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ICCS催化劑原位表征系統(tǒng)
ICCS催化劑原位表征系統(tǒng)

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美國(guó)

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暫無(wú)
麥克默瑞提克(上 海)儀器有限公司

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ICCS-催化劑原位表征系統(tǒng)

ICCS催化劑原位表征系統(tǒng)是美國(guó)麥克儀器推出的新一代催化劑原位表征系統(tǒng),,與其它動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)室反應(yīng)器系統(tǒng)(如麥克儀器的微型反應(yīng)器Micro-Activity Effi和Solo)不同,它在現(xiàn)有反應(yīng)系統(tǒng)的基礎(chǔ)上增加了兩項(xiàng)關(guān)鍵的表征技術(shù)--程序升溫分析(TPx)和脈沖化學(xué)吸附,,此外還可以通過(guò)選配相應(yīng)的配置進(jìn)行物理吸附,。用戶可以使用ICCS在新鮮催化劑上進(jìn)行這些重要的表征技術(shù),且無(wú)需從反應(yīng)器中取出催化劑可直接進(jìn)行重復(fù)測(cè)試,。對(duì)同一個(gè)樣品既可進(jìn)行反應(yīng)研究,,又可同時(shí)獲得TPx和脈沖化學(xué)吸附的數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)催化劑的原位表征,,為催化研究提供了新的表征工具,。進(jìn)行這種原位分析,,可消除環(huán)境中氣體或水分污染催化劑的可能,避免損壞活性催化劑和破壞反應(yīng)后表征數(shù)據(jù)的相關(guān)性,。

ICCS催化劑原位表征系統(tǒng)技術(shù)

ICCS常規(guī)測(cè)試流程包括:將催化劑裝入ICCS的反應(yīng)器系統(tǒng)中,,接下來(lái)可選擇TPx方法表征催化劑。在TPx分析中,,程序升溫還原(TPR)常用于負(fù)載型金屬催化劑,,程序升溫脫附(TPD)常用于酸堿催化劑。在TPx之后通常進(jìn)行脈沖化學(xué)吸附,,以確定催化劑活性位點(diǎn)的數(shù)量,。通過(guò)TPx和脈沖滴定可以獲得新鮮催化劑在典型反應(yīng)條件下(特別是在高壓下)的信息。

進(jìn)行了上述表征后,,用戶無(wú)需額外添加或轉(zhuǎn)移催化劑,,可以直接繼續(xù)對(duì)相同的催化劑樣品進(jìn)行反應(yīng)研究。

長(zhǎng)時(shí)間使用后的催化劑可以采用與新鮮催化劑相同的條件進(jìn)行相同的TPx和脈沖化學(xué)吸附分析,。無(wú)需從反應(yīng)器中取出催化劑,,就可比較反應(yīng)前后催化劑的關(guān)鍵特性,如活性位點(diǎn)數(shù)目,。

ICCS催化劑原位表征系統(tǒng)主要特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

ICCS催化劑原位表征系統(tǒng)可以在高溫高壓的反應(yīng)條件下對(duì)催化劑,、催化劑載體和其他材料進(jìn)行原位表征,有效排除環(huán)境中的干擾,。

兩個(gè)高精度的質(zhì)量流量計(jì)可以精確,、全自動(dòng)地控制氣體流量,保證TPx和脈沖化學(xué)吸附的精確分析,。

原位測(cè)試,,可對(duì)同一催化劑樣品進(jìn)行多種表征。

高精度的熱導(dǎo)檢測(cè)器(TCD)可以實(shí)時(shí)檢測(cè)流經(jīng)樣品管前后的氣體的細(xì)微濃度變化,。

具有直觀的軟件和圖形界面,,通過(guò)觸摸屏可進(jìn)行安全警報(bào),命令,,控制參數(shù)等一系列操作,。

控溫區(qū)內(nèi)不銹鋼管線提供了惰性和穩(wěn)定的運(yùn)行環(huán)境,避免管路中的冷凝,。兩個(gè)內(nèi)部溫度控制區(qū)可以獨(dú)立運(yùn)行,。

內(nèi)置可控溫的冷阱,用于去除冷凝物(如氧化物還原過(guò)程中產(chǎn)生的水),。

超小的內(nèi)部管路體積,,可很大程度地減少峰展寬并顯著提高峰分辨率。

防腐檢測(cè)器燈絲,,可兼容TPx和脈沖化學(xué)吸附中常用氣體,。

交互式峰編輯軟件使用戶能快速方便地評(píng)估結(jié)果,,編輯峰并得到報(bào)告。只需要簡(jiǎn)單的指向和點(diǎn)擊就可調(diào)整峰邊界,。

催化劑原位表征系統(tǒng)分析能力

ICCS催化劑原位表征系統(tǒng)能夠進(jìn)行一系列化學(xué)吸附和程序升溫反應(yīng)的原位表征,,可量化催化劑及載體的各項(xiàng)關(guān)鍵屬性,便于研究催化劑活性,、選擇性,、失活、中毒和再生的過(guò)程,。

脈沖化學(xué)吸附可獲得以下信息:

金屬表面積

金屬分散度

平均金屬顆粒尺寸

活性位點(diǎn)數(shù)目

TPx技術(shù)應(yīng)用舉例:

研究催化劑再生(程序升溫氧化,,TPO)

研究吸附強(qiáng)度(TPD)

?評(píng)估金屬催化劑中助劑對(duì)金屬與載體間相互作用的影響(TPR)

表征物理吸附可獲得材料的表面積(選項(xiàng))。

1:壓力對(duì)還原溫度的影響

2:系統(tǒng)示意圖

催化劑原位表征系統(tǒng)符合以下規(guī)定及標(biāo)準(zhǔn)

PED – Directive 2014/68/UE

壓力設(shè)備指令(PED)

該設(shè)備符合歐盟和西班牙的相應(yīng)壓力設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)2014/68/UERD 709/2015,,并通過(guò)了相關(guān)設(shè)計(jì),、制造和評(píng)估的適用法規(guī)。

設(shè)備出廠時(shí)將根據(jù)現(xiàn)行規(guī)定打上標(biāo)記,。

EMC – Directive 2014/30/UE

電磁兼容性指令(EMC)

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)EN 61326進(jìn)行EMC抗擾測(cè)試

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)EN 61326進(jìn)行EMC排放測(cè)試

LVD – Directive 2014/35/UE

低壓指令(LVD)

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)EN 61010-1進(jìn)行電氣安全測(cè)試

ATEX – Directive 2014/34/UE

用于潛在爆炸性環(huán)境ATEX)中的設(shè)備和防護(hù)系統(tǒng)

請(qǐng)勿在潛在爆炸性環(huán)境中使用本設(shè)備

RoHS – Directive 2011/65/UE

有害物質(zhì)限制

技術(shù)指標(biāo)

電氣

電壓

單相

頻率

50 – 60 Hz

功率

單相

控制模塊:低要求

處理器

Intel Core I3或同等配置

操作系統(tǒng)

Windows 7/8/10 (32/64 bits)

內(nèi)存

4 GB

硬盤(pán)

500 GB

溫度系統(tǒng)

閥箱

高可達(dá)180℃

加熱線

高可達(dá)180℃

冷阱

通過(guò)Peltier系統(tǒng)可控制在-15℃-70℃

壓力系統(tǒng)

工作壓力

高可達(dá)20bar(g)

Options 配件

loop環(huán)體積

0.5 cc and 1.0 cc

氣體流量

質(zhì)量流量計(jì)

2

進(jìn)氣壓力

30 bar

流量范圍

MFC1

MFC2

Range 1: 0 – 800 mlN/min

Range: 0 – 150 mlN/min

Range 2: 800 – 3000 mlN/min

氣體輸送

要求

30bar壓力,,通風(fēng)接口為1/8’’

氣瓶接頭不包括在內(nèi),由用戶提供

Physical 儀器參數(shù)

445 mm (17.52 ”)

545 mm (21.46 ”)

長(zhǎng)

500 mm (19.69 ”) (不含電腦

重量

40 kg (88.2 lbs.)

環(huán)境要求

溫度

10 – 35 oC operating

濕度

10 – 60 % without condensation

其它

避免陽(yáng)光直射,,避免靠近冷熱源

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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價(jià)比

10分
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