM +

Themis Z通過(guò)OptiSTEM +在STEM實(shí)驗(yàn)中實(shí)現(xiàn)了探針成形光學(xué)器件的自動(dòng)調(diào)諧。這不僅使顯微鏡專(zhuān)家而且所有材料科學(xué)家都可以觸及極高的空間分辨率和較高的實(shí)驗(yàn)重現(xiàn)性,。

OptiMONO

帶有OptiMono的ThemisZ繼續(xù)以自動(dòng)化為主題,，它可以自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)并優(yōu)化單色儀光學(xué)器件，從而以**的實(shí)驗(yàn)精度和可重復(fù)性再次提供*終的能量分辨率,。結(jié)果是可以使用超高分辨率電子能量損失光譜學(xué)實(shí)驗(yàn),，該實(shí)驗(yàn)為所有材料科學(xué)家提供了原子分辨率下的有價(jià)值的化學(xué)鍵合信息。

靈活性

為了加深我們對(duì)復(fù)雜納米材料的理解，需要一種能夠提供*終性能的工具,，而無(wú)論標(biāo)本或研究方向要求的成像或光譜模式如何,。用于測(cè)量原子級(jí)特性的工具應(yīng)保證可重復(fù)性，準(zhǔn)確性和精確性,，而絕不妥協(xié),。創(chuàng)新需要不受技術(shù)限制的自由探索和研究,。

ThemisZ提供了做到這一點(diǎn)的靈活性,。

Themis Z的成像靈活性

對(duì)敏感材料的敲擊損壞

劑量敏感材料

低原子序數(shù)（Z）的材料

多層MoS ₂ 用S-CORR在30kV下成像

用iDPC在200 kV處成像六面銅酞菁銅。

GaN [211]用iDPC以63 pm的分辨率在300 kV下成像（插圖顯示HAADF圖像）,。Ga和N啞鈴清晰可見(jiàn),。使用iDPC成像可以同時(shí)觀(guān)察輕元素和重元素。

成像磁性材料

使用電子顯微鏡像素陣列檢測(cè)器（EMPAD）在鐵氧體中用DPC繪制場(chǎng)強(qiáng)和方向,。樣品提供：大阪府立大學(xué)中島H.和森S.森,。

選擇Super X或Dual X EDS檢測(cè)器

Thermo Scientific EDS檢測(cè)器產(chǎn)品組合可為客戶(hù)提供各種檢測(cè)器幾何形狀選擇，以滿(mǎn)足他們的實(shí)驗(yàn)要求并優(yōu)化其EDS結(jié)果,。

現(xiàn)在,，借助Thermo Scientific Velox™分析軟件，可以對(duì)兩種探測(cè)器的幾何形狀進(jìn)行快速,，準(zhǔn)確的定量,。

能量分辨率適合所有EELS應(yīng)用

自動(dòng)進(jìn)稿器

BaTiO3 / SrTiO3界面的鐵損EELS原子分辨率元素圖。藍(lán)色為Ba,，紅色為Sr,，綠色為T(mén)i。使用1 eV FWHM電子探針在80 kV（60 pA）下成像（49x49像素<90秒）,。

在該示例中,，對(duì)金納米線(xiàn)面積的測(cè)量顯示了沿著納米線(xiàn)的等離激元激發(fā)的局部位置隨其激發(fā)能在0.18 eV至1.2 eV范圍內(nèi)的變化。這些實(shí)驗(yàn)需要具有<0.2 eV FWHM的單色電子探針,。

使用FWHM <30 meV的單色電子探針在60 kV的MgO晶體中繪制表面聲子模式,。 樣品和分析，由麥克馬斯特大學(xué)加拿大電子顯微鏡中心Isobel Bicket和Gianluigi Botton教授提供,。

低損傷，高靈敏度成像以及2D,，3D和4D材料分析,。Themis Z通過(guò)單個(gè)物鏡配置以**分辨率提供所有功能,。