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一,、產(chǎn)品概述：
液封直拉法（LEC）技術可生長適用于直接離子注入的高純非摻雜半絕緣單晶或多晶等,。
二、主要特點：
1. 我公司可制作大規(guī)格坩堝（**直徑12inch,，**高度17inch）,；
2. 純度高（>99.99%）；
3. 1500℃下,，a方向的熱導率是c方向的20倍以上,，有利于形成單晶生長所需的溫度梯度,。
三、產(chǎn)品應用
用于LEC法合成GaAs,、InP,、GaP等半導體單晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物單晶。
暫無數(shù)據(jù),！
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