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硅晶片氣體捕集裝置
硅晶片氣體捕集裝置

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型號(hào)

品牌

產(chǎn)地

日本

樣本

暫無
北京佳儀分析設(shè)備有限公司

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第2年

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儀器簡(jiǎn)介:

?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的揮發(fā)性成分(有機(jī)污染物)。(SW-8400)

?用于捕集12吋硅晶片表面的揮發(fā)性成分(有機(jī)污染物),。(SW-12400)

?捕集單面硅晶片揮發(fā)性氣體,,操作簡(jiǎn)便。

?加熱爐采用倒懸方式(參照下圖),,僅對(duì)晶片正面產(chǎn)生的氣體進(jìn)行捕集采樣,。

?加熱爐**可加熱到500℃。

?加熱爐封口采用O形環(huán)(聚亞胺材質(zhì))密封,,無泄露,。

?一般采用PAT(內(nèi)容積10ml,填充2.5g Tenax GR)捕集氣體,。也可選用其他廠家的相應(yīng)捕

集采樣管進(jìn)行采樣,。

?配備冷卻水循環(huán)裝置。

?配備防過熱裝置,、聯(lián)鎖安全裝置,、急停按鈕、漏水傳感器(選配)等安全防范裝置,。

技術(shù)參數(shù):

方式 : 倒懸方式

捕集硅晶片尺寸: 8"或6",,5"以下需添加擴(kuò)充環(huán)(12400型,12")

O形環(huán):封口部直徑220mm(聚亞胺)

石英加熱爐: 透明石英材質(zhì)

加熱爐加熱方式: 頂板?底板獨(dú)立加熱方式

加熱爐使用溫度: 常用400℃(**可達(dá)500℃)

加熱爐冷卻: 冷卻水循環(huán)裝置

保溫管: 內(nèi)表面惰性化鍍層處理

吹掃氣: 通常用氮?dú)猓?*使用流量500ml/min

防過熱裝置: 電流15A,,感應(yīng)電流30mA

急停按鈕: 紅色,,蘑菇型

安全裝置: 聯(lián)鎖結(jié)構(gòu)

加壓方式: 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

設(shè)備尺寸: 1140(W)×1106(H)×750(D)mm

電源: 單相AC200V、15A?AC100V,、20A

重量: 280 Kg

標(biāo)準(zhǔn)附件:

PAT(一級(jí)吸附管): 2支(與其它公司捕集管不配套)

PAT架: 1個(gè)(與其它公司捕集管不配套)

PAT適配器: 1個(gè)(與其它公司捕集管配套使用)

O形環(huán): 2個(gè)

冷卻水循環(huán)裝置: 1臺(tái)(附標(biāo)準(zhǔn)配管)

保溫管: 1支

氣體配管: 1套(1/16"-1/8")

纜線: 1套

工具: 1套

操作說明書: 1冊(cè)

*SW-12400型的技術(shù)規(guī)格請(qǐng)垂詢,。

主要特點(diǎn):

?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的揮發(fā)性成分(有機(jī)污染物)。(SW-8400)

?用于捕集12吋硅晶片表面的揮發(fā)性成分(有機(jī)污染物),。(SW-12400)

?捕集單面硅晶片揮發(fā)性氣體,,操作簡(jiǎn)便。

?加熱爐采用倒懸方式(參照下圖),,僅對(duì)晶片正面產(chǎn)生的氣體進(jìn)行捕集采樣,。

?加熱爐**可加熱到500℃。

?加熱爐封口采用O形環(huán)(聚亞胺材質(zhì))密封,,無泄露,。

?一般采用PAT(內(nèi)容積10ml,填充2.5g Tenax GR)捕集氣體,。也可選用其他廠家的相應(yīng)捕

集采樣管進(jìn)行采樣。

?配備冷卻水循環(huán)裝置。

?配備防過熱裝置,、聯(lián)鎖安全裝置,、急停按鈕、漏水傳感器(選配)等安全防范裝置,。

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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價(jià)比

10分
評(píng)論內(nèi)容
暫無評(píng)論,!
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